隨著NAND Flash每GB價(jià)格下探0.1美元的甜蜜點(diǎn)后，包括固態(tài)硬盤(pán)（SSD）及智能手機(jī)的容量升級(jí)需求已被引爆，也導(dǎo)致全球NAND Flash原廠全力擴(kuò)產(chǎn)搶進(jìn)3D NAND市場(chǎng)。

雖然業(yè)界普遍認(rèn)為，隨著新產(chǎn)能開(kāi)出將導(dǎo)致NAND Flash價(jià)格持續(xù)下滑，但龐大的產(chǎn)能卻讓封測(cè)廠力成、華泰接單暢旺，并計(jì)劃擴(kuò)產(chǎn)以因應(yīng)明年強(qiáng)勁封測(cè)需求。

過(guò)去兩年因?yàn)樘幱?D NAND轉(zhuǎn)向3D NAND的產(chǎn)能切換空窗期，在NAND Flash晶圓供應(yīng)減少情況下，價(jià)格雖因此大幅調(diào)漲，但后段封測(cè)廠卻因客戶釋出的貨源不足，導(dǎo)致?tīng)I(yíng)收成長(zhǎng)動(dòng)能停滯。不過(guò)，隨著3D NAND轉(zhuǎn)換在下半年完成并進(jìn)入量產(chǎn)，在三星、東芝及西數(shù)、美光及英特爾等3D NAND產(chǎn)能占比已逾8成的情況下，NAND Flash產(chǎn)能大幅增加導(dǎo)致價(jià)格走跌，但也因此刺激出更多需求，對(duì)以量計(jì)價(jià)的封測(cè)廠來(lái)說(shuō)自然是件好事。

隨著NAND Flash每GB價(jià)格下探0.1美元的甜蜜點(diǎn)后，終端需求大爆發(fā)，包括智能手機(jī)搭載容量已朝向512GB前進(jìn)，SSD主流容量也由256GB跳升至512GB，且智能手機(jī)及SSD就占了NAND Flash市場(chǎng)需求的8成。為了搶攻容量倍增的強(qiáng)勁需求，上游原廠紛紛擴(kuò)大3D NAND產(chǎn)能因應(yīng)。

據(jù)業(yè)界消息，龍頭大廠三星的平澤Fab 18廠已經(jīng)進(jìn)入96層3D NAND量產(chǎn)階段，并決定興建西安廠二期工程。東芝及西數(shù)（WD）合資的Fab 6同樣進(jìn)入96層3D NAND量產(chǎn)，并已開(kāi)始著手規(guī)劃Fab 7興建計(jì)劃。SK海力士M15廠已經(jīng)在第三季開(kāi)始量產(chǎn)96層3D NAND。

至于美光及英特爾陣營(yíng)，英特爾大連廠二期工程已落成啟用，下半年已開(kāi)始量產(chǎn)96層3D NAND及3D XPoint存儲(chǔ)器，美光的Fab 10第三期工程也已進(jìn)入試產(chǎn)階段，明年第一季應(yīng)可開(kāi)始進(jìn)入96層3D NAND及3D XPoint存儲(chǔ)器量產(chǎn)。大陸紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江儲(chǔ)存明年正式跨入NAND Flash市場(chǎng)，將在明年下半年量產(chǎn)64層3D NAND。

在3D NAND新產(chǎn)能在下半年持續(xù)開(kāi)出下，力成及華泰已經(jīng)實(shí)質(zhì)受惠。力成第三季合并營(yíng)收新臺(tái)幣182.76億元?jiǎng)?chuàng)歷史新高，單季獲利新臺(tái)幣19.03億元亦改寫(xiě)8年來(lái)單季新高，每股凈利新臺(tái)幣2.45元，優(yōu)于市場(chǎng)預(yù)期。華泰因客戶釋出NAND Flash晶圓帶動(dòng)第三季營(yíng)收季增10.2%達(dá)新臺(tái)幣41.12億元，年增15.8%并為8季度來(lái)新高，法人看好單季由虧轉(zhuǎn)盈，第四季營(yíng)收及獲利仍有不錯(cuò)的成長(zhǎng)空間。

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