60億元砷化鎵集成電路項(xiàng)目落戶嘉興

日前，在首屆“南湖之春”國(guó)際經(jīng)貿(mào)洽談會(huì)上，砷化鎵集成電路項(xiàng)目簽約落戶。據(jù)報(bào)道，該項(xiàng)目是由嘉頤微電子和美國(guó)Duet Microelectronics投資，主要從事半導(dǎo)體微波集成電路和垂直腔面激光發(fā)射器研發(fā)制造，總投資60億元，用地100畝，預(yù)計(jì)年產(chǎn)值80億元、年稅收4億元以上。

該項(xiàng)目是這次活動(dòng)會(huì)簽約額最大的項(xiàng)目，是南湖區(qū)根據(jù)產(chǎn)業(yè)導(dǎo)向，大力發(fā)展數(shù)字經(jīng)濟(jì)、招大引強(qiáng)的又一代表。資料顯示，項(xiàng)目投資合作方Duet Microelectronics是一家射頻半導(dǎo)體解決方案提供商，另一投資方嘉頤微電子則暫未顯示更多的信息。

砷化鎵是化合物半導(dǎo)體主流產(chǎn)品之一，主要應(yīng)用于微電子領(lǐng)域和光電子領(lǐng)域，是制作半導(dǎo)體發(fā)光二極管和通信器件的關(guān)鍵襯底材料，目前國(guó)內(nèi)砷化鎵行業(yè)生產(chǎn)企業(yè)較少、產(chǎn)量不高，且大多以低端產(chǎn)品為主。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)2020年擴(kuò)產(chǎn)恐沖擊NAND Flash價(jià)格

作為NAND Flash發(fā)展主力的長(zhǎng)江存儲(chǔ)今年底前將依照進(jìn)程正式量產(chǎn)64層X(jué)tacking 3D NAND產(chǎn)品。對(duì)此，集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心（DRAMeXchange）指出，隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)2020年產(chǎn)能逐步擴(kuò)大，全球NAND Flash市場(chǎng)供給與價(jià)格將受到?jīng)_擊。

集邦咨詢還指出，長(zhǎng)江存儲(chǔ)初期著重國(guó)內(nèi)市場(chǎng)銷(xiāo)售，已于第一季送交樣品給部分客戶及控制器廠商。待長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層正式量產(chǎn)后，產(chǎn)能擴(kuò)張將轉(zhuǎn)趨積極，2020年后其產(chǎn)能規(guī)劃將逐步放大，預(yù)計(jì)到年底擴(kuò)張達(dá)至少60K/m的投片量。盡管相對(duì)其他競(jìng)爭(zhēng)者動(dòng)輒200K/m以上的產(chǎn)能并不算大，但預(yù)估NAND Flash市場(chǎng)價(jià)格仍會(huì)受到一定沖擊，進(jìn)而導(dǎo)致跌價(jià)趨勢(shì)持續(xù)。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)在推出64層產(chǎn)品后，相較于其他供應(yīng)商先發(fā)展9x層的步調(diào)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將直攻128層以縮減與其他供應(yīng)商的差距。盡管長(zhǎng)江存儲(chǔ)在技術(shù)發(fā)展上仍與主要供應(yīng)商有相當(dāng)差距，但未來(lái)對(duì)市場(chǎng)的影響恐怕勢(shì)難抵擋。

2019 Q1蘋(píng)果手機(jī)排名滑落至第三

根據(jù)全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)集邦咨詢（TrendForce）調(diào)查，今年第一季雖有急單涌現(xiàn)的狀況，但受到傳統(tǒng)淡季以及民眾換機(jī)意愿低落的影響，回溫力道不如去年強(qiáng)勁，總生產(chǎn)數(shù)僅3.11億支，較去年同期衰退9%。

