存儲器產(chǎn)品價格漲跌幅預(yù)測
數(shù)百億大項目進(jìn)展
半導(dǎo)體廠商闖關(guān)科創(chuàng)板
全球首顆AI全自動設(shè)計CPU問世
三星透露閃存新消息

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存儲器產(chǎn)品價格漲跌幅預(yù)測

據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究指出，2023年第三季，預(yù)期DRAM均價跌幅將會收斂至0~5%；整體NAND Flash均價持續(xù)下跌約3~8%，第四季有望止跌回升。

具體來看，DRAM方面，第三季預(yù)估整體PC DRAM均價將環(huán)比下跌0~5%；Server DRAM均價跌幅約0~5%；Mobile DRAM均價仍會呈現(xiàn)環(huán)比下跌0~5%；整體Graphics DRAM均價跌幅約0~5%；第三季Consumer DRAM均價跌幅至0~5%...詳情請點擊《供應(yīng)商減產(chǎn)及季節(jié)性需求支撐，預(yù)估第三季DRAM均價跌幅收斂至0~5%》

在NAND Flash方面，第三季，預(yù)估Client SSD均價將環(huán)比下跌8~13%；Enterprise SSD均價跌幅將收斂至5~10%；UFS合約均價跌幅仍有約8~13%；NAND Flash Wafer均價有望環(huán)比增長0~5%；而eMMC價格走勢仍會與同容量UFS大致相同，預(yù)期仍有下跌可能...詳情請點擊《各類NAND Flash價格漲跌幅預(yù)測：Q3均價續(xù)跌約3~8%，僅Wafer率先上漲》

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數(shù)百億元大項目進(jìn)展

近日，總投資67億美元（約合人民幣485.54億元）的華虹無錫集成電路研發(fā)和制造基地二期項目正式開工。

據(jù)了解，華虹無錫集成電路研發(fā)和制造基地項目分兩期建設(shè)，其中一期項目已經(jīng)成功投產(chǎn)，二期項目總投資67億美元，聚焦車規(guī)級芯片，將建設(shè)一條工藝等級覆蓋65/55-40nm，月產(chǎn)能8.3萬片的12英寸特色工藝生產(chǎn)線。根據(jù)此前規(guī)劃，該項目預(yù)計2025年開始...詳情請點擊《近500億投資項目正式開工》

據(jù)“紹興發(fā)布”消息，7月4日，在紹興市舉行的197個重點項目開竣工活動中，一項總投資高達(dá)560億的濱海新區(qū)電子信息基地項目備受關(guān)注。該項目規(guī)劃未來5至10年內(nèi)預(yù)計完成投資560億元。項目分階段建設(shè)，先期計劃投資180億元，形成12英寸晶圓9萬片/月的產(chǎn)能規(guī)模，預(yù)計達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)值90億元以上。

濱海新區(qū)電子信息基地項目整體實施后，將與已有的集成電路晶圓制造項目構(gòu)建集8英寸和12英寸整合全流程的芯片和模組代工服務(wù)平臺，形成“千畝千億”產(chǎn)業(yè)規(guī)模，打造世界級模擬類芯片技術(shù)研發(fā)和大規(guī)模生產(chǎn)基地，為我國集成電路產(chǎn)業(yè)制造端實現(xiàn)自主可控和關(guān)鍵戰(zhàn)略性產(chǎn)品供應(yīng)鏈安全提供有力保障...詳情請點擊《560億大項目上馬，紹興又有“芯”動作》

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半導(dǎo)體廠商闖關(guān)科創(chuàng)板

近日，根據(jù)上交所信息顯示，又有多家半導(dǎo)體廠商的科創(chuàng)板上市申請正式獲上交所受理，分別為晶亦精微、華羿微電、長光辰芯、明皜傳感、芯邦科技、芯旺微、科利德等，涉及芯片設(shè)計、半導(dǎo)體材料、設(shè)備等。

招股說明書顯示，晶亦精微此次擬募集資金16億元，扣除發(fā)行費用后將投資于“高端半導(dǎo)體裝備研發(fā)項目”“高端半導(dǎo)體裝備工藝提升及產(chǎn)業(yè)化項目”“高端半導(dǎo)體裝備研發(fā)與制造中心建設(shè)項目”和“補充流動資金”。

長光辰芯擬募集資金15.57億元，扣除發(fā)行費用后，將全部用于投入面向機器視覺/科學(xué)儀器/專業(yè)影像/醫(yī)療成像領(lǐng)域的系列化CMOS圖像傳感器的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項目、高端CMOS圖像傳感器研發(fā)中心建設(shè)項目以及補充流動資金。

明皜傳感此次擬募集資金6.2億元，扣除發(fā)行費用后，將投資于高性能高可靠性MEMS慣性傳感器開發(fā)與系統(tǒng)應(yīng)用項目、研發(fā)中心建設(shè)項目 、MEMS傳感器測試基地建設(shè)項目以及補充流動資金...詳情請點擊《7家半導(dǎo)體廠商科創(chuàng)板IPO獲受理！》

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全球首顆AI全自動設(shè)計CPU問世

近日，中科院計算所的處理器芯片全國重點實驗室及其合作單位，用AI技術(shù)設(shè)計出了32位RISC-V CPU“啟蒙1號”——這是世界上首個無人工干預(yù)、全自動生成的CPU芯片。

這顆CPU采用65nm工藝，頻率達(dá)到300MHz，并可運行Linux操作系統(tǒng)，性能與Intel 80486SX相當(dāng)，設(shè)計周期則縮短至1/1000。

“啟蒙1號”是基于BSD二元猜測圖（Binary Speculation Diagram）算法設(shè)計而來。研究人員通過AI技術(shù)，直接從“輸入-輸出（IO）”自動生成CPU設(shè)計，而無需工程師提供任何代碼或自然語言描述。

該團(tuán)隊表示，其訓(xùn)練過程需要不到5個小時，便能達(dá)到>99.999999999%的驗證測試準(zhǔn)確性...詳情請點擊《全球首顆！中國團(tuán)隊推出AI全自動設(shè)計CPU！》

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三星透露閃存新消息

根據(jù)韓媒The Elec報道，三星存儲業(yè)務(wù)高管近日對外表示，2030年V-NAND可以疊加到1000多層。閃存市場層數(shù)堆疊競爭愈演愈烈，未來存儲產(chǎn)品容量有望持續(xù)提升。

目前3D/4D NAND Flash已經(jīng)突破200層，三星第8代V-NAND層數(shù)達(dá)到了236層；美光232層NAND Flash已經(jīng)量產(chǎn)出貨；今年3月鎧俠和西部數(shù)據(jù)共同宣布推出218層3D NAND閃存，已開始為部分客戶提供樣品；SK海力士2022年8月成功開發(fā)出世界最高238層4D NAND閃存，今年6月該公司宣布已開始量產(chǎn)238層4D NAND閃存，并正在與生產(chǎn)智能手機的海外客戶公司進(jìn)行產(chǎn)品驗證。

未來存儲廠商將持續(xù)發(fā)力更高層數(shù)NAND Flash，美光232層之后，計劃推出2YY、3XX與4XX等更高層數(shù)產(chǎn)品；鎧俠與西數(shù)也在積極探索300層以上、400層以上與500層以上的3D NAND技術(shù)；三星則計劃2024年推出第九代3D NAND（有望達(dá)到280層），2025-2026年推出第十代3D NAND(有望達(dá)到430層），2030年前實現(xiàn)1000層NAND Flash...詳情請點擊《3D NAND Flash，劍指1000層堆疊！》

封面圖片來源：拍信網(wǎng)