外電報導指出，韓國三星電子在23日舉行的在全球半導體產(chǎn)業(yè)會議Hotchips 33上表示，三星電子將于2022年底開始量產(chǎn)8層堆疊的DDR5內(nèi)存。

根據(jù)韓國媒體《THEELEC》報導指出，韓國三星電子將于2022年底開始量產(chǎn)的8層堆疊DDR5存儲器。其將使用其硅通孔（TSV）技術，將512GB DDR5內(nèi)存模組進一步堆疊起來。而目前該公司已經(jīng)生產(chǎn)出4層堆疊，并采用TSV技術整合DDR4內(nèi)存模組的內(nèi)存，整個芯片的厚度僅1.2毫米。

報導引用三星的說法表示，盡管可堆疊到8層DDR5內(nèi)存模組，但整個DDR5內(nèi)存仍將比1毫米更薄。而且與DDR4內(nèi)存相較，新的DDR5內(nèi)存還將具有更好的散熱功能，而這要歸功于新型材料的應用所導致。另外，三星還在模組中也采用自己開發(fā)的新款電源管理IC來降低噪音，并使其有較優(yōu)秀的功耗性能。

報導進一步指出，三星新的8層堆疊DDR5內(nèi)存將具有7.2Gbps的數(shù)據(jù)傳輸速度。三星還應用了一種稱為決策反饋均衡器的技術，以進一步提升數(shù)據(jù)傳輸速率，并保信號的穩(wěn)定狀況。另外，三星還強調(diào)，新的內(nèi)存模組將以數(shù)據(jù)中心的服務器市場需求為主要供應對象。

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