據韓國媒體報道，近日，三星宣布已在一條基于28納米FD-SOI工藝的生產線上，開始大規(guī)模生產和商業(yè)運輸嵌入式MRAM(eMRAM)解決方案。

MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器，能夠應用于通用微控制器(MCU)、物聯網、工業(yè)、消費類電子、汽車等，提升數據保存的能力。

報道指出，三星MRAM方案無需在數據記錄期間擦除數據，并實現了比傳統(tǒng)閃存快1000倍左右的寫入速度。三星表示，由于它在斷電時保存了存儲的數據，并且不使用額外的備用電源，所以功耗也很優(yōu)秀。

另外，這一方案結構簡單，可以通過在當前基于邏輯流程的設計中添加最少的層數來實現，減輕了三星進行新設計的負擔，并降低了生產成本。

隨著三星大規(guī)模量產首款商用MRAM產品，業(yè)界開始猜測，具有低成本、更優(yōu)速度和功率優(yōu)勢的MRAM是否會在未來取代DRAM與NAND，進而改變半導體產業(yè)格局？

集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)認為，MRAM在電信特性上與現有的DRAM與NAND相似，但互有優(yōu)劣。使用MRAM，需要改變平臺的架構，因此未來MRAM可能會取代部分DRAM/NAND成為另一種分支型態(tài)的存儲器解決方案，但不會完全取代DRAM/NAND。

此外，DRAMeXchange還看好MRAM與DRAM/NAND合作前景。一方面，MRAM與DRAM/NAND配合，可以取得省電以及性能的優(yōu)勢，另一方面，新的存儲器加入，也能夠避免原先存儲器解決方案若有大缺貨發(fā)生時的價格不穩(wěn)定狀況。

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