NAND Flash供需失衡態(tài)勢(shì)難止

根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心（DRAMeXchange）指出，2018年因供過于求難以遏制，韓系供應(yīng)商帶頭降低資本支出。NAND Flash總體資本支出下調(diào)近10%，但供需失衡的情形仍無法逆轉(zhuǎn)。2019年美系廠商減少資本支出，使得NAND Flash整體資本支出較2018年持續(xù)下滑約2%，總支出規(guī)模約為220億美元。

2019年NAND Flash價(jià)格走勢(shì)方面，DRAMeXchange指出，由于原廠在各產(chǎn)品線的合約價(jià)報(bào)價(jià)跌幅皆明顯高于預(yù)期，顯示原廠正面臨龐大的庫存壓力。因此，NAND Flash 2019年第一季市場(chǎng)均價(jià)季度跌幅度可能從原先估計(jì)的10%，一舉提高至20%水平，第二季報(bào)價(jià)可能將續(xù)跌將近15%。下半年有旺季需求，跌幅可望略微收斂，但各季價(jià)格跌幅仍將維持在10%左右水平，還要看原廠是否能再進(jìn)一步降低自身產(chǎn)出水位。

DRAMeXchange認(rèn)為，今年旺季若仍無足夠需求動(dòng)能支撐，NAND Flash市場(chǎng)均價(jià)跌幅則可能擴(kuò)大至50%水平，近乎腰斬。

華為發(fā)布7nm鯤鵬920芯片

1月7日，華為在深圳發(fā)布“鯤鵬920”芯片，據(jù)稱為目前業(yè)界最高性能ARM-based處理器，并同步推出基于鯤鵬920的泰山（TaiShan）系列服務(wù)器產(chǎn)品，將于2019年推出。

鯤鵬920采用7nm制造工藝，基于ARM架構(gòu)授權(quán)，由華為公司自主設(shè)計(jì)完成。該處理器有64個(gè)內(nèi)核，主頻可達(dá)2.6GHz，集成8通道DDR4，內(nèi)存帶寬超出業(yè)界主流46%，還集成100G RoCE以太網(wǎng)卡功能，大幅提高系統(tǒng)集成度，并支持PCIe4.0及CCIX接口，可提供640Gbps總帶寬。

據(jù)介紹，鯤鵬920是為大數(shù)據(jù)處理和分布式存儲(chǔ)等應(yīng)用而專門設(shè)計(jì)，能以更低功耗為數(shù)據(jù)中心提供更強(qiáng)性能。在基準(zhǔn)測(cè)試中，鯤鵬920典型主頻下的SPECint Benchmark評(píng)分超過930，超出行業(yè)基準(zhǔn)25%，同時(shí)能效比優(yōu)于業(yè)界標(biāo)桿30%。

中國IGBT市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)522億人民幣

集邦咨詢最新《2019中國IGBT產(chǎn)業(yè)發(fā)展及市場(chǎng)報(bào)告》顯示，2018年中國IGBT市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)為153億人民幣，相較2017年同比增長19.91%。受益于新能源汽車和工業(yè)領(lǐng)域的需求大幅增加，中國IGBT市場(chǎng)規(guī)模將持續(xù)增長，到2025年，中國IGBT市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到522億人民幣，年復(fù)合增長率達(dá)19.11%。

新能源汽車為IGBT最大市場(chǎng)，由于新能源汽車中IGBT約占其成本的10%，集邦咨詢預(yù)計(jì)到2025年，中國新能源汽車所用IGBT市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到210億人民幣，8年間累計(jì)新增市場(chǎng)份額達(dá)900億人民幣。此外，IGBT模塊占到充電樁成本的20%左右，集邦咨詢預(yù)計(jì)到2025年，充電樁所用IGBT的市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到100億人民幣，8年間累計(jì)新增市場(chǎng)份額達(dá)300億人民幣。

國產(chǎn)產(chǎn)能供應(yīng)主要來自晶圓代工廠，而晶圓代工廠的產(chǎn)能增量主要來源于新增8英寸廠的產(chǎn)能釋放和現(xiàn)有廠商的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)改變。集邦咨詢最新數(shù)據(jù)顯示，目前我國在建的8英寸廠共有8座，達(dá)產(chǎn)后總釋放產(chǎn)能超過30萬片。由于工藝技術(shù)和產(chǎn)能上占有優(yōu)勢(shì)，未來幾年Foundry廠將持續(xù)是國內(nèi)IGBT晶圓制造產(chǎn)能的主要提供者，F(xiàn)oundry廠在這個(gè)領(lǐng)域的增長空間巨大，且經(jīng)濟(jì)效益持續(xù)較為可觀。

紫光企業(yè)級(jí)3D NAND封測(cè)進(jìn)入量產(chǎn)

1月7日，紫光集團(tuán)宣布，旗下紫光宏茂微電子（上海）有限公司成功實(shí)現(xiàn)大容量企業(yè)級(jí)3D NAND芯片封測(cè)的規(guī)模量產(chǎn)。

根據(jù)紫光集團(tuán)存儲(chǔ)芯片戰(zhàn)略規(guī)劃，紫光宏茂自2018年4月起開始建設(shè)全新3D NAND封裝測(cè)試產(chǎn)線，組建團(tuán)隊(duì)、研發(fā)先進(jìn)封測(cè)技術(shù)；2018年5月完成無塵室建置；2018年6月開始投片實(shí)驗(yàn)；2018年9月完成產(chǎn)品初期驗(yàn)證；2018年11月產(chǎn)品通過客戶內(nèi)部驗(yàn)證；2019年1月順利實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，正式交付紫光存儲(chǔ)用于企業(yè)級(jí)SSD的3D NAND芯片顆粒。

紫光集團(tuán)表示，紫光宏茂企業(yè)級(jí)3D NAND芯片封測(cè)成功量產(chǎn)，標(biāo)志著內(nèi)資封測(cè)產(chǎn)業(yè)在3D NAND先進(jìn)封裝測(cè)試技術(shù)實(shí)現(xiàn)從無到有的重大突破，也為紫光集團(tuán)完整存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)鏈布局落下關(guān)鍵一步棋。

中環(huán)股份57億元投建8-12英寸硅片

1月7日，中環(huán)股份晚間公告稱，擬非公開發(fā)行股票不超5.57億股，募資總額不超過50億元，將用于集成電路用8-12英寸半導(dǎo)體硅片生產(chǎn)線項(xiàng)目、補(bǔ)充流動(dòng)資金。

公告顯示，這次募投項(xiàng)目總投資57.07億元，擬投入募集資金金額為45億元，項(xiàng)目由公司控股子公司中環(huán)領(lǐng)先實(shí)施，建設(shè)月產(chǎn)75萬片8英寸拋光片和月產(chǎn)15萬片12英寸拋光片生產(chǎn)線，建設(shè)期為3年，預(yù)計(jì)項(xiàng)目所得稅后內(nèi)部收益率為12.64%，所得稅后靜態(tài)投資回收期為 7.33 年。

中環(huán)股份表示，公司目前產(chǎn)品主要側(cè)重于新能源行業(yè)，半導(dǎo)體行業(yè)占比較低，現(xiàn)有半導(dǎo)體材料中5-6英寸硅片產(chǎn)銷量快速提升，8英寸硅片已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。本次募投項(xiàng)目投產(chǎn)后，8英寸硅片產(chǎn)能將進(jìn)一步增加，并實(shí)現(xiàn)12英寸硅片的量產(chǎn)。

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