三星為攀上全球半導(dǎo)體龍頭，不惜砸重金拼了，傳今年資本支出將大幅加碼逾十萬(wàn)億韓元。

新韓投資（Shinhan Investment Corp）日前發(fā)布報(bào)告預(yù)測(cè)，三星今年半導(dǎo)體資本支出將擴(kuò)增至 24.5 萬(wàn)億韓元（約 219.5 億美元），較 2016 年成長(zhǎng) 85.6%，且將超越 2015 年的 14.7 萬(wàn)億韓元成為三星史上新高。（businesskorea.co.kr）

存儲(chǔ)器目前供不應(yīng)求，也是三星今年布局的重點(diǎn)，預(yù)料將占據(jù)資本支出的一半左右。據(jù)新韓分析師預(yù)測(cè)，光是 NAND 快閃存儲(chǔ)器，三星就將砸下 12.05 萬(wàn)億韓元（約 108 億美元），非存儲(chǔ)器部門（包含晶圓代工）則占 8 萬(wàn)億韓元。

三星 NAND 快閃存儲(chǔ)器量產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)先，分析師看好三星借由新增投資，可趁機(jī)擴(kuò)大市占率。集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心（DRAMeXchange）數(shù)據(jù)顯示，三星 2016 年第四季 NAND 存儲(chǔ)器營(yíng)收市占達(dá) 37.1%，遙遙領(lǐng)先第二名東芝的 18.3%。