韓國(guó)科技大廠三星電子于29日宣布，已經(jīng)開(kāi)始大規(guī)模量產(chǎn)以第2代10納米（nm）FinFET制程技術(shù)（10LPP）為基礎(chǔ)的單芯片系統(tǒng)（SoC）產(chǎn)品，其搭配該單芯片系統(tǒng)的電子產(chǎn)品，也預(yù)計(jì)將在2018年首季問(wèn)市。

三星表示，針對(duì)低功號(hào)產(chǎn)品所研發(fā)的第2代10納米（nm）FinFET制程技術(shù)（10LPP），相較于第1代10納米（nm）FinFET制程技術(shù)（10LPE），10LPP的制程可使性能提高10%，功耗降低15%。而且，由于該制程是延續(xù)于已經(jīng)量產(chǎn)中的10LPE制程，所以將可以大幅縮短從開(kāi)發(fā)到大量生產(chǎn)的準(zhǔn)備時(shí)間，并提供更高的初期生產(chǎn)良率，因此更具有市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

三星進(jìn)一步表示，采用10LPP制程技術(shù)制造的單芯片系統(tǒng)產(chǎn)品，預(yù)計(jì)將于2018年首季推出相關(guān)的電子產(chǎn)品。三星電子代工市場(chǎng)行銷副總裁Ryan Lee表示，透過(guò)從10LPE制程向10LPP制程的邁進(jìn)，三星將能夠更好地為客戶提供服務(wù)，同時(shí)提高性能，提高初期產(chǎn)量。

另外，三星還同時(shí)宣布，位于韓國(guó)華城的最新S3生產(chǎn)線，目前正準(zhǔn)備加速生產(chǎn)10納米及其以下制程技術(shù)。S3是三星晶圓代工業(yè)務(wù)的第3座晶圓廠，其它2座分別是位于韓國(guó)京畿道的器興（Giheung）的S1，以及位于美國(guó)奧斯汀的S2。根據(jù)規(guī)劃，三星的7納米FinFET制程技術(shù)與EUV（Extreme Ultra Violet）技術(shù)也預(yù)計(jì)將在S3晶圓廠中于2018年開(kāi)始大量生產(chǎn)。

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