三星電子垂涎晶圓代工市場，力拼踢掉聯(lián)電，晉身晶圓代工二哥。眼看當(dāng)前半導(dǎo)體市況熱翻天，該公司決定提前興建韓國華城的18號線，提高競爭力搶單。

韓媒BusinessKorea 19日報導(dǎo)，三星華城廠的18號線原定明年動工，如今三星決定提前至今年11月破土。18號線的建筑面積為40,536平方公尺(約1.2萬坪)，總樓面面積為298,114平方公尺(約9萬坪)。投資金額為6萬億韓元(54億美元)，預(yù)定2019年下半完工，生產(chǎn)存儲器以外的半導(dǎo)體產(chǎn)品。

華城廠為綜合晶圓廠，生產(chǎn)DRAM、3D NAND flash、系統(tǒng)半導(dǎo)體等。18線將裝設(shè)數(shù)十臺先進晶圓代工所需的極紫外光(EUV)微影機臺。三星提前施工，顯示該公司有意強化晶圓代工競爭力。三星今年把晶圓代工部門獨立出來，大舉投資，并放話搶市。

路透社7月25日報導(dǎo)，韓國三星電子副社長、擔(dān)任5月份新設(shè)立的晶圓代工事業(yè)部負(fù)責(zé)人的E.S. Jung 24日接受專訪時表示，除了大型企業(yè)之外、也將搶攻中小型客戶，目標(biāo)在5年以內(nèi)將晶圓代工市占率擴增至現(xiàn)行的3倍、提高至25%的水準(zhǔn)。Jung指出，“希望能成為晶圓代工市場上強大的第2把交椅”。

BusinessKorea、Korea Economic Daily、韓聯(lián)社報導(dǎo)，三星晶圓代工共有三個廠區(qū)，S1廠在韓國器興(Giheung)、S2廠在美國德州奧斯汀、S3在韓國華城(Hwaseong)。S3預(yù)定今年底啟用，將生產(chǎn)7、8、10納米制程晶圓。

去年底數(shù)據(jù)顯示，全球晶圓代工龍頭是臺積電、聯(lián)電排名第二、美國格羅方德(Global Foundry)名列第三、三星電子雖是小四，但是正急起直追。數(shù)據(jù)顯示，2016年三星晶圓代工營收為45.18億美元，較2015年大增78.6%。

韓媒The Investor 6月27日報導(dǎo)，6月三星電子將斥資10億美元投資德州奧斯汀廠，該廠房負(fù)責(zé)制造用于移動設(shè)備的系統(tǒng)單芯片(SoC)等。PhoneArena消息顯示，奧斯汀廠是蘋果A系列處理器的重要生產(chǎn)基地。

三星同時公布了晶圓代工的發(fā)展路徑，當(dāng)前主力為第二代10納米Fin FET，今年準(zhǔn)備進一步研發(fā)8納米，2018年進入7納米，2020年轉(zhuǎn)入4納米。據(jù)傳三星將跳級研發(fā)6納米制程，預(yù)定2019年量產(chǎn)。

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