根據(jù)集邦咨詢公布的第一季全球智能手機(jī)生產(chǎn)總量排名顯示。三星第一季生產(chǎn)總數(shù)為7250萬(wàn)支，排名第一；華為第一季生產(chǎn)總數(shù)達(dá)6050萬(wàn)支（華為自結(jié)出貨數(shù)量為5910萬(wàn)支），排名第二；蘋(píng)果第一季生產(chǎn)總量較去年同期大幅滑落26%，僅4150萬(wàn)支，全球排名滑落至第三；OPPO、小米、vivo分別名列全球第四名到第六名。

展望第二季，市場(chǎng)需求回歸穩(wěn)定，第二季下旬也將進(jìn)入旺季備料階段，預(yù)估智能手機(jī)的生產(chǎn)數(shù)量?jī)H較2018年同期的3.5億支持平，全年生產(chǎn)總量預(yù)估約14億支，較去年衰退3.7%。其中，華為第二季度生產(chǎn)總量將持續(xù)成長(zhǎng)，蘋(píng)果預(yù)計(jì)生產(chǎn)表現(xiàn)仍將較第一季衰退。

臺(tái)積電核準(zhǔn)39億美元預(yù)算

5月14日，晶圓代工龍頭臺(tái)積電董事會(huì)核準(zhǔn)約1217.8億元新臺(tái)幣（約39億美元）的資本預(yù)算，用于升級(jí)并擴(kuò)充先進(jìn)制程產(chǎn)能、轉(zhuǎn)換部分邏輯制程產(chǎn)能為特殊制程產(chǎn)能以及今年第三季度研發(fā)資本預(yù)算和經(jīng)常性資本預(yù)算。

此外，臺(tái)積電還核準(zhǔn)了35.2億元新臺(tái)幣（約1.1億美元）的資本預(yù)算，以支付今年下半年的資本化租賃資產(chǎn)。據(jù)悉，臺(tái)積電今年資本支出維持約100~110億美元，其中80%用于7納米、5納米、3納米等先進(jìn)制程產(chǎn)能建置與研發(fā)，10%用于先進(jìn)封測(cè)支出，還有10%用于特殊制程。

目前，臺(tái)積電7納米制程已量產(chǎn)，采用商用極紫外光（EUV）微影制程技術(shù)的7+納米也計(jì)劃在今年量產(chǎn)，上個(gè)月還推出了6納米制程技術(shù)，5納米制程預(yù)計(jì)將在今年第二季度進(jìn)入試產(chǎn)，3納米制程技術(shù)進(jìn)入全面開(kāi)發(fā)階段。

卓勝微IPO成功過(guò)會(huì)

5月16日，江蘇卓勝微電子股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“卓勝微”）IPO首發(fā)申請(qǐng)成功通過(guò)證監(jiān)會(huì)的審核。根據(jù)此前披露的招股書(shū)顯示，卓勝微將在深交所上市，本次發(fā)行的全部股份為新股，發(fā)行的新股數(shù)量不超過(guò)2500萬(wàn)股，本次發(fā)行后公開(kāi)發(fā)行股份數(shù)占總股數(shù)的比例不低于25% 。

根據(jù)招股書(shū)，卓勝微此次IPO擬募集資金約12億元，用于投建“射頻濾波器芯片及模組研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”、“射頻功率放大器芯片及模組研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”、 “射頻開(kāi)關(guān)和 LNA 技術(shù)升級(jí)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”、“面向 IoT 方向的 Connectivity MCU 研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”、“研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目”等五大項(xiàng)目。

公開(kāi)資料顯示，卓勝微成立于2012年，是一家集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)，主要提供射頻開(kāi)關(guān)、射頻低噪聲放大器等射頻前端芯片產(chǎn)品，并提供IP授權(quán)，應(yīng)用于智能手機(jī)等移動(dòng)智能終端。目前，卓勝微的射頻前端芯片已應(yīng)用于三星、小米、華為、vivo、OPPO、聯(lián)想、魅族、TCL 等終端廠商的產(chǎn)品當(dāng)中。

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