DDR5是下一世代的DRAM，能降低功耗、提升效能并帶來更高的可靠性。由于帶寬是DDR4的兩倍，DDR5還能夠滿足當(dāng)下CPU提升速度的訴求。存儲廠商不斷發(fā)表測試模組，為推出完整的產(chǎn)品蓄力，DDR5在今年開啟蓬勃發(fā)展元年。

眼下，我們距DDR5產(chǎn)品顯然更進(jìn)一步。DDR5的開發(fā)分階段進(jìn)行，包括內(nèi)存控制器、接口、電氣等效測試IP和模組。科技媒體AnandTech指出：“SK海力士已經(jīng)進(jìn)行到了最后一個階段，至少是完成了模組中的芯片”

10月6日，SK海力士宣布推出全球首款DDR5 DRAM。此番成果意味著，在即將到來的DDR5時代，SK海力士隨時能夠銷售相關(guān)產(chǎn)品。繼今年7月JEDEC固態(tài)存儲協(xié)會正式發(fā)布DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范后，SK海力士也再次將DDR5帶入我們的視野。

存儲三強(qiáng)起跑

DRAM存儲器有三種主流技術(shù)，分別是DDR、LPDDR和GDDR。按照應(yīng)用類型，DDR又可以劃分為PC端、服務(wù)器端、以及消費(fèi)端。

目前，Graphics DRAM推進(jìn)最快。終端主流顯卡去年陸續(xù)導(dǎo)入DDDR6，全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢預(yù)測，今年三星GDDR6的滲透率預(yù)期將達(dá)到7成左右。

用于智能手機(jī)等移動終端的低功耗LPDDR5導(dǎo)入速度次之，目前已經(jīng)被不少高端手機(jī)采用。一方面是由于規(guī)格定義較早；一方面得益于高通和聯(lián)發(fā)科兩大平臺的支持。同樣據(jù)TrendForce集邦咨詢預(yù)測，LPDDR5將在2022年正式取代LPDDR4成為市場主流。

DDR陣營內(nèi)，消費(fèi)級DRAM推進(jìn)遲緩，目前消費(fèi)性電子產(chǎn)品仍然處于DDR3到DDR4的轉(zhuǎn)換期，預(yù)計(jì)初期導(dǎo)入要到2023年?？紤]到推進(jìn)時程，以及DDR5本身就側(cè)重?cái)?shù)據(jù)中心等應(yīng)用場景的特點(diǎn)。故當(dāng)前討論DDR5時，我們主要著眼于服務(wù)器和PC端市場。

技術(shù)轉(zhuǎn)換預(yù)計(jì)帶來成本降低和溢價(jià)商機(jī)，各大廠商卡位DDR5有著通順的邏輯?；诖?，把控全球超95% DRAM市場份額的存儲三強(qiáng)超前布局并互相追趕。

存儲器龍頭三星電子在2018年2月開發(fā)出首款DDR5 DRAM，并在今年3月宣布，將于2021年正式開始量產(chǎn)DDR5內(nèi)存。

雖然最初的開發(fā)進(jìn)程稍慢，但位居DRAM市場第二名的SK海力士，仍用上了“全球第一”或者說“首款”這樣的營銷術(shù)語。2018年11月，SK海力士宣布成功開發(fā)全球第一款滿足JEDEC標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的16Gb DDR5 DRAM。

美光的1納米制程DDR5已經(jīng)送客戶試樣，計(jì)劃在2020到2023年間陸續(xù)發(fā)展1Z、1A與1B納米制程，并將于2021年面向利基型終端產(chǎn)品量產(chǎn)8Gb小容量解決方案。

內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范在今年7月確立后，DDR5大戰(zhàn)正式拉開序幕。在此之后的最新動態(tài)，即是SK海力士于近日宣布推出全球首款DDR5 DRAM。

整體來看，絲毫不令人意外的是，韓系廠商已經(jīng)搶占DDR5時代的高地。

國內(nèi)方面，國產(chǎn)存儲在今年取得突破，不過目前還沒有本土廠商真正進(jìn)入DDR5賽場內(nèi)。長鑫存儲已經(jīng)能夠批量生產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片、DDR4模組及LPDDR4X移動內(nèi)存，雖然其采用的19nm工藝相比三星落后了兩到三代水平，但仍屬于目前主流水平。

DDR世代更迭的列車向前，內(nèi)存接口芯片廠商仍能搭上順風(fēng)車。瀾起科技計(jì)劃在今年完成DDR5第一代內(nèi)存接口及其配套芯片量產(chǎn)版本芯片的研發(fā)。隨著技術(shù)的迭代，內(nèi)存接口芯片新產(chǎn)品的價(jià)格不斷上漲，瀾起科技也將分羹溢價(jià)商機(jī)。

