2017智能手機(jī)出貨量或達(dá)13.9億部

華為上半年度經(jīng)營業(yè)績數(shù)據(jù)顯示，今年上半年華為智能手機(jī)發(fā)貨量同比增長20.6%，達(dá)7301萬臺。事實(shí)上，盡管上半年屬于傳統(tǒng)淡季，但在華為等國產(chǎn)手機(jī)的帶動下，全球智能手機(jī)生產(chǎn)總量較去年同期相比仍有所提升。

據(jù)全球市場研究機(jī)構(gòu)集邦咨詢（TrendForce）最新研究報告指出，上半年智能手機(jī)生產(chǎn)量達(dá)到約6.5億部，同比增長7%。進(jìn)入下半年之后，各大手機(jī)廠商則開始蠢蠢欲動，醞釀新產(chǎn)品的發(fā)布以搶占市場份額。

最新消息是，小米和魅族均于7月26日相繼在北京和珠海發(fā)布了新款智能手機(jī)小米5X和魅族Pro 7。加上蘋果即將發(fā)布的三款iPhone新機(jī)，下半年智能手機(jī)生產(chǎn)數(shù)量還將進(jìn)一步增加。集邦咨詢預(yù)計，2017年全年，全球智能手機(jī)生產(chǎn)總量將達(dá)13.9億部，下半年生產(chǎn)量將比上半年增長逾10%。

就產(chǎn)品趨勢而言，當(dāng)前輕薄化、大內(nèi)存、高像素、大容量電池、以及指紋識別等硬件規(guī)格已經(jīng)成為了智能手機(jī)產(chǎn)品的標(biāo)配。不過在硬件規(guī)格提升空間有限的情況下，各大手機(jī)廠商將目光瞄準(zhǔn)了全面屏，尤其是18:9屏幕手機(jī)。

當(dāng)前，除了已經(jīng)發(fā)布的三星S8以及LG G6之外，有消息稱下半年發(fā)布的iPhone 8也將采用18:9的面板。不可否認(rèn)，在這些國際大廠的推動下，今年下半年18:9全面屏手機(jī)或許將引領(lǐng)智能手機(jī)市場潮流。

聯(lián)電28納米需求減緩

7月26日，晶圓代工廠商聯(lián)電公布最新財報。報告顯示，第二季度，聯(lián)電營收為375.38億元新臺幣，季增0.3%；毛利率18%，季減1.9個百分點(diǎn)，營業(yè)凈利16.68億元新臺幣，季增21.7%。

在電腦周邊產(chǎn)品和通訊芯片等相關(guān)產(chǎn)品的帶動下，聯(lián)電晶圓整體產(chǎn)能利用率高達(dá)96%，8寸晶圓當(dāng)季出貨量為174.1萬片，營收達(dá)到374.5億元新臺幣。從先進(jìn)制程來看，第二季度，40納米以下營收比重與第一季相持平，達(dá)46%，其中14納米以下制程營收比重已達(dá)1%。

不過進(jìn)入第三季度后，由于聯(lián)電12寸晶圓產(chǎn)能利用率將降至84%-86%，所以即使8寸晶圓產(chǎn)能仍滿載，但整體產(chǎn)能利用率仍將有所下降，預(yù)計為91%-93%。

其中受影響最大的就是28納米HKMG制程，由于聯(lián)電28納米制程集中在少數(shù)客戶手中，容易受客戶需求波動的影響，加上部分客戶已將工藝制程轉(zhuǎn)向更先進(jìn)技術(shù)，使得聯(lián)電下半年在該制程的營收將進(jìn)入調(diào)整期。

聯(lián)電總經(jīng)理王石預(yù)期，待客戶訂單與制程改善后，需求將會提升，屆時聯(lián)電營收自然有望同步上漲。

合晶鄭州廠硅單晶拋光片項目動土

7月27日上午，總投資53億元，占地面積153畝的合晶年產(chǎn)200mm硅單晶拋光片項目正式落戶鄭州航空港。預(yù)計年產(chǎn)量將達(dá)240萬片，主要建設(shè)200mm（8寸）、300mm（12寸）硅材料襯底片和外延片生產(chǎn)基地。

Source：河南省重點(diǎn)項目建設(shè)網(wǎng)

據(jù)悉，該項目建成后預(yù)計年產(chǎn)值20億元。項目共分兩期實(shí)施，一期項目投資12億元，主要建設(shè)8寸硅材料襯底片，月產(chǎn)能約為20萬片；二期項目投資41億元，建設(shè)12寸硅材料襯底片和外延片，預(yù)計產(chǎn)能分別為25萬片和9萬片。

資料顯示，合晶科技是全球第七大半導(dǎo)體硅芯片制造商，擁有多個先進(jìn)的半導(dǎo)體硅芯片制造廠（中國臺灣的龍?zhí)逗蜅蠲窂S以及大陸的上海合晶、揚(yáng)州合晶和上海晶盟），主要產(chǎn)品為半導(dǎo)體級拋光硅芯片如襯底片、硅晶棒、雙面拋光片與半導(dǎo)體級外延片。

本次200mm硅單晶拋光片項目的動土，意味著未來我國200mm硅材料襯底片需求將得到有效供應(yīng)，同時也將打破300mm硅片長期依賴進(jìn)口的局面。

2017 SK海力士投資額將達(dá)7萬億韓元

由于大數(shù)據(jù)、人工智能等產(chǎn)業(yè)的崛起，DRAM和NAND Flash產(chǎn)品供不應(yīng)求導(dǎo)致存儲器價格持續(xù)上漲幾乎成為了市場常態(tài)，基于此，各大存儲器廠商紛紛開始投資擴(kuò)產(chǎn)。

例如三星計劃到2021年，將投入14.4萬億韓元擴(kuò)充平澤市NAND Flash廠（約合125.4億美元），并對華城市新建的半導(dǎo)體生產(chǎn)線投入6萬億韓元（約合52.3億美元）。

在產(chǎn)品研發(fā)方面，SK海力士已于今年上半年成功推出72層3D NAND Flash產(chǎn)品。此外，為提升市場競爭力，今年下半年開始，SK海力士還將在持續(xù)增加14納米制程的NAND Flash產(chǎn)量，同時提高1x納米生產(chǎn)制程的DRAM生產(chǎn)比例。