近日，韓國媒體《BusinessKorea》報導(dǎo)，全球最大存儲器制造商韓國三星設(shè)定了目標(biāo)，預(yù)計在今年6月前，完成11納米的第六代1c DRAM芯片的開發(fā)。

報道稱，三星已通知半導(dǎo)體研究人員，決定跳過或放棄12納米的第五代1b DRAM開發(fā)，之后將立即加速開發(fā)1c DRAM產(chǎn)品。

市場認(rèn)為三星此舉是為了擴(kuò)大與SK海力士和美光科技等競爭對手的技術(shù)差距。

這并非三星第一次決定跳過DRAM開發(fā)節(jié)點，挑戰(zhàn)更高技術(shù)。此前三星曾放棄28納米DRAM量產(chǎn)，轉(zhuǎn)向25納米DRAM產(chǎn)品開發(fā)。

分析人士表示，三星生產(chǎn)11納米DRAM并不是一件容易的事，必須有比過去更先進(jìn)的技術(shù)才能達(dá)成。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)