近日存儲(chǔ)市場(chǎng)出現(xiàn)新的訊號(hào)。結(jié)合幾大原廠最新財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)及市場(chǎng)動(dòng)態(tài)顯示，庫(kù)存水位調(diào)整有所成效，市場(chǎng)出現(xiàn)了一些回溫的跡象。目前在庫(kù)存壓力下，存儲(chǔ)價(jià)格還在下跌，但情勢(shì)或?qū)⒂泻棉D(zhuǎn)。TrendForce集邦咨詢認(rèn)為，預(yù)計(jì)第三季整體NAND Flash均價(jià)持續(xù)下跌約3~8%，第四季有望止跌回升，第三季DRAM均價(jià)跌幅將會(huì)收斂至0~5%。

市場(chǎng)低迷底色不改，三星、美光財(cái)報(bào)帶來(lái)回溫跡象？

近期，三星電子公布2023年第二季度財(cái)報(bào)的初步數(shù)據(jù)，期內(nèi)銷售額為60萬(wàn)億韓元，同比下降22.3%；營(yíng)業(yè)利潤(rùn)從上一年的14.1萬(wàn)億韓元降至6000億韓元，同比下降95.7%。行業(yè)人士認(rèn)為，雖然三星電子財(cái)報(bào)仍在持續(xù)下跌，但其利潤(rùn)降幅小于行業(yè)人士預(yù)期。

美光科技財(cái)報(bào)顯示，三季度營(yíng)收為37.5億美元，高于市場(chǎng)預(yù)期的36.9億美元，去年同期為86.4億美元，同比下降57%；利潤(rùn)率下滑16.1%，利潤(rùn)下滑幅度低于市場(chǎng)預(yù)測(cè)。

結(jié)合上述兩家大廠財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)后，業(yè)界認(rèn)為，存儲(chǔ)芯片價(jià)格在持續(xù)下跌一年多以后，庫(kù)存過(guò)?，F(xiàn)象有所緩解，市場(chǎng)出現(xiàn)了一些復(fù)蘇的跡象。美光方面表示，存儲(chǔ)芯片行業(yè)已度過(guò)低谷。

從市場(chǎng)現(xiàn)狀看，市場(chǎng)仍然處于焦慮期。雖然有生成式AI(人工智能)、新能源汽車等若干新的拉動(dòng)力，但并不能創(chuàng)造出像智能手機(jī)那樣的半導(dǎo)體需求，個(gè)人電腦和智能手機(jī)市場(chǎng)仍然低迷，因此只能在一定程度上緩解市場(chǎng)下行趨勢(shì)。

存儲(chǔ)主控大廠看到市場(chǎng)回溫，但庫(kù)存壓力仍在

閃存控制芯片商群聯(lián)執(zhí)行長(zhǎng)潘健成近日透露，NAND原廠自第二季開始陸續(xù)釋出逐漸漲價(jià)的訊號(hào)，包括7月份啟動(dòng)新訂單調(diào)漲價(jià)格、或既有訂單重新議價(jià)，這代表NAND原廠不堪虧損的壓力持續(xù)擴(kuò)大；然而是否能因此帶動(dòng)市況反轉(zhuǎn)，則仍須看整體需求和市場(chǎng)接受度。

群聯(lián)2023年6月合并營(yíng)收為34.38億元新臺(tái)幣，月增逾7%；上半年合并營(yíng)收達(dá)200.85億元新臺(tái)幣，年減39%。潘健成表示，由于進(jìn)入第三季傳統(tǒng)旺季，且NAND價(jià)格處于相對(duì)低檔，近期有看到NAND儲(chǔ)存模組需求緩慢增加，包括客戶逐漸導(dǎo)入大容量?jī)?chǔ)存模組產(chǎn)品。

