這家芯片封裝公司將出售
美光先進制程進展曝光
國際大廠光刻膠漲價？
存儲市場部分產(chǎn)品缺貨？
半導(dǎo)體項目新動態(tài)

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這家芯片封裝公司將出售

12月12日，富士通公告稱，將以6849億日元（約合人民幣345億元）價格將其旗下的芯片封裝子公司Shinko Electric Industries（新光電氣）出售給日本投資公司JIC牽頭的財團，該財團包括大日本印刷（Dai Nippon Printing）和三井化學(xué)。與此同時，新光電氣也表示支持，并建議股東接受該要約。

JIC表示，在獲得日本和海外必要的監(jiān)管批準后，將在2024年8月下旬對富士通未持有的股份發(fā)起要約收購，每股價格為5920日元，目標取得富士通未持有的49.98%股權(quán)，收購額約3998億日元。

股東方面，富士通將持有的新光電氣股權(quán)（50.02%）以2851億日元的價格出售給新光電氣，而新光電工取得上述富士通持股的資金會由JIC提供。最后JIC對新光電氣的出資比重將達80%、DNP為15%、三井化學(xué)為5%...詳情請點擊《345億元，這家芯片封裝公司將出售，多方考慮競購》

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美光先進制程進展

近期，美光對外透露了先進DRAM技術(shù)進展。日媒報道，12月13日美光日本法人高層Joshua Lee對外表示，美光日本廣島工廠將在2025年生產(chǎn)最先進存儲器1γ DRAM。Joshua Lee指出，美光將成為第一家將EUV（極紫外光）光刻機導(dǎo)入日本的半導(dǎo)體企業(yè)。此外，美光還計劃在廣島工廠生產(chǎn)生成式AI用HBM。

稍早之前，美光還對外透露，1α與1β DRAM以及176、232層NAND Flash占據(jù)位元出貨主力，美光首次采用極紫外光制程技術(shù)的1γ DRAM進展順利，預(yù)計2025年量產(chǎn)。下一代NAND Flash同樣進展順利。

其他廠商方面，今年5月30日，SK海力士宣布已完成現(xiàn)有DRAM中最為微細化的第五代10納米級（1b）技術(shù)研發(fā)，并將適用其技術(shù)的DDR5服務(wù)器DRAM提供于英特爾公司（Intel®）開始了“英特爾數(shù)據(jù)中心存儲器認證程序。該公司表示，明年上半年將把1b工藝擴大適用于LPDDR5T、HBM3E等高性能產(chǎn)品....詳情請點擊《存儲大廠公布先進制程DRAM進展》

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國際大廠光刻膠漲價？

據(jù)韓媒報道，業(yè)內(nèi)人士透露，日本住友化學(xué)子公司東友精密化學(xué)向韓國半導(dǎo)體企業(yè)表示，由于原材料和勞動力成本上漲，擬提高氟化氪（KrF）和L線光刻膠價格，增幅因產(chǎn)品而異，約為10%-20%。

對于此次光刻膠漲價，韓國半導(dǎo)體業(yè)界反應(yīng)較大，但是無奈還是要接受漲價的事實。有代工行業(yè)業(yè)內(nèi)人士表示，“如果光刻膠價格上漲，代工廠別無選擇，只能將一部分成本轉(zhuǎn)嫁給客戶(無晶圓廠)”，并補充說，“東友精密化學(xué)光刻膠價格上漲可能會導(dǎo)致代工廠和整個無晶圓廠行業(yè)盈利能力惡化。”

近年來，我國一直加快國產(chǎn)光刻膠替代步伐。就現(xiàn)狀來看，我國光刻膠供應(yīng)鏈依舊存在著較大的不穩(wěn)定現(xiàn)象，G/I線國產(chǎn)化率為10%，高端的KrF、ArF 國產(chǎn)化率不足5%...詳情請點擊《國際大廠光刻膠漲價！國產(chǎn)替代刻不容緩》

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存儲市場部分產(chǎn)品缺貨？

據(jù)中國臺灣媒體消息，經(jīng)過較久的低壓氛圍，近日市場逐漸看好存儲芯片，加上存儲五大廠減產(chǎn)有效，存儲芯片價格難以按捺，存儲芯片下游系統(tǒng)廠商采購力道轉(zhuǎn)趨積極，部分產(chǎn)品出現(xiàn)缺貨現(xiàn)象。據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈反饋，目前包括三星、美光等在內(nèi)的廠商均有意愿漲價。

今年以來雖然各家存儲大廠減產(chǎn)步調(diào)不一，但是庫存清理至今，先前較高的晶圓庫存也陸續(xù)釋出。“NAND Flash現(xiàn)貨價格從9月底開始強勁上行，這源于供應(yīng)商集體減產(chǎn)。若非虧損非常嚴重，供應(yīng)商很難如此團結(jié)地提拉價格。“TrendForce集邦咨詢分析師吳雅婷近日表示，三星產(chǎn)能比高峰期減少近半，說明三星這類成本結(jié)構(gòu)較優(yōu)的廠商也無法再忍受虧損，至目前，晶圓均價谷底應(yīng)已通過。

而從供應(yīng)端看，近日行業(yè)消息顯示，存儲原廠對四季度閃存供應(yīng)主打“拖延戰(zhàn)術(shù)”，模組廠曾在9月試圖敲定數(shù)百萬顆訂單，但原廠遲遲不愿放貨，就算愿意給貨，數(shù)量及價格都無法達到滿意目標。與此同時，三星據(jù)悉已暫停NAND產(chǎn)品報價及出貨...詳情請點擊《存儲芯片漲價之后，部分產(chǎn)品出現(xiàn)缺貨？》

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半導(dǎo)體項目新動態(tài)

邁入12月，包括立昂微、翠展微、義芯集成、華潤微、華為、旺榮半導(dǎo)體、清溢光電、佰維存儲、蘇州銳杰微科、廣汽集團等在內(nèi)企業(yè)半導(dǎo)體項目迎來最新進展，涉及領(lǐng)域涵蓋半導(dǎo)體材料、封測、功率半導(dǎo)體等。

12月13日，立昂微發(fā)布公告稱，公司2021年非公開發(fā)行股票募投項目均已實施完畢，公司本次募投項目全部結(jié)項。該公司擬將2021年非公開發(fā)行股票募投項目節(jié)余募集資金4,316.47萬元永久補充流動資金。

12月12日，翠展微三期項目封頂，項目總投資15億元，建筑總面積近10萬平方米，建成達產(chǎn)后將實現(xiàn)年產(chǎn)300萬套IGBT模塊的生產(chǎn)能力，預(yù)計年產(chǎn)值10億元。

據(jù)中時新聞網(wǎng)12月10日報道，華為法國分公司副總經(jīng)理張明剛透露，華為首家海外工廠已經(jīng)確定落地法國，占地約8公頃，預(yù)計2025年底投產(chǎn)…詳情請點擊《追蹤，12月近30個半導(dǎo)體項目迎最新進展》

封面圖片來源：拍信網(wǎng)