三星華城廠突發(fā)跳電

針對2019年12月31日韓國三星電子于華城廠區(qū)所發(fā)生的跳電事件，整體影響到DRAM、NAND Flash及LSI方面采用EUV技術(shù)來生產(chǎn)系統(tǒng)半導(dǎo)體的部分。

三星電子位于韓國華城的工廠，在2019年12月31日發(fā)生了短暫的跳電情況，使得華城廠區(qū)內(nèi)的部分工廠短暫停產(chǎn)。整個跳電時間約1分鐘，之后立即恢復(fù)供電，目前三星正在積極的進(jìn)行產(chǎn)線檢查，在了解受損程度之后，以便在最短時間內(nèi)恢復(fù)生產(chǎn)。

對此，集邦咨詢表示，三星華城廠區(qū)短暫停電事件因?yàn)橥ｋ姇r間小于3分鐘，廠區(qū)的UPS不斷電系統(tǒng)適時給予支援而避免大范圍的沖擊，但正常的工廠作業(yè)流程仍需停機(jī)檢查，初步確認(rèn)影響有限。

至于損失金額，集邦咨詢指出，在跳電時間較短的情況下，雖然影響縮小到可控制的范圍內(nèi)，但是，其真正的損失金額仍有待三星在進(jìn)行完產(chǎn)線檢查后進(jìn)一步公布。

2020年Q1 NAND Flash價格持續(xù)上漲

根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)最新調(diào)查，數(shù)據(jù)中心客戶積極準(zhǔn)備2020年新開案需求，拉貨動能優(yōu)于預(yù)期；移動設(shè)備端也因準(zhǔn)備蘋果2020年上半年的新機(jī)上市，備貨需求從第四季起涌現(xiàn)?？傮w而言，2020年第一季NAND Flash將呈現(xiàn)淡季不淡。

供給面，由于供應(yīng)商自2019年第二季起已處于盈虧平衡，或甚而呈現(xiàn)虧損，不得不調(diào)降2020年的資本支出，產(chǎn)能擴(kuò)張與3D層數(shù)提升的時程都較以往保守。

統(tǒng)計(jì)各廠規(guī)劃，2020年位元產(chǎn)出增長僅略高于30%，是歷年來規(guī)劃目標(biāo)的低點(diǎn)，加上2019年的供給位元已因跳電事件而下調(diào)，連續(xù)兩年的產(chǎn)出增長都不到35%，是第一次出現(xiàn)的景象，也使得2020年全年供需更顯緊張。

在合約價走勢方面，集邦咨詢認(rèn)為，基于淡季需求表現(xiàn)不淡、供給增長保守以及供應(yīng)商庫存已下降，各類產(chǎn)品合約價在2020年第一季均可望持續(xù)上漲。

兆易創(chuàng)新公布DRAM量產(chǎn)進(jìn)程表

近日，兆易創(chuàng)新在發(fā)布的非公開發(fā)行A股股票預(yù)案中表示，擬募集資金總額（含發(fā)行費(fèi)用）不超過人民幣432402.36萬元，用于DRAM芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化以及補(bǔ)充流動資金。

隨后，兆易創(chuàng)新發(fā)布《關(guān)于北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司非公開發(fā)行A股股票申請文件一次反饋意見的回復(fù)》，指出兆易創(chuàng)新擬通過本項(xiàng)目，設(shè)計(jì)和開發(fā)系列DRAM芯片，項(xiàng)目各階段的實(shí)施時間及整體進(jìn)度安排如下：

Source：兆易創(chuàng)新公告

上述表格中，兆易創(chuàng)新計(jì)劃在2020年定義首款芯片的生產(chǎn)制程，并將經(jīng)過驗(yàn)證后的設(shè)計(jì)展開流片試樣，經(jīng)過反復(fù)測試、反復(fù)修改直到樣片設(shè)計(jì)符合設(shè)計(jì)規(guī)范并通過系統(tǒng)驗(yàn)證。2021年，兆易創(chuàng)新首款芯片客戶驗(yàn)證完成后進(jìn)行小批量產(chǎn)，測試成功后進(jìn)行大批量產(chǎn)。2022年至2025年，兆易創(chuàng)新計(jì)劃完成多系列產(chǎn)品陸續(xù)研發(fā)及量產(chǎn)。

積塔半導(dǎo)體項(xiàng)目首臺光刻設(shè)備搬入

2019年12月28日，上海先進(jìn)半導(dǎo)體制造有限公司（以下簡稱“上海先進(jìn)半導(dǎo)體”）官方消息顯示，積塔半導(dǎo)體特色工藝生產(chǎn)線首臺光刻設(shè)備搬入儀式在上海自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)臨港新片區(qū)積塔半導(dǎo)體廠區(qū)舉行，這標(biāo)志著積塔半導(dǎo)體從建設(shè)期向生產(chǎn)運(yùn)營期邁出重要一步，為2020年底實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)打下了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

塔半導(dǎo)體特色工藝生產(chǎn)線項(xiàng)目是上海市重大工程，總投資359億元。項(xiàng)目位于上海臨港裝備產(chǎn)業(yè)區(qū)，占地面積23萬平方米。2018年8月，積塔半導(dǎo)體特色工藝生產(chǎn)線項(xiàng)目正式開工；2019年5月，該項(xiàng)目芯片主體廠房實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)封頂。根據(jù)官方信息，該項(xiàng)目將于2020年開始一階段8英寸特色芯片工藝生產(chǎn)線投產(chǎn)，并于2023年開展二階段12英寸特色芯片工藝生產(chǎn)線投產(chǎn)。

按規(guī)劃，該項(xiàng)目目標(biāo)是建設(shè)月產(chǎn)能6萬片的8英寸生產(chǎn)線和5萬片的12英寸特色工藝生產(chǎn)線，產(chǎn)品重點(diǎn)面向工業(yè)控制、汽車、電力、能源等領(lǐng)域。項(xiàng)目投產(chǎn)后，將有望顯著提升國內(nèi)功率器件、電源管理、傳感器等領(lǐng)域的競爭力和規(guī)?；a(chǎn)能力。

100億元甬矽電子二期項(xiàng)目簽約

2020年1月2日，甬矽電子（寧波）股份有限公司與中意寧波生態(tài)園管委會、中意寧波生態(tài)園控股集團(tuán)有限公司舉行簽約儀式，意味著甬矽電子微電子高端集成電路IC封裝測試二期項(xiàng)目正式簽約落戶。

據(jù)中意寧波生態(tài)園指出，甬矽電子微電子高端集成電路IC封裝測試二期項(xiàng)目總投資100億元，占地500畝，主要用于高端IC封裝測試研發(fā)、生產(chǎn)及銷售。

資料顯示，甬矽電子是一家半導(dǎo)體封裝測試企業(yè)，于2017年11月13日注冊成立，項(xiàng)目占地總面積約126畝，并于同年12月進(jìn)行了一期高端IC封測項(xiàng)目的開工，2018年6月1日，甬矽電子首批封測項(xiàng)目成功下線。據(jù)了解，甬矽電子2019年全年累計(jì)出貨量達(dá)10億顆。

甬矽電子總經(jīng)理王順波曾表示，甬矽電子計(jì)劃五年內(nèi)為“年產(chǎn)25億塊通信用高密度集成電路及模塊封裝項(xiàng)目”投資22億元，未來，甬矽將聚焦芯片封測領(lǐng)域，加強(qiáng)與上下游企業(yè)的合作。

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圖片聲明：封面圖片來源于正版圖片庫：拍信網(wǎng)

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