2月20日，三星電子在官網(wǎng)宣布，該公司旗下的超大容量SAS固態(tài)硬盤已經(jīng)進(jìn)入量產(chǎn)狀態(tài)，該硬盤的型號(hào)為PM1643，其容量高達(dá)30.72 TB。

三星方面表示，這款硬盤是為下一代企業(yè)存儲(chǔ)系統(tǒng)而研發(fā)。它采用了三星最新的V-NAND技術(shù)，將32個(gè)1TB的NAND Flash存儲(chǔ)器結(jié)合在一起；而每一個(gè)NAND Flash存儲(chǔ)器都采用了16個(gè)V-NAND芯片堆層。由此，這款硬盤可以存儲(chǔ)5700部5GB的高清電影，而它的尺寸只有2.5英寸那么大。

除了容量上的提升，PM1643的傳輸表現(xiàn)也有重大提升，幾乎是三星上一代超大容量SAS固態(tài)硬盤的兩倍?；?2Gb/s SAS接口，PM1643磁盤的隨機(jī)讀取速度和寫入速度分別達(dá)到了400000 IOPS和50000 IOPS，連續(xù)讀取速度達(dá)到2100MB/s和1700 MB/s；隨機(jī)讀取性能是傳統(tǒng)2.5英寸SATA SSD的4倍，而連續(xù)讀取性能是前者的3倍。

為了實(shí)現(xiàn)上述成果，三星在控制器、DRAM打包和協(xié)同軟件的設(shè)計(jì)方面進(jìn)行了努力。

其中，PM1643采用了一個(gè)高效的控制器架構(gòu)，它將9個(gè)上一代大容量固態(tài)硬盤所采用的控制器打包成一個(gè)；另外，它還采用了Through Silicon Via(TSV)技術(shù)，能夠互聯(lián)多個(gè)8Gb DDR4芯片，創(chuàng)建共計(jì)10個(gè)4GB TSV DRAM封裝，共計(jì)達(dá)到40GB的DRAM。這是TSV-DRAM技術(shù)第一次被應(yīng)用于固態(tài)硬盤。當(dāng)然在軟件方面，這款固態(tài)硬盤也提供了數(shù)據(jù)恢復(fù)、斷電保護(hù)等功能。

三星在今年1月份就已經(jīng)開始了這款30.72TB SSD的初始量產(chǎn)，并將會(huì)在今年晚些時(shí)候?qū)a(chǎn)品線擴(kuò)展到15.36TB、7.68TB、3.84TB、1.92TB、960GB、800GB等版本。

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