2023年11月8日，由全球高科技產(chǎn)業(yè)研究機構(gòu)TrendForce集邦咨詢以及旗下全球半導(dǎo)體觀察主辦的“MTS2024存儲產(chǎn)業(yè)趨勢研討會”在深圳圓滿落幕。

美光亞太區(qū)業(yè)務(wù)拓展總監(jiān)謝天先生受邀出席，并在會議上發(fā)表了主題為《數(shù)字經(jīng)濟時代，探索存儲未來》的演講，謝天先生表示，人工智能大潮席卷而來，存儲技術(shù)的創(chuàng)新將更進一步釋放數(shù)據(jù)經(jīng)濟的魅力。其中美光下一代產(chǎn)品HBM3E潛力無限。

謝天先生表示，在當(dāng)下數(shù)字經(jīng)濟時代，企業(yè)和超大規(guī)模存儲（云存儲）的需求在持續(xù)增長。從市場情況看，DRAM和NAND的收入增長速度快于廣泛的半導(dǎo)體市場。而從企業(yè)需求看，固態(tài)硬盤（SSD）/NAND滲透率更高，但是云公司們?nèi)匀皇褂酶呷萘康挠脖P驅(qū)動器（HDD）。

△美光亞太區(qū)業(yè)務(wù)拓展總監(jiān)謝天

在演講中，他展示了美光的生產(chǎn)基地、美光用于滿足數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器的不同內(nèi)存、存儲產(chǎn)品，并對美光在DRAM、NAND產(chǎn)品領(lǐng)域上的創(chuàng)新和布局情況做了介紹。

謝天先生表示，在今年年底，存儲廠商的庫存水平將開始趨向正?；?。冬去春來，2023年的市場低迷以后，2024年相信存儲市場將實現(xiàn)大幅同比增長。云以及超大規(guī)模固態(tài)硬盤市場的年度增長將明顯超過企業(yè)市場，這種趨勢將持續(xù)到2027年。

據(jù)悉，美光科技公布截至2023年8月31日的2023財年第四財季業(yè)績，該季美光實現(xiàn)40.1億美元營收，同比下降40%，但好于市場預(yù)期的39.3億美元。

其中，美光DRAM業(yè)務(wù)營收達28億美元，在總營收占比中達69%，DRAM位元出貨量環(huán)比實現(xiàn)增長，ASP則環(huán)比下降。NANDFlash營收為12億美元，在總營收占比中達30%，位元出貨量環(huán)比增長，ASP下降。

美光預(yù)計2024財年第一財季公司營收有望邁向復(fù)蘇進程，營收將達42億至46億美元。

美光表示，2023財年，在充滿挑戰(zhàn)的存儲器市場環(huán)境中，美光保持了技術(shù)領(lǐng)先地位，推出了大量領(lǐng)先產(chǎn)品，并在供應(yīng)和成本方面采取了果斷行動。隨著市場需求增加以及供應(yīng)調(diào)整，美光預(yù)計存儲市場2024年將迎來復(fù)蘇，2025年則再進一步提升。

市場需求方面，美光持續(xù)看好HBM技術(shù)的應(yīng)用。該公司透露，正在與英偉達合作，以驗證其最新的HBM是否可以用于英偉達的顯卡上。該公司預(yù)計2024年新的HBM將帶來「數(shù)億」美元的收入。

公開資料顯示，高帶寬內(nèi)存（HBM）是人工智能服務(wù)器中使用的一種DRAM，其特點是堆疊多種類型的DRAM以增強數(shù)據(jù)處理能力和速度。

據(jù)悉，美光對其下一代產(chǎn)品HBM3E下了很大的賭注，以縮小與領(lǐng)先者的差距。美光首席執(zhí)行官 SanjayMehrotra 表示：“我們正處于為Nvidia下一代AI加速器提供HBM3E的驗證的最后階段。”

HBM和GPU捆綁在一起的AI加速器市場也面臨著激烈的競爭。人工智能加速器是專門用于大規(guī)模數(shù)據(jù)訓(xùn)練和推理的半導(dǎo)體，被認(rèn)為在生成人工智能時代至關(guān)重要。

據(jù)AMD稱，AI加速器市場目前價值300億美元，預(yù)計到2027年將擴大到1500億美元。HBM市場預(yù)計未來五年每年將以50%的速度增長。

美光重申計劃于2024年初開始大批量發(fā)貨HBM3E內(nèi)存，同時還透露NVIDIA是其新型RAM的主要客戶之一。同時，其強調(diào)其新產(chǎn)品受到了整個行業(yè)的極大興趣，這暗示NVIDIA可能不是唯一最終使用美光HBM3E的客戶。

目前為止，NVIDIA宣布的唯一支持HBM3E的產(chǎn)品是GraceHopperGH200計算平臺，該平臺配備H100計算GPU和GraceCPU。

美光HBM3E目前已獲得NVIDIA計算產(chǎn)品的資格，這將推動HBM3E驅(qū)動的人工智能解決方案。”

美光的24GBHBM3E模塊基于八個堆疊24Gbit內(nèi)存芯片，采用該公司的1β(1-beta)制造工藝制造。這些模塊的數(shù)據(jù)速率高達9.2GT/秒，使每個堆棧的峰值帶寬達到1.2TB/s，比現(xiàn)有最快的HBM3模塊提高了44%。與此同時，該公司不會停止其基于8-Hi24Gbit的HBM3E組件。該公司宣布，繼開始量產(chǎn)8-Hi24GB堆棧后，計劃于2024年推出超大容量36GB12-HiHBM3E堆棧。

美光首席執(zhí)行官補充道：“我們預(yù)計將于2024年初開始HBM3E的生產(chǎn)，并在2024財年實現(xiàn)可觀的收入。”