在DRAM(Dynamic Random Access Memory，動態(tài)隨機存取存儲器)以及NAND Flash快閃存儲器兩大存儲器的價格居高不下的影響下，今年全球半導(dǎo)體市場營業(yè)額將大幅成長，超越先前的預(yù)測值。

預(yù)估今年全球半導(dǎo)體市場的營業(yè)額，將調(diào)高為3850億美元，較2016年的3450億美元成長11.6%。

今年半導(dǎo)體市場出乎意料之外的大幅成長，主要是受惠存儲器價格持續(xù)上漲，預(yù)估今年DRAM及NAND Flash的價格將持續(xù)上漲，居高不下，使其營業(yè)額較去年成長約3成左右。

存儲器營業(yè)額的上揚，帶動半導(dǎo)體營業(yè)額大幅成長，若屏除DRAM及NAND Flash的營業(yè)額，則2017年全球半導(dǎo)體營業(yè)額的成長幅度會下降到6%。

DRAM及NAND Flash制程進入20納米后，挺進10納米級的技術(shù)瓶頸很高，不若非存儲器制程，由14/16納米、10納米、7納米持續(xù)一路挺進。

一般認為DRAM及NAND Flash最先進的制程，僅能在10-20納米間。由于制程進步不像以往的經(jīng)驗，每片晶圓產(chǎn)生的晶粒數(shù)目無法快速增加，供給方面受到壓抑。由制程進步導(dǎo)致產(chǎn)量增加的效應(yīng)已失去以往的光環(huán)。

近年來DRAM沒有新的產(chǎn)能開出，而NAND Flash方面所增加的新產(chǎn)能也很有限。需求方面，移動通信設(shè)備持續(xù)快速發(fā)展，智能手機普及率一路攀高，人工智能、云端運算等應(yīng)用，使DRAM及NAND Flash的需求不斷上升。

從去年起DRAM及NAND Flash就處于供不應(yīng)求的狀態(tài)，今年市況持續(xù)熱絡(luò)，預(yù)估可能到明年方能舒解供需失調(diào)的狀況。

今年全球DRAM營業(yè)額將創(chuàng)歷史新高，預(yù)估可達520億美元，較2016年的410億美元，成長26.8%。NAND Flash的表現(xiàn)也不遑多讓，預(yù)估今年全球NAND Flash的營業(yè)額可達460億美元，較2016年的370億美元，成長24.3%。

從應(yīng)用面來看，智能手機是半導(dǎo)體最大的應(yīng)用市場，雖然智能手機已邁入市場成熟期，然而每年的出貨量仍能維持小幅成長。

由于智能手機上使用不少的NAND Flash及DRAM，在存儲器價格上漲的效應(yīng)下，用于智能手機的半導(dǎo)體將有較大的成長幅度。

預(yù)估今年半導(dǎo)體在智能手機的應(yīng)用市場營業(yè)額可達790億美元，占整體半導(dǎo)體市場的20.5%，較2016年的700億美元，成長12.8%。

智能手機之所以能夠成為半導(dǎo)體的最大應(yīng)用市場，主要是因為它龐大的出貨量。預(yù)估今年全球智能手機的出貨量，將可達14.2億支，較2016年的13.5億支，成長5.2%。

雖然智能手機已進入市場成熟期，然而它仍舊可以維持持續(xù)成長，主要的原因，除了科技持續(xù)進步吸引消費者更換手機外，新興市場(如印度)仍有不小幅度的成長空間。

展望未來，半導(dǎo)體市場仍可持續(xù)成長，不過沒有像今年的激情，只能有個位數(shù)的成長。預(yù)估2018年，全球半導(dǎo)體營業(yè)額將可突破4000億美元大關(guān)，成長5.2%，達4050億美元。

注：本文作者為微驅(qū)科技總經(jīng)理吳金榮