半導體封測大廠南茂今年可望受惠美系存儲器廠轉單效應，與紫光合作上海宏茂虧損可望收斂。法人估南茂今年業(yè)績可望成長1成，每股純益可超過新臺幣2元。

展望南茂今年整體營運，法人報告指出，南茂雖然可持續(xù)受惠面板驅動整合觸控單晶片（TDDI）封測價格調整；不過今年第1季存儲器價格下滑、市場終端需求趨緩，預估南茂今年第1季業(yè)績恐季減1成。

第2季開始預期美系存儲器客戶標準型動態(tài)隨機存取記體（DRAM）封測可持續(xù)放量，法人預估南茂第2季業(yè)績可望季增1成，訂單能見度最快可在5月之后明朗。

受惠中美貿易摩擦影響，法人指出美系存儲器廠商開始將部分封裝訂單轉移到南茂，包括部分DRAM和快閃存儲器（Flash）封裝訂單。

在中國大陸布局，南茂先前與中國紫光集團合資經(jīng)營孫公司上海宏茂，法人指出，目前上海宏茂晶圓來源主要來自客戶的NOR型快閃存儲器、紫光存儲的3D NAND訂單，以及小部分美系廠商快閃存儲器訂單。

法人預估上海宏茂今年虧損規(guī)?？赏諗浚A估南茂今年認列虧損可在1億人民幣之內。

展望今年，法人預估南茂今年整體業(yè)績可望年增1成，毛利率可超過19.2%，每股純益可超過新臺幣2元。

南茂先前預期，今年第1季業(yè)績可望符合季節(jié)性淡季表現(xiàn)落底，第2季開始可望逐季增溫，預估下半年業(yè)績表現(xiàn)走揚，主要在存儲器封裝出貨可明顯放量，今年下半年驅動IC封測產能可望填滿。

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