三星看好半導(dǎo)體景氣持續(xù)往上走，周二宣布未來(lái)四年將砸下逾20萬(wàn)億韓元，或相當(dāng)于190億美元投資旗下半導(dǎo)體事業(yè)。

三星兩年前耗資15.6萬(wàn)億韓元在韓國(guó)平澤市打造新存儲(chǔ)器廠，新廠當(dāng)日才剛正式投產(chǎn)，三星已計(jì)劃2021年內(nèi)再額外投入14.4萬(wàn)億韓元（125億美元）擴(kuò)廠。（美聯(lián)社）

三星還計(jì)劃投資位于華城的存儲(chǔ)器園區(qū)6萬(wàn)億韓元。與此同時(shí)，三星也考慮增加中國(guó)西安半導(dǎo)體廠的產(chǎn)能。產(chǎn)業(yè)資訊顯示，3D NAND快閃存儲(chǔ)器占三星快閃存儲(chǔ)器出貨比重，去年第四季已超過(guò)八成，今年底預(yù)估將超越九成。

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