近期，美光首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra透露，美光計劃于2024年初開始大量出貨HBM3E。據(jù)悉，美光HBM3E目前正在進行英偉達認證，首批HBM3E采用8-Hi設計，提供24GB容量和超過1.2TB/s頻寬。公司計劃于2024年推出超大容量36GB 12-Hi HBM3E堆疊。此前美光曾透露，預計2024年新的HBM將帶來「數(shù)億」美元的收入。

無獨有偶，另一家存儲大廠三星近期也公布了HBM新進展。據(jù)三星電子副社長、DRAM產(chǎn)品與技術團隊負責人黃尚俊透露，三星電子已開發(fā)出9.8Gbps的HBM3E，計劃開始向客戶提供樣品。同時，三星正在開發(fā)HBM4，目標2025年供貨。據(jù)悉，三星電子正開發(fā)針對高溫熱特性優(yōu)化的非導電粘合膜（NCF）組裝技與混合鍵合（HCB）等技術，以應用于HBM4產(chǎn)品。

AI熱潮之下，HBM成為存儲器市場“新寵”，三大原廠正積極布局。

全球市場研究機構TrendForce集邦咨詢表示，兩大韓廠SK海力士、三星先從HBM3開發(fā)，代表產(chǎn)品為NVIDIA H100/H800以及AMD的MI300系列，兩大韓廠預計于2024年第一季送樣HBM3e；美系原廠美光則選擇跳過HBM3，直接開發(fā)HBM3e。

HBM3e將由24Gb mono die堆棧，在8層（8Hi）的基礎下，單顆HBM3e容量將一口氣提升至24GB，此將導入在2025年NVIDIA推出的GB100上，故三大原廠預計要在2024年第一季推出HBM3e樣品，以期在明年下半年進入量產(chǎn)。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)