韓國科技大廠三星20日宣布，已經(jīng)開始量產(chǎn)第二代的1y納米制程的DRAM產(chǎn)品。三星表示，該項DRAM產(chǎn)品為8Gb的DDR4 DRAM第二代產(chǎn)品。相較于上一代產(chǎn)品來說，新的8Gb DDR4具有8Gb DRAM存儲器中最高的性能和耗能效率，另外還有更小的面積尺寸。

三星進一步指出，透過開發(fā)DRAM的電路設(shè)計和制程技術(shù)創(chuàng)新，三星已經(jīng)突破了DRAM擴展性的主要障礙。透過第二代1y納米制程生產(chǎn)的DRAM快速成長，三星將更加積極地擴展整體的1y納米制程的DRAM產(chǎn)品產(chǎn)能，以因應(yīng)強勁的市場需求，并繼續(xù)加強三星的業(yè)務(wù)競爭力。

據(jù)了解，三星的第二代1y納米制程所生產(chǎn)的8Gb DDR4，比第一代1y納米制程的8Gb DDR4 DRAM在生產(chǎn)效率上提高了近30%。此外，由于采用了先進的專有電路設(shè)計技術(shù)，新的8Gb DDR4的性能水準和功耗分別提高了約10%和15%。另外，新的8Gb DDR4每個引腳可以以每秒3,600 Mbps的速度運行，比第一代1y納米制程的8Gb DDR4 DRAM的3,200 Mbps速度，提升了超過10%。

三星進一步表示，為了達成這些成績，三星應(yīng)用了新技術(shù)，包括了使用高靈敏度的細胞數(shù)據(jù)傳感系統(tǒng)和漸進的“空氣間隔”方案，但是并沒有使用EUV技術(shù)。而在第二代1y納米制程所生產(chǎn)的8Gb DDR4的每個單元中，新設(shè)計的數(shù)據(jù)傳感系統(tǒng)可以更準確地確定每個單元中儲存的數(shù)據(jù)，進而顯著提高電路整合度和制造效率。

目前在全球DRAM三大廠中，包括三星及美光都在2016年陸續(xù)導(dǎo)入10納米等級制程，而SK海力士則是到2017年中之后才開始逐步進入10納米等級制程。不過，根據(jù)之前所傳出的消息，三星與美光兩家公司在導(dǎo)入10納米等級制程的過程并不順利，都先后出現(xiàn)過相關(guān)產(chǎn)品有瑕疵而召回的情況，而這也是自2016年中以來DRAM市場一直供不應(yīng)求、價格節(jié)節(jié)攀升的原因之一。如今，在三星第二代10納米等級制程的DRAM產(chǎn)品量產(chǎn)下，是否能逐步滿足市場的需求，業(yè)界人士都在密切關(guān)注著。

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