國(guó)博電子正式?jīng)_刺科創(chuàng)板

繼唯捷創(chuàng)芯、好達(dá)電子等企業(yè)之后，科創(chuàng)板即將再次迎來(lái)一家射頻芯片企業(yè)。上交所網(wǎng)站信息顯示，國(guó)博電子科創(chuàng)板申請(qǐng)于9月24日獲上交所受理。

資料顯示，國(guó)博電子成立于2000年11月，注冊(cè)資本3.6億元，主要從事有源相控陣T/R組件和射頻集成電路相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，主要產(chǎn)品包括有源相控陣T/R組件、砷化鎵基站射頻集成電路等，主要應(yīng)用于相控陣?yán)走_(dá)等軍用領(lǐng)域以及通信基站等民用領(lǐng)域。

招股說(shuō)明書(shū)顯示，國(guó)博電子的控股股東為國(guó)基南方，持股比例為39.81%，而實(shí)際控制人為中國(guó)電子，后者由國(guó)務(wù)院國(guó)資委100%持股。中國(guó)電科通過(guò)三家國(guó)有股東國(guó)基南方（39.81%）、中國(guó)電科五十五所（18.49%）和中電科投資（3.32%）間接控制國(guó)博電子61.62%的股份。

據(jù)披露，國(guó)博電子此次擬募集資金26.75億元，扣除發(fā)行費(fèi)用后將全部用于公司主營(yíng)業(yè)務(wù)相關(guān)的項(xiàng)目射頻芯片和組件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，項(xiàng)目總投資額14.75億元。國(guó)博電子將在已有的射頻芯片、微波毫米波T/R組件和射頻模塊產(chǎn)品的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步升級(jí)研發(fā)射頻芯片、模塊和T/R組件領(lǐng)域相關(guān)技術(shù)。

深圳哈勃注冊(cè)資本增至45億

天眼查信息顯示，深圳哈勃工商信息于9月23日發(fā)生變更，其注冊(cè)資本由此前的20億元變更為45億元，增幅高達(dá)125%。其中華為技術(shù)有限公司對(duì)其的出資額由13.8億元增至31.05億元，華為終端（深圳）有限公司對(duì)其的出資額由6億元增至13.5億元，而哈勃科技投資有限公司對(duì)其的出資額由2000萬(wàn)元增至4500萬(wàn)元。

△Source：天眼查截圖

增資完成后，三家股東對(duì)深圳哈勃的持股比例不變，依然分別為60%、39%、以及1%。

自今年4月成立以來(lái)，深圳哈勃對(duì)外投資的企業(yè)數(shù)量超10家，其中大多數(shù)為集成電路產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)，包括強(qiáng)一半導(dǎo)體、徐州博康、天域半導(dǎo)體、深迪半導(dǎo)體、知存科技、天仁微納等，平均每個(gè)月新增對(duì)外投資企業(yè)2家。

此外，9月29日，深圳哈勃再次投資了一家半導(dǎo)體企業(yè)——物奇微電子。天眼查信息顯示，物奇微電子的工商信息于9月29日發(fā)生變更，注冊(cè)資本從4676.2564萬(wàn)元變更為5082.8874萬(wàn)元，同時(shí)新增股東深圳哈勃和董事何剛。增資完成后，深圳哈勃為物奇微電子第四大股東，持股8%。

英特爾2座晶圓廠開(kāi)工

9月24日，英特爾宣布，位于美國(guó)亞利桑那州錢(qián)德勒的兩家芯片工廠動(dòng)土奠基，這些工廠將采用英特爾最先進(jìn)芯片生產(chǎn)工藝。

據(jù)官網(wǎng)介紹，兩座新工廠名為Fab52及Fab62，造價(jià)達(dá)200億美元。待新廠完工后，英特爾建在亞利桑那州錢(qián)德勒?qǐng)@區(qū)內(nèi)的晶圓廠總數(shù)將達(dá)6家。

英特爾表示，自40年前在亞利桑那州開(kāi)始制造芯片以來(lái)，英特爾在該州的總投資超過(guò)500多億美元。

英特爾稱，兩座新工廠在2024年全面投入運(yùn)營(yíng)后，新工廠將支持英特爾內(nèi)部產(chǎn)品的生產(chǎn)，并為外部客戶提供服務(wù)。英特爾一直以來(lái)都在制造自己的芯片，而此次公司開(kāi)始轉(zhuǎn)型為外部公司生產(chǎn)芯片。

GaN功率廠商出貨量市占率排名

根據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，受惠于消費(fèi)性快充產(chǎn)品需求快速上升，如手機(jī)品牌小米（Xiaomi）、OPPO、Vivo自2018年起率先推出快速充電頭，憑借高散熱效能與體積小的產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)獲得消費(fèi)者青睞，截至目前筆電廠商也有意跟進(jìn)，使GaN功率市場(chǎng)成為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中產(chǎn)值上升最快速的類別，預(yù)估2021年?duì)I收將達(dá)8,300萬(wàn)美元，年增率高達(dá)73%。

