三星電子NAND Flash技術(shù)再升級，9日宣布研發(fā)出容量達1Tb(terabit)的3D NAND芯片，預(yù)計明年問世。

Pulse、ZDNet、韓聯(lián)社報導(dǎo)，三星研發(fā)1Tb的V-NAND芯片(即垂直堆疊的3D NAND)，容量是當前最大存儲器512Gb(gigabit)的兩倍。三星將結(jié)合16個1Tb的die，構(gòu)成一組3D NAND組，每組存儲器容量可達2TB(terabyte)。三星宣稱，該技術(shù)是過去十年來存儲器的最大進展之一。

1Tb相當于126GB，能夠儲存60部兩小時的高畫質(zhì)電影。三星表示，許多產(chǎn)業(yè)發(fā)展人工智能和物聯(lián)網(wǎng)，數(shù)據(jù)密集的應(yīng)用程序大增，F(xiàn)lash存儲器扮演關(guān)鍵角色，可以加快資料抽取速度，以供即時分析。

不只如此，三星也秀出NGSFF固態(tài)硬盤(Next Generation Small Form Factor SSD)，將取代當前的M.2 SSD規(guī)格。三星表示NGSFF容量為前代的四倍，將于今年第四季量產(chǎn)。

三星去年發(fā)布Z-SSD技術(shù)，現(xiàn)在首度發(fā)表采用此一技術(shù)的SZ985固態(tài)硬盤，宣稱可用于數(shù)據(jù)中心和企業(yè)系統(tǒng)，處理大數(shù)據(jù)分析等數(shù)據(jù)密集作業(yè)。Z-SSD讀取延遲時間為15微秒，大約是NVME固態(tài)硬盤的1/7。

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