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DRAM廠營(yíng)收最新排名
服務(wù)器出貨量預(yù)估
劉鶴調(diào)研集成電路企業(yè)
國(guó)內(nèi)首顆6英寸氧化鎵單晶出爐
蘇州新目標(biāo)1200億元
半導(dǎo)體IPO進(jìn)展
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DRAM廠營(yíng)收最新排名
TrendForce集邦咨詢研究顯示,2022年第四季DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收122.8億美元,環(huán)比下降32.5%,跌幅甚至超越第三季的28.9%,已逼近2008年底金融海嘯時(shí)的單季36%跌幅,主要下跌原因是受DRAM產(chǎn)品平均銷售單價(jià)(ASP)下跌影響。
由于去年第三季起客戶拉貨急凍,DRAM供應(yīng)商的庫(kù)存快速堆積,因此為搶占第四季的出貨市占率,供應(yīng)商議價(jià)態(tài)度更為積極,其中又以Server DRAM跌幅最劇,2022年第四季DDR4價(jià)格環(huán)比下降23~28%;DDR5價(jià)格環(huán)比下降擴(kuò)大至30~35%。

營(yíng)收方面三星、SK海力士、美光營(yíng)收均明顯下滑。其中,三星營(yíng)收金額55.4億美元,環(huán)比下降25.1%,衰退幅度是三大原廠中最低;SK海力士營(yíng)收34.0億美元,環(huán)比下降35.2%;美光營(yíng)收28.3億美元,季跌41.2%。TrendForce集邦咨詢認(rèn)為,受營(yíng)收劇跌影響,各原廠去年第四季營(yíng)業(yè)利益率快速下跌,預(yù)期2023年第一季將由正轉(zhuǎn)負(fù)...詳情請(qǐng)點(diǎn)擊《營(yíng)收環(huán)比下降32.5%,全球DRAM廠自有品牌內(nèi)存最新?tīng)I(yíng)收排名出爐》
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服務(wù)器出貨量預(yù)估
TrendForce集邦咨詢認(rèn)為2023年全球服務(wù)器出貨量將下跌至1,443萬(wàn)臺(tái),年成長(zhǎng)率收斂為1.31%。而OEM下修出貨展望的舉動(dòng),除了反映終端需求不如預(yù)期外,更多原因是受零部件庫(kù)存調(diào)節(jié)與客戶端控制財(cái)務(wù)支出等影響所致。
OEM業(yè)者今年恐面臨幅度不小的目標(biāo)調(diào)整,其中包含Dell、HPE為首的傳統(tǒng)企業(yè)品牌供應(yīng)商,而第三大OEM業(yè)者Inspur則是受到政策面影響因素居多。Dell方面,預(yù)估今年服務(wù)器出貨量年衰退幅度會(huì)擴(kuò)大至8.1%;HPE則尚未有明顯調(diào)整,但今年服務(wù)器出貨量仍衰退,年減6.2%。
此外,TrendForce集邦咨詢表示,中國(guó)服務(wù)器需求仍高度受政策層面支撐,如去年國(guó)資云、東數(shù)西算工程等項(xiàng)目,目前中國(guó)市場(chǎng)正面臨明顯轉(zhuǎn)型,尚未對(duì)全球服務(wù)器需求造成影響,但有望帶動(dòng)一系列生態(tài)系的變革...詳情請(qǐng)點(diǎn)擊《Dell、HPE、Inspur陸續(xù)下修,2023年全球服務(wù)器出貨量年增率降至1.31%》
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劉鶴調(diào)研集成電路企業(yè)
據(jù)新華社報(bào)道,3月2日,國(guó)務(wù)院副總理劉鶴在北京調(diào)研集成電路企業(yè)發(fā)展并主持召開(kāi)座談會(huì)時(shí)表示,我國(guó)擁有龐大的芯片消費(fèi)市場(chǎng)和豐富的應(yīng)用場(chǎng)景,這是市場(chǎng)經(jīng)濟(jì)下最寶貴的資源,是推動(dòng)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的戰(zhàn)略性優(yōu)勢(shì)。
對(duì)于未來(lái)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展,劉鶴指出,發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)必須發(fā)揮新型舉國(guó)體制優(yōu)勢(shì),用好政府和市場(chǎng)兩方面力量。
劉鶴進(jìn)一步強(qiáng)調(diào),政府要制定符合國(guó)情和新形勢(shì)的集成電路產(chǎn)業(yè)政策,設(shè)定務(wù)實(shí)的發(fā)展目標(biāo)和發(fā)展思路,幫助企業(yè)協(xié)調(diào)和解決困難,在市場(chǎng)失靈的領(lǐng)域發(fā)揮好組織作用,引導(dǎo)長(zhǎng)期投資,對(duì)國(guó)內(nèi)人才給予一視同仁的優(yōu)惠政策,對(duì)外籍專家給予真正的國(guó)民待遇,幫助企業(yè)加快引進(jìn)和培養(yǎng)人才...詳情請(qǐng)點(diǎn)擊《副總理調(diào)研集成電路企業(yè),透露哪些重磅信號(hào)!》
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國(guó)內(nèi)首顆6英寸氧化鎵單晶出爐
近日,中國(guó)電科46所成功制備出我國(guó)首顆6英寸氧化鎵單晶,達(dá)到國(guó)際最高水平。
據(jù)“中國(guó)電科”消息,中國(guó)電科46所氧化鎵團(tuán)隊(duì)從大尺寸氧化鎵熱場(chǎng)設(shè)計(jì)出發(fā),成功構(gòu)建了適用于6英寸氧化鎵單晶生長(zhǎng)的熱場(chǎng)結(jié)構(gòu),突破了6英寸氧化鎵單晶生長(zhǎng)技術(shù),可用于6英寸氧化鎵單晶襯底片的研制,將有力支撐我國(guó)氧化鎵材料實(shí)用化進(jìn)程和相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
