近日，初創(chuàng)公司NEO Semiconductor宣布，推出其突破性技術(shù)3D X-DRAM。3D X-DRAM是第一個(gè)基于無(wú)電容器浮體單元 (FBC) 技術(shù)的類似3D NAND的DRAM單元陣列結(jié)構(gòu)，旨在解決DRAM的容量瓶頸，取代2D DRAM市場(chǎng)。

據(jù)NEO介紹，其3D X-DRAM技術(shù)可以生產(chǎn)230層的128Gbit DRAM芯片——是當(dāng)前DRAM密度的八倍，并預(yù)計(jì)在2030到2035年間就能實(shí)現(xiàn)1Tb的容量。

NEO表示，3D X-DRAM是解決由下一波AI應(yīng)用（例如ChatGPT）驅(qū)動(dòng)的對(duì)高性能和大容量存儲(chǔ)器半導(dǎo)體的需求增長(zhǎng)所必需的。

聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官Andy Hsu表示：“3D X-DRAM將是半導(dǎo)體行業(yè)未來(lái)絕對(duì)的增長(zhǎng)動(dòng)力。”

NEO專注于半導(dǎo)體存儲(chǔ)器并開(kāi)發(fā)了X-NAND技術(shù)，NAND芯片具有多個(gè)平行平面以加速數(shù)據(jù)訪問(wèn)——第一代順序?qū)懭霂挒?,600MBps，第二代為3,200MBps。

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