存儲器大廠美光(Micron)日前在英國倫敦的舉行的A3 Technology Live Conference上，揭露了許多新產(chǎn)品的發(fā)展計劃。其中之一就是將在2018年正式推出QLC快閃存儲器，預(yù)計新推出的QLC快閃存儲器將會針對資料中心的超大存儲需求而來，并且將沖擊當(dāng)前為使用大宗的TLC快閃存儲器與傳統(tǒng)HDD硬盤的市場。

由于QLC快閃存儲器每單位可存儲4字位，相較當(dāng)前的TLC快閃存儲器的每單位存儲3字位的容量，就足足增加了增加了1/3。換句話說，一個6TB TLC SSD如果采用QLC技術(shù)的話，就會搖身一變成為一個8TB QLC SSD，因此具有成本及使用效益上的優(yōu)勢。不過，因為QLC快閃存儲器比TLC快閃存儲器的工作壽命要更短一些。所以，被認(rèn)為更適合用于讀寫密集型的應(yīng)用上。因此，在大型資料中心這一類必須密集讀寫應(yīng)用的市場，QLC快閃存儲器就比TLC快閃存儲器更具優(yōu)勢。

美光指出，2018年將推出的SSD產(chǎn)品組合中，QLC快閃存儲器將采用3D NAND及SATA介面，這款QLC快閃存儲器的SSD產(chǎn)品將具有一系列針對超大資料中心使用而優(yōu)化的功能，以進(jìn)一步搶食7,200rpm傳統(tǒng)HDD硬盤的市場。而在現(xiàn)場，美光還展示了一款QLC快閃存儲器的晶圓，其晶圓內(nèi)具有64GB QLC芯片。

美光進(jìn)一步指出，企業(yè)客戶和消費(fèi)者進(jìn)入專用SSD控制介面的NVMe SSD時代即將來臨。這些SSD控制介面的讀寫速度約在100μs的延遲，而這樣的速度要快于同類SAS或SATA介面SSD的約150μs延遲。因此，新推出以QLC快閃存儲器為主的SSD，在客戶端版本上將使用PCIe 3.0 x4通道，除了可以保持客戶需要的高速度讀寫效能，并提供TCG Opal v2.0和Pyrite安全性。

目前，Toshiba已經(jīng)于2017年率先宣布導(dǎo)入QLC快閃存儲器的應(yīng)用。其他包括三星、SK海力士、WDC也都在開發(fā)QLC快閃存儲器，而美光的QLC快閃存儲器則將會在2018年正式上市。另外，美光還表示，未來將推出當(dāng)前企業(yè)和資料中心存儲規(guī)格（EDSFF）的“Ruler”SSD，就像與其合作伙伴英特爾(INTEL)所推出的SSD一樣。

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