廠商方面，納微半導(dǎo)體（Navitas）將以29%的出貨量市占率超越Power Integrations（PI），拿下今年全球GaN功率市場(chǎng)第一名；老牌電源芯片廠商Power Integrations（PI）預(yù)估將以24%市占率位居全球第二；值得一提的是，中國(guó)廠商英諾賽科（Innoscience）今年市占一舉攀升至20%，躍升為全球第三，主要受惠于其高、低壓GaN產(chǎn)品出貨量大幅增長(zhǎng)，其中，快充產(chǎn)品更首次進(jìn)入一線筆電廠商供應(yīng)鏈。與此同時(shí)，蘇州8英寸晶圓廠已步入量產(chǎn)階段，IDM模式優(yōu)勢(shì)將在GaN產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展中逐步顯現(xiàn)。

根據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查，2020年中國(guó)約有25筆第三代半導(dǎo)體投資擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目（不含GaN光電），總投資額超700億元，年增180%。截至2021年上半年，中國(guó)已有約7條硅基氮化鎵晶圓制造產(chǎn)線，另有至少4條GaN功率產(chǎn)線正在建設(shè)中；而SiC晶圓制造方面（包括中試線）至少已有14條6英寸的產(chǎn)線。

柘中股份8.2億控股中晶半導(dǎo)體

9月27日，柘中股份發(fā)布公告稱，擬向中晶半導(dǎo)體進(jìn)行增資。柘中股份此次擬出資8.16億元，認(rèn)購(gòu)中晶半導(dǎo)體8億元新增注冊(cè)資本，即中晶半導(dǎo)體每1元注冊(cè)資本對(duì)價(jià)為1.02元。

資料顯示，柘中股份的主要業(yè)務(wù)為成套開(kāi)關(guān)設(shè)備的生產(chǎn)和銷售及投資業(yè)務(wù)，產(chǎn)品被應(yīng)用于各類工業(yè)和民用建筑、軌道交通、機(jī)場(chǎng)、國(guó)家電網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心等項(xiàng)目。本次增資完成后，柘中股份將合計(jì)持有中晶半導(dǎo)體58.69%的表決權(quán)，成為該公司第一大股東，取得控制權(quán)，中晶半導(dǎo)體將納入柘中股份合并報(bào)表范圍。

據(jù)了解，中晶半導(dǎo)體主要研發(fā)、生產(chǎn)和銷售300mm半導(dǎo)體硅片，適用于DRAM、NAND Flash存儲(chǔ)芯片、中低端處理器芯片、影像處理器、數(shù)字電視機(jī)頂盒等12英寸芯片生產(chǎn)，以及手機(jī)基帶、WiFi、GPS、藍(lán)牙、NFC、ZigBee、NOR Flash芯片、MCU等12英寸芯片生產(chǎn)。

目前，中晶半導(dǎo)體正在嘉興投建300mm半導(dǎo)體大硅片項(xiàng)目。該項(xiàng)目于2019年初開(kāi)工，目前已完成全部基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)，處于設(shè)備安裝和調(diào)試階段，預(yù)計(jì)今年年底自動(dòng)化產(chǎn)線完全打通。

通富微電募資55億元

9月27日晚間，封測(cè)廠商通富微電拋出55億元定增預(yù)案。根據(jù)公告，公司擬定增募資不超過(guò)55億元，用于存儲(chǔ)器芯片封裝測(cè)試生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目、高性能計(jì)算產(chǎn)品封裝測(cè)試產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、5G等新一代通信用產(chǎn)品封裝測(cè)試項(xiàng)目、圓片級(jí)封裝類產(chǎn)品擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目、功率器件封裝測(cè)試擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目、補(bǔ)充流動(dòng)資金及償還銀行貸款。

△Source：通富微電公告截圖

其中，存儲(chǔ)器芯片封裝測(cè)試生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目建成后，年新增存儲(chǔ)器芯片封裝測(cè)試生產(chǎn)能力1.44億顆；高性能計(jì)算產(chǎn)品封裝測(cè)試產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目建成后，年新增封裝測(cè)試高性能產(chǎn)品3.22億塊的生產(chǎn)能力；5G等新一代通信用產(chǎn)品封裝測(cè)試項(xiàng)目建成后，年新增5G等新一代通信用產(chǎn)品24.12億塊的生產(chǎn)能力；圓片級(jí)封裝類產(chǎn)品擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目建成后，年新增集成電路封裝產(chǎn)能78萬(wàn)片；功率器件封裝測(cè)試擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目建成后，年新增功率器件封裝測(cè)試產(chǎn)能14.50億塊的生產(chǎn)能力。

從公告披露的數(shù)據(jù)來(lái)看，上述定增項(xiàng)目全部建成達(dá)產(chǎn)后，通富微電預(yù)計(jì)每年將新增銷售收入37.59億元，新增稅后利潤(rùn)4.45億元。

封面圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)