群聯為因應智能移動存儲市場進入128GB、甚至是256GB的大容量等級需求，群聯27日正式宣布eMMC/eMCP/UFS控制芯片將全系列支持美光64層3D NAND Flash，亦已準備次世代96層技術研發(fā)，不但協助客戶在智能移動設備市場擴大產品戰(zhàn)線，亦為客戶卡位車聯網商機作好準備。

2018年全球移動通訊大會(MWC)登場，應用于智能手機的AI運算、AR虛擬應用、身份識別、GIF貼圖、4K HDR影片錄制以及環(huán)繞音場等創(chuàng)新功能成為各大國際手機廠發(fā)表新機之亮點，為能滿足這些多媒體功能存儲需求，今年度的智能新機之內嵌式存儲器容量全面躍升至128GB、甚至是256GB的儲存容量等級。

從各國際品牌手機廠2018年將推出的旗艦機種來看，非蘋陣營的國際智能新機之內嵌式存儲器eMMC/eMCP的儲存容量規(guī)格提升至128GB，至于全球前兩大智能手機廠主攻的旗艦新機則不約而同皆搭載256GB的UFS內嵌式存儲器，除了為2018年智能新機大容量存儲規(guī)格賽正式鳴槍開跑，亦同步宣告64層甚至更高層數的3D NAND Flash技術正式接棒成為快閃存儲器的主流制程。

群聯表示，從快閃存儲器技術演進來看，當容量需求快速增加，甚至是倍增之時，2D的平面生產技術已不能滿足終端應用之需求。就2D的NAND Flash之限縮每個儲存單位、同時增加同一層存儲密度的微縮技術已逐漸接近物理極限，因此導致最高容量大多停留在128Gb(16GB)之容量水準。至于3D 之NAND Flash技術，則透過垂直立體堆疊存儲單元的方式，突破容量上限的瓶頸，其最高容量將可倍增至256Gb(32GB)，并可提升讀寫信息的效能。

有鑒于市場應用，再依據目前各大國際快閃存儲器制造大廠的3D NAND Flash制程演進來看，群聯電子看好，64層的3D NAND Flash將為今年最大宗的主流技術，因此除了領先同業(yè)推出的可支援該制程技術的高速UFS控制芯片PS8313之外，包括既有熱賣的eMMC/eMCP PS8226等全系列控制芯片皆同步支持東芝陣營及美光陣營的64層3D NAND Flash，另方面，進一步支持次世代的96層3D NAND Flash之先進制程技術的控制芯片亦有望在年底接棒推出，力求以全方面且長期完整的產品規(guī)劃滿足移動移動設備、車聯網等客戶擴大全球市場布局之需求。

如需獲取更多資訊，請關注全球半導體觀察官網（www.0318hs.cn）或搜索微信公眾賬號（全球半導體觀察）。