近日，三星電子在美國加州硅谷舉辦2022年三星科技日，會上三星首次推出了其第8代V-NAND（512Gb），位密度提高了42%，在迄今為止的512Gb三級單元（TLC）內(nèi)存產(chǎn)品中達到了業(yè)界最高的位密度。該公司表示，全球最高容量的1Tb TLC V-NAND將于今年年底向客戶提供。

NAND方面，目前，三星電子正在量產(chǎn)第7代Vertical NAND（V-NAND）閃存，其第九代V-NAND正在開發(fā)中，并計劃從2024年開始量產(chǎn)第9代NAND閃存，到2030年，公司設(shè)想堆疊超過1000層，以更好地支持未來的數(shù)據(jù)密集型技術(shù)。

DRAM方面，三星電子正在量產(chǎn)第4代10nm級DRAM，而目前1b DRAM正在開發(fā)中，并計劃從2023年開始量產(chǎn)第5代10nm級（1b）DRAM。為了克服DRAM擴展到10nm范圍以外的挑戰(zhàn)，該公司一直在開發(fā)圖案、材料和架構(gòu)方面的顛覆性解決方案，高K材料等技術(shù)正在順利進行中。

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