看好DRAM、NAND型快閃存儲器的發(fā)展，三星電子(Samsung Electronics Co.)、SK海力士(SK hynix Inc.)傳出今(2017)年的投資額，將刷新歷史新高紀錄。

韓聯(lián)社2日報導(dǎo)，消息顯示，三星、SK海力士今年的投資額將高達30萬億韓元(相當于267億美元)。其中，三星已在上半年對設(shè)備投資了12.5萬億韓元，直逼去年一整年的投資額度13.1萬億韓元；專家估計，三星今年的投資總額或許會攀升至20萬億韓元，而V-NAND型快閃存儲器、影像傳感器和晶圓代工業(yè)務(wù)將是投資重點。

SK海力士也決定在今年對設(shè)備投資9.6萬億韓元，希望能擴充DRAM和NAND型快閃存儲器產(chǎn)能，比稍早預(yù)定的7萬億韓元還要高出一些。SK海力士一名主管說，這些投資旨在滿足市場對DRAM、NAND型快閃存儲器日益增多的需求，另外也是為長遠的未來做打算。

不少人擔憂，三星、SK海力士投資大增，恐怕會讓產(chǎn)能過剩，最終導(dǎo)致供給過多、報價下滑。美國存儲器大廠美光(Micron Technology)最近就因為市場憂心供需失衡，股價連番下挫，自7月24日起跌迄今，股價已重挫逾11%。

不過，barron`s.com 1日引述TheFlyontheWall報導(dǎo)，美系外資分析師Christopher Danely發(fā)表研究報告指出，美光股價近來雖因市場擔憂存儲器產(chǎn)能過多而下滑，但今年增加的DRAM資本支出(從89億美元上升至99億美元)其實并不多，不致于會導(dǎo)致產(chǎn)業(yè)景氣降溫。

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