據(jù)businesskorea報道，三星電子將在2022年底推出200層以上的第8代NAND閃存。

businesskorea引述業(yè)內(nèi)人士預(yù)測，三星將在128層的單片存儲器上疊加96層，推出224層的NAND閃存。與上一代176層NAND產(chǎn)品相比，224層NAND閃存可以將生產(chǎn)效率和數(shù)據(jù)傳輸速度將提高30%。

businesskorea報道稱，三星電子原計劃在2021年末開始量產(chǎn)176層NAND，但考慮到市場情況，推遲到2022年第一季度。據(jù)悉，美國美光已經(jīng)開始量產(chǎn)176層NAND，業(yè)內(nèi)人士預(yù)測，三星電子將加快200層以上NAND閃存量產(chǎn)的步伐，以奪回技術(shù)領(lǐng)先地位。

報道稱，美光有望加速200多款NAND芯片的開發(fā)。隨著美光于2021年底在全球首次量產(chǎn)176層NAND閃存，業(yè)內(nèi)觀察人士認(rèn)為，該公司擁有量產(chǎn)超高密度NAND閃存的專有技術(shù)。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)