三星電子的韓國華城廠(Hwaseong)即將擴產(chǎn)的傳聞延燒許久。最新消息顯示，三星決定投資3萬億韓元(約26.4億美元)提升DRAM產(chǎn)能。不過由于未來11線不再生產(chǎn)DRAM，產(chǎn)能一增一減之下，應(yīng)該不至于沖擊DRAM供給。

韓媒etnews 2日報導(dǎo)，業(yè)界消息指出，三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)部門將擴充華城廠17線的DRAM產(chǎn)能，生產(chǎn)10納米等級的DRAM。三星已告知設(shè)備廠擴產(chǎn)計劃，并在三月份向部分業(yè)者下單，估計投資金額約為2.5萬億~3萬億韓元，完工后每月增產(chǎn)3.5萬片300公厘的硅晶圓，預(yù)定今年下半初步生產(chǎn)。

三星華城廠為綜合晶圓廠，17線生產(chǎn)DRAM、11線生產(chǎn)圖像傳感器和DRAM、16-2線生產(chǎn)3D NAND Flash、S3線生產(chǎn)10納米系統(tǒng)半導(dǎo)體。

如今11線將轉(zhuǎn)為全數(shù)生產(chǎn)圖像傳感器CMOS和CIS，不再生產(chǎn)DRAM。三星為了彌補產(chǎn)能損失，決定擴大17線的DRAM產(chǎn)能。相關(guān)人士表示，此一投資是為了彌補11線產(chǎn)能縮減和制程微縮損失，對DRAM供需幾乎沒有影響。

華城廠投資全數(shù)落實后，廠內(nèi)不再有多余空間，三星計劃在17線旁的停車場，另蓋新廠，考慮用于生產(chǎn)7納米的系統(tǒng)半導(dǎo)體。

在此之前，韓媒不斷猜測華城廠擴產(chǎn)的目的。

韓國先驅(qū)報三月份報導(dǎo)，半導(dǎo)體界透露，三星正在評估年度投資計劃，有意在韓國華城(Hwaseong)的17號廠內(nèi)部增加產(chǎn)線，并在17號廠旁邊另蓋新工廠。外界對于新產(chǎn)能用途看法不一，有人認(rèn)為三星會增產(chǎn)DRAM、也有人說要生產(chǎn)系統(tǒng)半導(dǎo)體。

三星發(fā)言人表示，目前為時過早，無法確認(rèn)投資計劃和新產(chǎn)線用途，詳細(xì)內(nèi)容敲定后，會在三月底或四月初宣布。

各方看法不一，可能由于華城廠產(chǎn)線多元，17號廠興建之初只生產(chǎn)系統(tǒng)芯片，但是三星兩度擴建17號廠，增加了DRAM和3D NAND產(chǎn)線，這次擴產(chǎn)目的難以判斷。有人猜測，17廠內(nèi)部的新增產(chǎn)線可能用于生產(chǎn)10納米系統(tǒng)芯片、新工廠則生產(chǎn)7納米系統(tǒng)芯片。