全球首款238層4D NAND閃存出貨
一批A股廠商成立集成電路新公司
河南南陽集成電路新政出臺
中微刻蝕機(jī)運(yùn)往臺積電海外工廠
50mm厚6英寸碳化硅單晶生長成功

全球首款238層4D NAND閃存問世

2022年8月3日，SK海力士宣布成功研發(fā)全球首款業(yè)界最高層數(shù)的238層NAND閃存。SK海力士表示，已經(jīng)向客戶發(fā)送了238層 512Gb TLC 4D NAND閃存的樣品，并計劃在2023年上半年正式投入量產(chǎn)。

238層NAND閃存成功堆棧更高層數(shù)的同時，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界最小的面積，相比176層NAND閃存其生產(chǎn)效率也提高了34%。此外，238層NAND閃存的數(shù)據(jù)傳輸速度為2.4Gbps，相比前一代產(chǎn)品提高了50%，芯片讀取數(shù)據(jù)時的能源消耗也減少了21%。

SK海力士計劃先為cSSD供應(yīng)238層NAND閃存，隨后將其導(dǎo)入范圍逐漸延伸至智能手機(jī)和高容量的服務(wù)器SSD等。SK海力士還將于明年發(fā)布1Tb密度的全新238層NAND閃存產(chǎn)品，其密度是現(xiàn)有產(chǎn)品的兩倍。

一批A股廠商成立“芯”公司

近期，聞泰科技、華天科技、天岳先進(jìn)等一批國內(nèi)多家A股企業(yè)通過成立集成電路公司為中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展助力。

7月29日，聞耀電子正式成立，注冊資本2000萬元人民幣，由聞泰科技通過昆明聞泰通訊有限公司間接全資控股。企查查顯示，聞耀電子經(jīng)營范圍包含通信設(shè)備制造；移動終端設(shè)備制造；電子元器件制造；集成電路制造；集成電路芯片及產(chǎn)品制造；5G通信技術(shù)服務(wù)等業(yè)務(wù)。

7月22日，越聯(lián)峰科技成立，注冊資本5000萬元，由天岳先進(jìn)100%控股。天岳先進(jìn)認(rèn)為，碳化硅材料在半導(dǎo)體行業(yè)包括5G、雷達(dá)、國防軍工以及新能源汽車、光伏、軌道交通、儲能等電力電子領(lǐng)域未來的應(yīng)用場景會非常廣闊。越聯(lián)峰科技的成立也將進(jìn)一步推動其在碳化硅市場的布局。

河南南陽集成電路新政出臺

近日，河南省南陽市人民政府辦公室發(fā)布《關(guān)于加快集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的意見》。

《意見》指出，到2025年，全市集成電路產(chǎn)業(yè)主營業(yè)務(wù)收入突破100億元，集成電路產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)達(dá)到20家以上。到2035年，集成電路產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)達(dá)到100家以上，主營業(yè)務(wù)收入達(dá)到500億元，成為全省具有重要影響力的集成電路產(chǎn)業(yè)基地。同時，在關(guān)鍵設(shè)備、半導(dǎo)體材料、芯片設(shè)計制造、封裝測試等集成電路產(chǎn)業(yè)全產(chǎn)業(yè)鏈形成規(guī)模集聚。

《意見》圍繞加快產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目引進(jìn)集聚、建立完善產(chǎn)業(yè)服務(wù)體系、強(qiáng)化產(chǎn)業(yè)鏈融合協(xié)同發(fā)展、深化產(chǎn)業(yè)技術(shù)開放性合作四個方面部署了一系列重點(diǎn)任務(wù)。

中微刻蝕機(jī)運(yùn)往臺積電海外工廠

據(jù)上觀新聞近日報道，今年下半年，由中微半導(dǎo)體制造的刻蝕機(jī)將運(yùn)往臺積電海外工廠。這意味著，中微刻蝕機(jī)能在頭發(fā)直徑萬分之一的面積上建五六十層的“房子”。這種微觀加工能力與全球頂尖水平已相差無幾。

有媒體報道稱，本次中微半導(dǎo)體刻蝕機(jī)將用于臺積電美國工廠5納米工藝芯片生產(chǎn)。

在本輪上海疫情期間，中微半導(dǎo)體堅持閉環(huán)生產(chǎn)，公司經(jīng)營不斷取得新突破。財報顯示，今年上半年，中微半導(dǎo)體新簽訂單同比增長61.8%，營業(yè)收入和扣非凈利潤同比分別增長47%和600%。

50mm厚6英寸碳化硅單晶生長成功

近日，浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院-乾晶半導(dǎo)體聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室和浙江大學(xué)硅材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室在浙江省“尖兵計劃”等研發(fā)項(xiàng)目的資助下，成功生長出了厚度達(dá)到50mm的6英寸碳化硅單晶，這在國內(nèi)尚屬首次報道。

目前，國內(nèi)碳化硅單晶的直徑已經(jīng)普遍能達(dá)到6英寸，但其厚度通常在~20-30mm之間，導(dǎo)致一個碳化硅晶錠切片所獲得的碳化硅襯底片的數(shù)量相當(dāng)有限。

科研人員表示，增加碳化硅單晶厚度的主要挑戰(zhàn)在于其生長時厚度的增加及源粉的消耗對生長室內(nèi)部熱場的改變。針對挑戰(zhàn)，浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院-乾晶半導(dǎo)體聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室和浙江大學(xué)硅材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室通過設(shè)計碳化硅單晶生長設(shè)備的新型熱場、發(fā)展碳化硅源粉的新技術(shù)、開發(fā)碳化硅單晶生長的新工藝，顯著提升了碳化硅單晶的生長速率，成功生長出了厚度達(dá)到50mm的6英寸碳化硅單晶。

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考慮疫情等因素影響，本次峰會采取線下、線上結(jié)合方式，深圳為線下主會場，將匯聚眾多半導(dǎo)體、存儲產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)高層與專家，并展示廠商最新產(chǎn)品與技術(shù)，同時峰會也將進(jìn)行線上同步直播。目前峰會報名通道正式開啟，歡迎業(yè)界人士踴躍報名參會。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)