2018年各大NAND廠商都已經(jīng)大規(guī)模量產了64層堆棧的3D NAND閃存，以TLC閃存為主，下一代閃存的堆棧層數(shù)要繼續(xù)提升50%達到96層級別。三星今天宣布量產第五代V-NAND閃存，業(yè)界首發(fā)Toggle DDR 4.0接口，速率達到了1.4Gbps，堆棧層數(shù)超過90層。此外，三星還準備推出1Tb核心容量以及QLC結構的V-NAND閃存。

三星的V-NAND是3D NAND閃存中的一種，目前主力生產的是第四代V-NAND，堆棧層數(shù)64層，現(xiàn)在量產的是第五代V-NAND閃存，核心容量256Gb并不算高，但是各項指標很強大，它首發(fā)支持Toggle DDR 4.0接口，傳輸速度達到了1.4Gbps，相比64層堆棧的V-NAND閃存提升了40%。

第五代V-NAND閃存的性能、功耗也進一步優(yōu)化，工作電壓從1.8V降至1.2V，同時寫入速度也是目前最快的，只有500us，比上一代閃存提升了30%，讀取信號的響應時間也縮短到了50us。

三星的第五代V-NAND閃存內部堆棧了超過90層CTF Cell單元，是目前堆棧層數(shù)最高的，這些存儲單元通過微通道孔洞連接，每個孔洞只有幾百納米寬，總計包含超過850億個CTF單元，每個單元可以存儲三位數(shù)據(jù)（這是TLC閃存）。

此外，第五代V-NAND閃存在制造工藝上也做了優(yōu)化，制造生產效率提升了30%，先進的工藝使得每個閃存單元的高度降低了20%，減少了單位之間的竄擾，提高了數(shù)據(jù)處理的效率。

除了第五代V-NAND閃存之外，三星還在擴展V-NAND閃存，準備推出核心容量高達1Tb的NAND閃存及QLC類型的閃存，繼續(xù)推動下一代閃存發(fā)展。

三星目前正在加大第五代V-NAND閃存的量產，以便滿足高密度存儲領域——超算、企業(yè)服務器及移動市場的需求。

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