佰維存儲近日在接受調(diào)研時表示，公司擬定增募資建設(shè)的晶圓級先進封測項目可以構(gòu)建HBM實現(xiàn)的封裝技術(shù)基礎(chǔ)。

公司掌握16層疊Die、30~40μm超薄Die、多芯片異構(gòu)集成等先進封裝工藝，為NAND Flash芯片、DRAM芯片和SiP封裝芯片的大規(guī)模量產(chǎn)提供支持，使得存儲芯片在體積、散熱、電磁兼容性、可靠性、存儲容量等方面擁有較強的市場競爭力。

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