盡管氧化鎵發(fā)展尚處于初期階段,但其市場(chǎng)前景依然備受期待。有數(shù)據(jù)顯示,到2030年,氧化鎵功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)15億美元。
中國(guó)科學(xué)院院士郝躍認(rèn)為,氧化鎵材料是最有可能在未來(lái)大放異彩的材料之一,在未來(lái)的10年左右,氧化鎵器件有可能成為有競(jìng)爭(zhēng)力的電力電子器件,會(huì)直接與碳化硅器件競(jìng)爭(zhēng)。業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為,未來(lái),氧化鎵有望替代碳化硅和氮化鎵成為新一代半導(dǎo)體材料的代表...詳情請(qǐng)點(diǎn)擊《中國(guó)首顆6英寸氧化鎵單晶成功制備,第四代半導(dǎo)體呼嘯而來(lái)》
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蘇州新目標(biāo)1200億元
近期,在2023蘇州市集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新集群建設(shè)推進(jìn)會(huì)暨蘇州工業(yè)園區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新集群發(fā)展推進(jìn)大會(huì)上,蘇州對(duì)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展提出了新的目標(biāo)。
據(jù)“蘇州新聞”消息,蘇州力爭(zhēng)全年集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模達(dá)1200億元;實(shí)施關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)項(xiàng)目2~3個(gè),新增創(chuàng)新領(lǐng)航企業(yè)10家,新增上市企業(yè)3家。
當(dāng)前,集成電路已經(jīng)成為衡量一個(gè)國(guó)家產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力和綜合國(guó)力的重要標(biāo)志之一。而近年來(lái),蘇州也在大力發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)。2022年,蘇州工業(yè)園區(qū)發(fā)布了《全面推進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新集群發(fā)展行動(dòng)計(jì)劃(2022-2025)》和《關(guān)于促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干措施》...詳情請(qǐng)點(diǎn)擊《蘇州新目標(biāo):1200億》
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半導(dǎo)體IPO進(jìn)展
近日,高華科技、派瑞特氣、頎中科技、南芯科技、中科飛測(cè)等多家半導(dǎo)體公司科創(chuàng)板IPO申請(qǐng)迎來(lái)新的進(jìn)展,證監(jiān)會(huì)同意上述企業(yè)注冊(cè)申請(qǐng)。
高華科技本次擬募集資金6.34億元,扣除發(fā)行費(fèi)用后,將投入高華生產(chǎn)檢測(cè)中心建設(shè)項(xiàng)目、高華研發(fā)能力建設(shè)項(xiàng)目、及補(bǔ)充流動(dòng)資金。
派瑞特氣本次擬募集資金16億元,除發(fā)行費(fèi)用后,將用于投入年產(chǎn)3250噸三氟化氮項(xiàng)目、年產(chǎn)500噸雙(三氟甲磺酰)亞胺鋰項(xiàng)目、年產(chǎn)735噸高純電子氣體項(xiàng)目、年產(chǎn)1500噸高純氯化氫擴(kuò)建項(xiàng)目、制造信息化提升工程建設(shè)項(xiàng)目、及補(bǔ)充流動(dòng)資金。
頎中科技本次擬募集資金20億元,除發(fā)行費(fèi)用后,將用于投入頎中先進(jìn)封裝測(cè)試生產(chǎn)基地項(xiàng)目、頎中科技(蘇州)有限公司高密度微尺寸凸塊封裝及測(cè)試技術(shù)改造項(xiàng)目、頎中先進(jìn)封裝測(cè)試生產(chǎn)基地二期封測(cè)研發(fā)中心項(xiàng)目、補(bǔ)充流動(dòng)資金及償還銀行貸款項(xiàng)目。
南芯科技此次擬募集資金16.58億元,扣除發(fā)行費(fèi)用后,將用于投入高性能充電管理和電池管理芯片研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、高集成度AC-DC芯片組研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、汽車電子芯片研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、測(cè)試中心建設(shè)項(xiàng)目及補(bǔ)充流動(dòng)資金。
中科飛測(cè)此次擬募集資金10億元,扣除發(fā)行費(fèi)用后擬全部用于公司主營(yíng)業(yè)務(wù)相關(guān)科技創(chuàng)新領(lǐng)域,包括高端半導(dǎo)體質(zhì)量控制設(shè)備產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、研發(fā)中心升級(jí)建設(shè)項(xiàng)目、補(bǔ)充流動(dòng)資金...詳情請(qǐng)點(diǎn)擊《5家半導(dǎo)體企業(yè)科創(chuàng)板IPO進(jìn)展披露》
封面圖片來(lái)源:拍信網(wǎng)