SK海力士成功開發(fā)出了層數(shù)最多的96層4D(四維)NAND閃存半導(dǎo)體。11月4日，SK海力士公司宣布，“公司將主要應(yīng)用于3D閃存的CTF結(jié)構(gòu)與PUC技術(shù)結(jié)合起來，在上月領(lǐng)先全球率先研發(fā)出96層512Gbit的4D NAND閃存半導(dǎo)體，計(jì)劃在今年年內(nèi)進(jìn)行第一批量產(chǎn)”。96層NAND閃存由世界排名第一的三星電子和排名第二的東芝半導(dǎo)體在今年下半年首次投入批量生產(chǎn)，是目前性能最強(qiáng)的NAND閃存半導(dǎo)體。 

SK海力士在去年4月研發(fā)出72層3D NAND閃存之后，用了短短1年半就攻克了96層半導(dǎo)體技術(shù)，這種半導(dǎo)體體積比現(xiàn)在的72層512Gbit 3D NAND閃存縮小了30%以上，可以搭載到智能手機(jī)移動(dòng)零部件之中，每張面板可以生產(chǎn)的記憶容量(bit)提升1.5倍，可同時(shí)處理的數(shù)據(jù)量更是提升一倍至業(yè)界最高水平的64KB，一個(gè)新的芯片產(chǎn)品可以取代2個(gè)原來的256Gbit 3D NAND閃存。SK海力士強(qiáng)調(diào)，“新芯片的讀寫能力分別比現(xiàn)在的72層產(chǎn)品提高了30%和25%”。 

SK海力士之所以自稱“全球首次”，是因?yàn)樵摴静煌谄渌雽?dǎo)體公司采用的2D NAND浮柵型閃存單元技術(shù)，而是將3D NAND使用的電荷擷取閃存(CTF，Charge Trap Flash)結(jié)構(gòu)與外圍電路(PUC，Peri Under Cell)構(gòu)造結(jié)合起來開發(fā)出了新的技術(shù)。PUC技術(shù)將用來驅(qū)動(dòng)晶胞的周邊電路堆疊在儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的晶胞陣列下方，相當(dāng)于將公寓樓(NAND閃存)所需要的停車場從公寓旁邊改建到了地下空間，以此方式提高空間使用效率。 

SK海力士計(jì)劃在上月于忠北清州市正式建成并啟動(dòng)的M15工廠批量生產(chǎn)新開發(fā)的96層4D NAND閃存半導(dǎo)體。 

SK海力士能否憑借新產(chǎn)品在競爭力相對弱勢的NAND閃存市場站穩(wěn)腳跟并爭取NAND閃存市場的主導(dǎo)權(quán)，倍加受人關(guān)注。SK海力士在全球D-RAM市場僅次于三星電子排名第二，但在NAND閃存市場卻以大約10%的份額之差排在三星電子、東芝、西部數(shù)據(jù)之后，排名第四。在去年SK海力士的銷售額中，NAND閃存所占比重保持在22%左右，而在今年上半年，這一比例下降到了18%。 

此外，隨著半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的供應(yīng)增加和需求停滯，NAND閃存半導(dǎo)體的價(jià)格在今年下降了9%以上，進(jìn)一步助推了“半導(dǎo)體危機(jī)論調(diào)”。SK海力士計(jì)劃通過擴(kuò)大新產(chǎn)品的供應(yīng)打破這樣的危機(jī)論調(diào)。 

SK海力士首先計(jì)劃在年內(nèi)推出搭載4D NAND閃存的1TB容量固態(tài)硬盤(SSD)。固態(tài)硬盤是一種利用NAND閃存半導(dǎo)體儲(chǔ)存信息的新一代大容量儲(chǔ)存設(shè)備。 

SK海力士公司常務(wù)金正泰(音，負(fù)責(zé)NAND市場營銷)表示，“給予CTF技術(shù)的96層4D NAND閃存擁有業(yè)界最頂級的性能和成本優(yōu)勢”，“我們還正利用相同技術(shù)研發(fā)新一代128層4D NAND閃存”。

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