AI大勢(shì)下，存儲(chǔ)原廠針對(duì)HBM的競(jìng)爭(zhēng)日漸白熱化，HBM3E風(fēng)頭正勁，今年有望成為HBM市場(chǎng)主流。與此同時(shí)，原廠也在積極布局下一代HBM4技術(shù)。

今年4月SK海力士已經(jīng)宣布將攜手臺(tái)積電共同開發(fā)HBM4，預(yù)計(jì)2026年投產(chǎn)。據(jù)悉，兩家公司將首先致力于針對(duì)搭載于HBM封裝內(nèi)最底層的基礎(chǔ)裸片（Base Die）進(jìn)行性能改善。HBM是將多個(gè)DRAM裸片（Core Die）堆疊在基礎(chǔ)裸片上，并通過(guò)TSV技術(shù)進(jìn)行垂直連接而成。

三星方面，媒體報(bào)道該公司已經(jīng)成立了新的“HBM開發(fā)團(tuán)隊(duì)”，將專注HBM3、HBM3E和下一代HBM4技術(shù)的相關(guān)開發(fā)工作，以提高三星在HBM市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力。近期，韓媒報(bào)道，三星計(jì)劃使用4nm先進(jìn)制程工藝生產(chǎn)HBM4 邏輯裸晶（Logic Die）。

此前業(yè)界猜測(cè)三星會(huì)用7~8nm制程生產(chǎn)HBM4邏輯裸晶，最新報(bào)道顯示三星“激進(jìn)”選擇了更先進(jìn)的制程，這也側(cè)面反映出當(dāng)前HBM火熱發(fā)展的態(tài)勢(shì)。

全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢今年5月調(diào)查顯示，受惠于HBM銷售單價(jià)較傳統(tǒng)型DRAM（Conventional DRAM）高出數(shù)倍，相較DDR5價(jià)差大約五倍，加上AI芯片相關(guān)產(chǎn)品迭代也促使HBM單機(jī)搭載容量擴(kuò)大，推動(dòng)2023~2025年間HBM之于DRAM產(chǎn)能及產(chǎn)值占比均大幅向上。

產(chǎn)能方面，2023~2024年HBM占DRAM總產(chǎn)能分別是2%及5%，至2025年占比預(yù)估將超過(guò)10%。產(chǎn)值方面，2024年起HBM之于DRAM總產(chǎn)值預(yù)估可逾20%，至2025年占比有機(jī)會(huì)逾三成。

針對(duì)HBM4的發(fā)展，此前集邦咨詢則預(yù)估，HBM4預(yù)計(jì)2026年推出，或?qū)⑥D(zhuǎn)向客制化。各買方開始啟動(dòng)客制化要求，除了HBM可能不再僅是排列在SoC主芯片旁邊，亦有部分討論轉(zhuǎn)向堆棧在SoC主芯片之上。雖然所有選項(xiàng)仍在討論可行性中，并尚未定案，但TrendForce集邦咨詢認(rèn)為，未來(lái)HBM產(chǎn)業(yè)將轉(zhuǎn)為更客制化的角度發(fā)展，相比其他DRAM產(chǎn)品，在定價(jià)及設(shè)計(jì)上，更加擺脫Commodity DRAM的框架，呈現(xiàn)特定化的生產(chǎn)。

封面圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)