7月5日，存儲器設(shè)計(jì)公司東芯股份公布投資者關(guān)系活動(dòng)記錄表，披露了其庫存水位情況、產(chǎn)品進(jìn)度及未來布局等方面。

01
SLC NAND以工業(yè)類應(yīng)用市場為主

東芯股份指出，SLC NAND的應(yīng)用市場以偏高可靠性需求的工業(yè)類應(yīng)用市場為主，在網(wǎng)絡(luò)通信、監(jiān)控安防、物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴產(chǎn)品、工業(yè)控制等領(lǐng)域都有所應(yīng)用。

據(jù)了解，在NAND Flash市場上，三星電子、鎧俠、美光科技等海外存儲巨頭專注于大容量的3D NAND Flash。目前SLC NAND Flash其他供應(yīng)商主要有中國臺灣的華邦電子、旺宏電子等企業(yè)，隨著國產(chǎn)化需求的不斷提高，國內(nèi)企業(yè)將迎來良好的發(fā)展契機(jī)。

關(guān)于SLC NAND的布局，東芯股份目前有兩個(gè)方向：
1）高可靠性：公司憑借SLC NAND產(chǎn)品的設(shè)計(jì)能力，進(jìn)一步提高產(chǎn)品可靠性，逐步從工業(yè)級標(biāo)準(zhǔn)向車規(guī)級標(biāo)準(zhǔn)邁進(jìn)。
2）更新工藝：在原有的從38nm、2xnm制程上持續(xù)開發(fā)新產(chǎn)品的同時(shí)，公司將通過更新工藝制程來為客戶帶來更具性價(jià)比、更高容量的產(chǎn)品。

車規(guī)類產(chǎn)品的進(jìn)展，東芯股份在NAND和NOR領(lǐng)域均有車規(guī)級存儲產(chǎn)品的布局，相關(guān)產(chǎn)品正在積極研發(fā)和導(dǎo)入的過程中。車規(guī)級存儲器的導(dǎo)入一般需要經(jīng)歷產(chǎn)品生產(chǎn)認(rèn)證、客戶使用的平臺認(rèn)證、一級供應(yīng)商認(rèn)證和最終的車廠整體認(rèn)證，時(shí)間跨度較長。

此外，東芯股份指出，公司目前聚焦于中小容量存儲芯片的研發(fā)、設(shè)計(jì)和銷售，暫不涉及3D NAND業(yè)務(wù)，但公司在該方面擁有相應(yīng)的技術(shù)儲備。公司也將持續(xù)關(guān)注主營業(yè)務(wù)相關(guān)領(lǐng)域的新興技術(shù)和行業(yè)動(dòng)態(tài)，做好技術(shù)及產(chǎn)品研發(fā)儲備，不斷提升公司的核心競爭力。

02
LPDDR4x樣品已供客戶

據(jù)了解，東芯股份標(biāo)準(zhǔn)品的DRAM以DDR3為主，低功耗的系列目前量產(chǎn)的有LPDDR1、2以及在測試中的LPDDR4x產(chǎn)品，目前是25nm制程。

東芯股份研發(fā)的DDR3(L)系列是可以傳輸雙倍數(shù)據(jù)流的DRAM產(chǎn)品，具有高帶寬、低延時(shí)等特點(diǎn)，在通訊設(shè)備、移動(dòng)終端等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。

DRAM產(chǎn)品進(jìn)度上，東芯股份透露，目前公司自主設(shè)計(jì)研發(fā)的LPDDR4x產(chǎn)品已經(jīng)提供樣品給客戶進(jìn)行測試，導(dǎo)入進(jìn)度符合預(yù)期。

03
現(xiàn)有庫存狀況基本可控

據(jù)東芯股份2022年年度報(bào)告，NAND占銷售的比重超過60%，DRAM和NOR大約各是6%-7%左右，MCP占銷售比重約20%。

自身庫存水位方面，東芯股份稱，現(xiàn)在的存貨還是在相對較高的水位。但公司對自己的產(chǎn)品有信心，在以市占率為優(yōu)先的策略下，現(xiàn)有庫存狀況基本可控。從存貨結(jié)構(gòu)上來看，公司大部分產(chǎn)品是通用型產(chǎn)品，存貨中原材料上占比更高，在半成品和產(chǎn)成品上占比相對較低，產(chǎn)品間可調(diào)配的空間很大，因此從結(jié)構(gòu)上看也基本可控。

針對渠道商庫存水位情況，東芯股份表示，公司主營的中小容量通用型存儲產(chǎn)品，渠道商庫存控制較好，基本上控制在1個(gè)月左右的庫存水位。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)