《韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)導(dǎo)，傳三星電子(Samsung Electronics)已在磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)取得重大進(jìn)展，市場(chǎng)估計(jì)在5月24日的一場(chǎng)晶圓廠商論壇上，三星電子將會(huì)發(fā)布該公司所研發(fā)的MRAM存儲(chǔ)器。

由于標(biāo)準(zhǔn)型存儲(chǔ)器DRAM、NAND Flash等微縮制程已逼近極限，目前全球半導(dǎo)體巨擘皆正大舉發(fā)展次世代存儲(chǔ)器“磁電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)”，與含3D XPoint技術(shù)的“相變化存儲(chǔ)器(PRAM)”及“電阻式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RRAM)”。

上述三類次世代存儲(chǔ)器皆具有非揮發(fā)性存儲(chǔ)器技術(shù)，兼具高效能及低耗電之特性，估計(jì)這類次世代存儲(chǔ)器處理速度，將比一般閃存存儲(chǔ)器還要快上十萬(wàn)倍。

目前三星電子正大力發(fā)展MRAM存儲(chǔ)器，而另一半導(dǎo)體巨擘英特爾(INTC-US)則是強(qiáng)攻含3D XPoint技術(shù)的PRAM型存儲(chǔ)器。

全球最大半導(dǎo)體代工廠臺(tái)積電亦曾在4月13日對(duì)外說明，臺(tái)積電絕對(duì)不會(huì)踏入標(biāo)準(zhǔn)型存儲(chǔ)器領(lǐng)域，因?yàn)榕_(tái)積電目前已具備“量產(chǎn)”MRAM及電阻式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RRAM)等新型存儲(chǔ)器之技術(shù)。

據(jù)韓國(guó)半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)人士透露，全球半導(dǎo)體巨擘正在次世代存儲(chǔ)器市場(chǎng)內(nèi)強(qiáng)力競(jìng)爭(zhēng)，這很可能將全面改變半導(dǎo)體市場(chǎng)的發(fā)展前景，并成為未來半導(dǎo)體代工的主要業(yè)務(wù)之一。

《韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》表示，磁電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)、相變化存儲(chǔ)器(PRAM)、電阻式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RRAM)等三大次世代存儲(chǔ)器中，又以MRAM的處理速度最快，但也是最難量產(chǎn)的存儲(chǔ)器類型。

據(jù)了解，目前歐洲最大半導(dǎo)體商恩智浦半導(dǎo)體(NXPI-US)已經(jīng)決定采用三星電子的MRAM存儲(chǔ)器，以應(yīng)用在相關(guān)的物聯(lián)網(wǎng)裝置之上。