關(guān)于目前的賽局，來自TrendForce集邦咨詢的分析師透露了更多細(xì)節(jié)：目前來看，廠商封裝以16Gb為準(zhǔn)，有助于8Gb切換到16Gb世代；制程工藝以1Y與1Z為主。分析師還強(qiáng)調(diào)，決定DDR5滲透率的關(guān)鍵是平臺，當(dāng)前服務(wù)器端明顯快于PC端。

EUV導(dǎo)入DRAM進(jìn)行時

DDR5競賽當(dāng)前，龍頭廠商仍在改良第四代內(nèi)存，成為近期值得關(guān)注的小趨勢，其原因何在？

SK海力士預(yù)估，2022年DDR5將占全球市場的10%，2024年將增至43%。這也意味著，DDR4內(nèi)存還會在長期內(nèi)占據(jù)市場，為不斷滿足客戶需求，進(jìn)一步改良DDR4仍有其必要性。其次，考慮到DRAM產(chǎn)品同質(zhì)性高、價(jià)格決定購買決策的產(chǎn)業(yè)特性，廠商降低制造成本的壓力持續(xù)存在。

在滿足消費(fèi)者需求，提升成本結(jié)構(gòu)并提高生產(chǎn)效率為導(dǎo)向的競爭策略之外，存儲廠商不斷改進(jìn)成熟產(chǎn)品的工藝，也是在一同對抗著存儲產(chǎn)業(yè)的周期。

由于供需失衡，存儲產(chǎn)品價(jià)格自2018年中進(jìn)入下行通道，這一態(tài)勢延續(xù)到2019年底。雖然DRAM現(xiàn)貨價(jià)格近期出現(xiàn)久違漲勢，下半年仍然承壓。

長期來看，隨著中國本土廠商在DRAM領(lǐng)域崛起，并進(jìn)一步對市場供求關(guān)系施加影響，韓系廠商原本就緊繃的神經(jīng)更是無法放松。

從頭部廠商當(dāng)前采取的策略來看，除了持續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn)1Znm、1alpha納米制程，EUV光刻技術(shù)的引入，成為今年存儲廠商改進(jìn)內(nèi)存產(chǎn)品的鮮明主線。EUV指極紫外光刻，EUV光刻設(shè)備能夠以更短時間刻畫出細(xì)微電路。三星表示，引入EUV不僅能夠提升存儲器的性能，也能使效率大幅提升。

在DRAM領(lǐng)域，三星率先跨入EUV世代。2020年3月，該公司成功開發(fā)了基于EUV光刻技術(shù)的第四代10納米級（1a）DRAM。三星還計(jì)劃在2020年下半年引入EUV光刻設(shè)備，量產(chǎn)第四代10納米級（1a）16Gb DDR5 DRAM。

三星電子副董事長李在勇最近飛往荷蘭拜訪EUV設(shè)備唯一生產(chǎn)商ASML，以確保EUV設(shè)備的安全。不僅是為了和臺積電搶奪先進(jìn)制程訂單，也是為了在DRAM領(lǐng)域升級工藝。

SK海力士計(jì)劃在2020年底之前完成無塵室的建設(shè)，并在2021年引進(jìn)EUV設(shè)備，以生產(chǎn)第四代10納米DRAM。

積極的一面是，市場預(yù)期，在存儲器工藝技術(shù)的拐點(diǎn)處，也就是DDR4向DDR5轉(zhuǎn)換之際，供應(yīng)將進(jìn)一步趨緊，這將有助于廠商改善營運(yùn)。

One More Thing

DDR4到DDR5的技術(shù)迭代還意味著什么？

在CPU等運(yùn)算半導(dǎo)體領(lǐng)域，臺積電和英特爾率先采用EUV；而在存儲器領(lǐng)域，三星開創(chuàng)了應(yīng)用EUV光刻設(shè)備的先河。三星在克服DRAM挑戰(zhàn)的同時獲取競爭優(yōu)勢，也在不斷地引領(lǐng)著行業(yè)突破極限。

2018年6月，三星電子副社長李圭弼在題為“半導(dǎo)體的技術(shù)沒有極限”的演講中指出：10年前大家都認(rèn)為DRAM技術(shù)將在2015年面臨極限，然而三星的團(tuán)隊(duì)卻克服了。如今存儲器即將借助EUV跨過10納米制程大關(guān)，真像是歷史的回響。

回到商業(yè)范疇，DRAM市場有著超高市場集中度，價(jià)格呈周期波動態(tài)勢，技術(shù)創(chuàng)新才是對抗周期的不二法門。與此同時，DRAM跨足EUV世代，NAND Flash 150層疊堆技術(shù)再升級……存儲廠商競合的商業(yè)戰(zhàn)爭之外，存儲技術(shù)的演進(jìn)也分外精彩。

封面圖片來源：SK 海力士