據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，原廠減產(chǎn)幅度持續(xù)擴(kuò)大，實(shí)際需求未明，第三季NAND Flash市場(chǎng)仍處于供給過(guò)剩。即便下半年有季節(jié)性旺季需求支撐，但目前買方仍持保守的備貨態(tài)度，壓抑NAND Flash價(jià)格止跌回穩(wěn)。第三季NAND Flash Wafer均價(jià)預(yù)估將率先上漲；SSD、eMMC、UFS等模組產(chǎn)品，則因下游客戶拉貨遲緩，價(jià)格續(xù)跌，估第三季整體NAND Flash均價(jià)持續(xù)下跌約3~8%，第四季有望止跌回升。

NAND Flash Wafer方面，預(yù)期原廠庫(kù)存壓力將在第三季趨緩，報(bào)價(jià)態(tài)度強(qiáng)勢(shì)，第三季合約價(jià)有相當(dāng)高的機(jī)率落底反彈，此將刺激買方采購(gòu)意愿，加上年底旺季前的預(yù)先備貨，預(yù)期對(duì)NAND Flash Wafer的需求會(huì)漸增，有望加速供需平衡，讓價(jià)格漲勢(shì)延續(xù)。第三季在原廠報(bào)價(jià)的強(qiáng)勢(shì)態(tài)度下，預(yù)估NAND Flash Wafer均價(jià)有望環(huán)比增長(zhǎng)0~5%。

TrendForce集邦咨詢預(yù)期第三季DRAM均價(jià)跌幅將會(huì)收斂至0~5%

據(jù)MoneyDJ報(bào)道，由于DRAM價(jià)格幾近落底，面對(duì)關(guān)鍵的第三季傳統(tǒng)旺季，有業(yè)內(nèi)人士表示，目前三大原廠都想要拉合約價(jià)，目標(biāo)漲幅7%-8%。

業(yè)界人士認(rèn)為，受到庫(kù)存仍然還未完成去化影響，原廠能否穩(wěn)住價(jià)格還未可定。

TrendForce集邦咨詢最新研究指出，受惠于DRAM供應(yīng)商陸續(xù)啟動(dòng)減產(chǎn)，整體DRAM供給位元逐季減少，加上季節(jié)性需求支撐，減輕供應(yīng)商庫(kù)存壓力，預(yù)期第三季DRAM均價(jià)跌幅將會(huì)收斂至0~5%。

不過(guò)，目前供應(yīng)商全年庫(kù)存應(yīng)仍處高水位，今年DRAM均價(jià)欲落底翻揚(yáng)的壓力仍大，盡管供給端的減產(chǎn)有助季跌幅的收斂，然實(shí)際止跌反彈的時(shí)間恐需等到2024年。

存儲(chǔ)三巨頭搶灘HBM市場(chǎng)

在存儲(chǔ)市場(chǎng)不見起色的時(shí)間里，HBM（High Bandwidth Memory，高帶寬內(nèi)存）的發(fā)展成為各大原廠挽回頹勢(shì)的利劍。

公開資料顯示，HBM是一種面向需要極高吞吐量的數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用程序的DRAM，HBM的作用類似于數(shù)據(jù)的“中轉(zhuǎn)站”，就是將使用的每一幀，每一幅圖像等圖像數(shù)據(jù)保存到幀緩存區(qū)中，等待GPU調(diào)用。簡(jiǎn)單而言，HBM與其他DRAM最大的差別就是擁有超高的帶寬。最新的HBM3的帶寬最高可以達(dá)到819 GB/s，而最新的GDDR6的帶寬最高只有96GB/s，CPU和硬件處理單元的常用外掛存儲(chǔ)設(shè)備DDR4的帶寬更是只有HBM的1/10。

超高的帶寬讓HBM成為了高性能GPU的核心組件。2021年ChatGPT的走紅使得HBM一躍成為AI服務(wù)器的“標(biāo)配”。據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，目前高端AI服務(wù)器GPU搭載HBM已成主流，預(yù)估2023年全球HBM需求量將年增近六成，來(lái)到2.9億GB，2024年將再成長(zhǎng)三成。

目前，三星、SK海力士和美光紛紛在搶灘HBM市場(chǎng)。據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，2022年三大原廠HBM市占率分別為SK海力士（SKhynix）50%、三星（Samsung）約40%、美光（Micron）約10%。

封面圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)