市場(chǎng)傳出存儲(chǔ)器龍頭韓國(guó)三星電子暫緩DRAM擴(kuò)產(chǎn)消息。據(jù)業(yè)界消息，三星因?yàn)橹瞥剔D(zhuǎn)進(jìn)1y納米后無法有效降低單位生產(chǎn)成本，原本第三季于韓國(guó)平澤廠（Pyeongtaek）東翼大樓（east wing）2樓擴(kuò)增每月3萬片DRAM產(chǎn)能的計(jì)劃已暫緩。法人預(yù)期下半年進(jìn)入旺季后，DRAM價(jià)格持續(xù)看漲到年底。

由于DRAM供給吃緊且價(jià)格持續(xù)調(diào)漲，包括三星、SK海力士、美光等三大廠都面臨來自客戶要求擴(kuò)產(chǎn)的強(qiáng)大壓力。不過，因?yàn)镈RAM制程由1x納米微縮到1y納米的技術(shù)難度高，在無法有效降低單位生產(chǎn)成本情況下，近期業(yè)界傳出三星暫緩擴(kuò)產(chǎn)消息。

DRAM制程由20納米往1x/1y納米微縮，不僅新產(chǎn)能的設(shè)備投資金額創(chuàng)下新高，但晶圓良率提升腳步緩慢，導(dǎo)致單位成本降幅明顯低于預(yù)期。外資分析師指出，在晶圓良率同樣在85%的假設(shè)下，三星1y納米8Gb DDR4單位成本僅比上一代1x納米減少約11%，也就是說，將1y納米DDR4良率低于80%，代表單位成本降幅將低于6%，若晶圓良率低于75%，1y納米與1x納米的DDR4成本幾乎相同，代表制程微縮失去意義。

三星今年初釋出將在平澤廠2樓擴(kuò)大DRAM產(chǎn)能計(jì)劃，包括在西翼樓2樓擴(kuò)充每月2萬片1x納米產(chǎn)能，在東翼樓2樓每月擴(kuò)充7萬片1y納米產(chǎn)能，其中東翼樓的產(chǎn)能建置包括第二季擴(kuò)增4萬片，第三季再擴(kuò)充3萬片。但因?yàn)?y納米的微縮難度比預(yù)期高，無法有效降低單位生產(chǎn)成本，所以第三季擴(kuò)增3萬片月產(chǎn)能計(jì)劃已暫緩，要等到良率明顯提升后才會(huì)重啟擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃。

集邦咨詢分析師點(diǎn)評(píng)：

集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)分析師認(rèn)為，各家普遍難度都比較高這是確定的現(xiàn)象，因此三星也決定要稍微延后平澤的投片也是確定的。然而，因?yàn)檠雍笸镀膕cale與全球capacity比較微小，所以對(duì)于2018各季度的價(jià)格預(yù)測(cè)并沒有重大改變，仍處于微幅供貨吃緊狀態(tài)。

如需獲取更多資訊，請(qǐng)關(guān)注全球半導(dǎo)體觀察官網(wǎng)（www.0318hs.cn）或搜索微信公眾賬號(hào)（全球半導(dǎo)體觀察）。