Thomson Reuters 27日報導，摩根士丹利(Morgan Stanley,大摩)26日以明年存儲器芯片獲利恐難顯著成長為由，將三星電子公司投資評等自“加碼”降至“中性權重”、目標價下修3.4%至280萬韓元。大摩指出，隨著NAND型快閃存儲器報價在2017年第4季開始反轉、下行風險隨之升高；在此同時，2018年第1季以后的DRAM供需能見度也已降低。

三星電子10月表示，2018年DRAM、NAND型快閃存儲器供需預估將持續(xù)呈現吃緊。三星電子27日盤中下跌4.2%、創(chuàng)一年多以來最大跌幅。三星競爭對手SK Hynix一度下跌3.6%、創(chuàng)10月底以來最大跌幅。

SK Hynix下跌2.35%、報83,100韓元；開盤迄今最低跌至82,000韓元、創(chuàng)11月20日以來新低。

美國存儲器大廠美光科技(Micron Technology Inc., MU.US)11月24日上漲1.10%、收49.68美元，創(chuàng)2000年9月27日以來收盤新高；今年迄今大漲126.64%。

美光將在2017年12月19日公布2018會計年度第1季財報。新聞稿顯示，美光的存儲器與儲存解決方案協助推動人工智能(AI)、機器學習以及自主駕駛車等顛覆性趨勢。

CNBC 11月10日報導，CM Research研究經理Cyrus Mewawalla表示全球存儲器芯片短缺現象至少會延續(xù)至2018年底，主因為DRAM、NAND型快閃存儲器需求來自AI、增強現實等新且強大的科技循環(huán)。例如，美光芯片被用來驅動自駕車、協助汽車系統(tǒng)偵測路面狀況。

英特爾(INTC.US)、美光科技11月13日宣布，IM Flash B60晶圓廠已完成擴建工程。新聞稿指出，規(guī)模擴大后的晶圓廠將生產3D XPoint存儲器媒體。成立于2006年的IM Flash合資企業(yè)替英特爾與美光生產非揮發(fā)性存儲器。

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