紫光展銳啟動科創(chuàng)板上市工作

5月24日，紫光展銳宣布已經(jīng)啟動科創(chuàng)板上市工作。

紫光展銳表示，擬在科創(chuàng)板上市的主體為北京紫光展銳科技有限公司，從其股權(quán)結(jié)構(gòu)可以看出，紫光集團下屬公司紫光展訊投資、紫光新微電子分別持有其57.14%和16.81%的股份，另外，英特爾（中國）持有其14.29%的股份。

目前，紫光展銳正在進行上市前的股權(quán)及組織結(jié)構(gòu)優(yōu)化，進展順利。根據(jù)規(guī)劃，紫光展銳將在2019年完成PreIPO輪融資和整體改制工作，預(yù)計將在2020年正式申報科創(chuàng)板上市材料。 

據(jù)了解，紫光展銳不僅是全球知名的手機芯片設(shè)計企業(yè)，同時在電視芯片全球市場也占據(jù)領(lǐng)先位置，在藍牙音箱/耳機芯片、RFFE射頻前端芯片等領(lǐng)域位居國內(nèi)廠商出貨量前列。

東芝存儲器與西數(shù)聯(lián)合投資K1工廠

近期，東芝在其官網(wǎng)上宣布，東芝存儲器和西部數(shù)據(jù)公司已達成正式協(xié)議，共同投資東芝存儲器目前正在日本巖手縣北上市建造的K1制造工廠。

K1工廠將生產(chǎn)3D NAND Flash，以支持數(shù)據(jù)中心，智能手機和自動駕駛汽車等應(yīng)用中不斷增長的存儲需求。

東芝存儲器表示，K1工廠的建設(shè)預(yù)計將在2019年秋季完成，而東芝存儲器和西部數(shù)據(jù)對K1工廠設(shè)備的聯(lián)合投資將從2020年開始實現(xiàn)96層3D NAND Flash的初始生產(chǎn)，預(yù)計產(chǎn)量更高的時間則在2020年晚些時候開始。

Q1全球前十大封測廠商營收排名

根據(jù)集邦咨詢旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究院最新報告指出，受國際貿(mào)易紛爭沖擊、手機銷量下滑和存儲器市場供過于求的影響，2019年第一季全球前十大封測業(yè)者營收預(yù)估為47.1億美元，年減11.8%。

其中，安靠、江蘇長電、通富微電、天水華天、力成與聯(lián)測第一季營收皆呈現(xiàn)雙位數(shù)跌幅。

觀察中國大陸封測三雄——江蘇長電、通富微電、天水華天的營收狀況，2019年第一季營收由于受到中美貿(mào)易紛爭的陰霾籠罩、中國大陸經(jīng)濟降速等因素影響，中國大陸封測業(yè)者第一季營收皆較去年同期跌幅達雙位數(shù)。

在國際貿(mào)易紛爭越演越烈及市場需求疲軟的條件下，封測產(chǎn)業(yè)的營收表現(xiàn)恐將持續(xù)受到影響。

考慮到當(dāng)下的國際貿(mào)易環(huán)境與全球手機銷量下滑等因素沖擊，大環(huán)境氛圍轉(zhuǎn)趨悲觀，拓墣產(chǎn)業(yè)研究院對于接下來的封測營收表現(xiàn)持保守態(tài)度。

臺積電5納米制程明年Q1量產(chǎn)

在5月23日召開的臺積電2019年度技術(shù)論壇上，臺積電總裁魏哲家表示，臺積電7納米制程技術(shù)已于去年量產(chǎn)，而7納米加入EUV的加強版也已完成，并將于第3季量產(chǎn)；5納米制程方面，目前也已經(jīng)完成試產(chǎn)，預(yù)計明年第1季量產(chǎn)，且仍會是全世界最先進的制程技術(shù)。

至于臺積電4月份推出的6納米(N6)制程技術(shù)，臺積電預(yù)計將在明年實現(xiàn)量產(chǎn)。根據(jù)臺積電此前公布的資料，臺積電推出6納米制程主要是為強化7納米技術(shù)，提升效能/成本優(yōu)勢且加速產(chǎn)品上市時間。

臺積電2廠及5廠廠長簡正忠預(yù)計，2019年臺積電總產(chǎn)能將微幅增加2%，擴增至1200萬片約當(dāng)12英寸晶圓。其中，以7納米產(chǎn)能增加最多，總產(chǎn)能將超過100萬片規(guī)模，將增加1.5倍。

此外，臺積電還表示，目前臺積電南京12英寸晶圓廠月產(chǎn)能為1萬片，今年底前將擴產(chǎn)5000片，達到1.5萬片，明年將進一步擴產(chǎn)至2萬片規(guī)模。

美光最新技術(shù)路線圖公布

近日，美光召開了2019年投資者大會，在大會中上，美光展示了DRAM和NAND Flash下一代技術(shù)的發(fā)展以及規(guī)劃。

DRAM方面，美光將持續(xù)推進1Znm DRAM技術(shù)，并且還將基于該先進技術(shù)推出16Gb LPDDR4。而在1Znm DRAM技術(shù)之后，美光還將發(fā)展1α、1β、1γ。

未來美光DRAM產(chǎn)品研發(fā)計劃采用EUV技術(shù)。美光表示，其擁有從1Znm至1ynm的成熟的技術(shù)和成本效益，而多重曝光微影技術(shù)是它的戰(zhàn)略性優(yōu)勢。目前，DRAM的EUV光刻技術(shù)正在進行評估中，準備在合適的時候?qū)崿F(xiàn)對EUV技術(shù)的應(yīng)用。

NAND Flash方面，繼96層3D NAND之后，美光計劃下一代研發(fā)128層3D NAND，采用64+64層的結(jié)構(gòu)。

另外，為了在芯片尺寸、連續(xù)寫入性能、寫入功耗方面領(lǐng)先，美光研發(fā)128層3D NAND時，將實現(xiàn)從Floating Gate技術(shù)向Replacement Gate技術(shù)過渡的重大進展，以及對CuA（CMOS under Array）技術(shù)的持續(xù)利用。

Marvell收購格芯旗下半導(dǎo)體公司

近日，美滿電子(Marvell)宣布與格芯(GLOBALFOUNDRIES)已達成協(xié)議，將收購格芯專用集成電路（ASIC）業(yè)務(wù)Avera Semiconductor。與此同時，Marvell還與格芯簽署了新長期晶圓供應(yīng)協(xié)議。

根據(jù)協(xié)議條款，如果在未來15個月內(nèi)滿足某些商業(yè)條件，Marvell將在收盤時向格芯支付6.5億美元現(xiàn)金以及額外的9000萬美元現(xiàn)金。在收到監(jiān)管部門批準和其他慣例成交條件之前，該交易預(yù)計將在Marvell 2020財年結(jié)束時完成。

獲取了Avera工程師和IP之后，Marvell有望在其他市場中來加強其基站ASIC定制業(yè)務(wù)，這將對其收入和盈利能力產(chǎn)生積極影響。

對于格芯而言，由于格芯已停止開發(fā)前沿制程節(jié)點(7nm+)，轉(zhuǎn)向?qū)I(yè)制程技術(shù)，其客戶基礎(chǔ)和業(yè)務(wù)需求也在發(fā)生變化，出售Avera業(yè)務(wù)是格芯進行更大轉(zhuǎn)變的一部分。

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