· 實現(xiàn)現(xiàn)有DDR5 DRAM最高運行速度和基于‘HKMG’工藝的超低功耗

· 期待成功完成最高性能的1b DDR5 DRAM 產(chǎn)品驗證

· “開始量產(chǎn)最先進的1b工藝，以業(yè)界最高DRAM競爭力水平改善今年下半年業(yè)績”

· 明年上半年將把1b工藝擴大適用于LPDDR5T、HBM3E等高性能產(chǎn)品

2023年5月30日，SK海力士宣布，已完成現(xiàn)有DRAM中最為微細化的第五代10納米級（1b）技術(shù)研發(fā)，并將適用其技術(shù)的DDR5服務(wù)器DRAM提供于英特爾公司（Intel^®）開始了“英特爾數(shù)據(jù)中心存儲器認證程序（The Intel Data Center Certified memory program）”。

此程序是英特爾的服務(wù)器用第四代至強^®可擴展平臺^*（ Intel^® Xeon^® Scalable platform）所采用的存儲器產(chǎn)品兼容性的正式認證流程。

SK海力士向英特爾提供的DDR5 DRAM產(chǎn)品運行速度高達6.4Gbps（每秒6.4千兆比特），公司技術(shù)團隊實現(xiàn)了目前市面上DDR5 DRAM的最高速度。與DDR5 DRAM初期階段的試制品^*相比，數(shù)據(jù)處理速度提升了33%。

另外，公司在此次1b DDR5 DRAM上采用了“HKMG（High-K Metal Gate）”^*工藝，與1a DDR5 DRAM相比功耗減少了20%以上。

SK海力士強調(diào)：“通過1b技術(shù)的研發(fā)成功，將可向全球客戶供應(yīng)高性能與高效能功耗比*兼?zhèn)涞腄RAM產(chǎn)品。”

SK海力士DRAM開發(fā)擔(dān)當(dāng)副社長金鍾煥說道：“就如于公司在今年1月將第四代10納米級（1a）DDR5服務(wù)器DRAM適用到英特爾^®第四代至強^®可擴展處理器（4th Gen Intel^® Xeon^® Scalable processors），并在業(yè)界首次獲得認證，此次1b DDR5 DRAM產(chǎn)品驗證也會成功完成。”

金副社長又說到：“有預(yù)測稱從今年下半年起存儲器市場狀況將得到改善，公司將以1b工藝量產(chǎn)等業(yè)界最高的DRAM競爭力水平加速改善今年下半年業(yè)績。又計劃在明年上半年將最先進的1b工藝擴大適用于LPDDR5T和HBM3E^*產(chǎn)品。”

英特爾公司存儲器I/O技術(shù)部門副總裁Dimitrios Ziakas表示：“英特爾公司為了DDR5 DRAM和英特爾平臺間的兼容性驗證，在與存儲器行業(yè)緊密合作。SK海力士的1b DDR5 DRAM將適用于英特爾的新一代至強^®可擴展平臺，為此業(yè)界首次進行著英特爾數(shù)據(jù)中心存儲器認證程序。”

另外，SK海力士表示，為了將已完成一輪兼容性驗證的1a DDR5 DRAM適用于英特爾下一代至強^®可擴展平臺的追加認證流程也正在同步進行中。

<SK海力士DDR5 DRAM開發(fā)成果>

– 2020年10月，推出全球首款DDR5 DRAM

– 2021年12月，全球首次提供24Gb DDR5 DRAM樣品

– 2023年1月，全球首獲1a DDR5服務(wù)器DRAM英特爾認證

– 2023年4月，全球首次向英特爾提供1b DDR5服務(wù)器DRAM樣品

*DDR5 DRAM初期階段試制品的運行速度為4.8Gbps（每秒4.8千兆比特），JEDEC標(biāo)準(zhǔn)中DDR5的最高運行速度為8.8Gbps。

*HKMG（High-K Metal Gate）: 在DRAM晶體管內(nèi)的絕緣膜上采用高K柵電介質(zhì)，在防止漏電的同時還可以改善電容（Capacitance）的新一代工藝。不僅可以提高內(nèi)存速度，還可降低功耗。SK海力士于去年11月推出了在移動DRAM上全球首次采用HKMG工藝的8.5Gbps LPDDR5X。在今年1月推出的9.6Gbps LPDDR5T移動DRAM也采用了HKMG工藝。

*效能功耗比：每一定單位功率每秒可處理的數(shù)據(jù)容量指標(biāo)

*HBM3E（HBM3 Extended）：HBM以第一代（HBM）-第二代（HBM2）-第三代（HBM2E）-第四代（HBM3）的順序開發(fā)，HBM3的下一代產(chǎn)品為第五代HBM3E。SK海力士計劃在今年下半年準(zhǔn)備具備8Gbps數(shù)據(jù)傳輸性能的HBM3E樣品，并將于明年投入量產(chǎn)。