三星電子（Samsung Electronics）宣布開始量產(chǎn)全球首批基于eUFS 3.0的512GB手機儲存芯片，它的連續(xù)讀取速度達到每秒2,100MB，是1TB eUFS 2.1的2.1倍，為STAT固態(tài)硬盤（SSD）的4倍，更是尋常microSD卡的20倍。

聯(lián)合電子裝置技術協(xié)會（JEDEC）在去年1月公布了通用快閃存儲器UFS 3.0標準，每通道最高的傳輸速率為每秒11.6Gb，三星繼之于去年發(fā)表了嵌入式UFS（eUFS）解決方案，但直至二月底才宣布量產(chǎn)。

三星的512GB eUFS 3.0嵌入了8個第五代512Gb V-NAND芯片，亦整合了高效能控制器，提供每秒2100MB的連續(xù)讀取速度及每秒410MB的連續(xù)寫入速度，更勝今年1月量產(chǎn)的1TB eUFS 2.1模塊，該模塊的連續(xù)讀取速度為每秒1,000MB，連續(xù)寫入速度則是每秒260MB。

三星表示，以512GB eUFS 3.0傳送一部Full HD畫質(zhì)的電影到PC上大概只需3秒鐘，而它的寫入速度則與SSD相當。

除了在二月開始量產(chǎn)512GB及128GB的eUFS 3.0儲存芯片之外，三星亦預計于今年下半年開始生產(chǎn)1TB及256GB的eUFS 3.0芯片。

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