中國(guó)半導(dǎo)體新廠明年下半年陸續(xù)投片
日前,國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金總經(jīng)理丁文武指出,2016年中國(guó)集成電路進(jìn)口金額為2270.7億美元,同比下降1.2%,出口金額為613.8億美元,同比下降11.1%,逆差達(dá)到1656.9億美元。
作為全球集成電路產(chǎn)品消耗最大的國(guó)家,中國(guó)一直面臨著“缺芯”的困擾,自主研發(fā)成為了中國(guó)發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)的首要任務(wù)。
為解決這一問題,近年來(lái),中國(guó)半導(dǎo)體廠商希望通過海外并購(gòu)?fù)顿Y和建廠等方式,縮短與國(guó)際廠商的差距,但隨著以紫光集團(tuán)為主的海外并購(gòu)案屢屢受阻,加速自主研發(fā),擴(kuò)充產(chǎn)能就成了中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要途徑。
在國(guó)家大基金和地方政府產(chǎn)業(yè)投資基金等政策的引導(dǎo)和支持下,中國(guó)陸續(xù)開建了多個(gè)集成電路產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目。據(jù)不完全統(tǒng)計(jì),包括現(xiàn)有產(chǎn)線擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目在內(nèi),目前中國(guó)已開增15條產(chǎn)線,且大部分都計(jì)劃在2018年下半年陸續(xù)投產(chǎn)。
另外,據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院最新研究顯示,當(dāng)前中國(guó)正在建造和規(guī)劃的12寸晶圓廠達(dá)11座,未來(lái)新增加的12寸晶圓月產(chǎn)能將超過90萬(wàn)片,其中長(zhǎng)江存儲(chǔ)、福建晉華、合肥長(zhǎng)鑫及南京紫光等廠商都將目標(biāo)鎖定在DRAM和3D NAND Flash存儲(chǔ)器領(lǐng)域。
廈門聯(lián)芯28納米Q2量產(chǎn)
3月21日,晶圓代工廠聯(lián)電發(fā)布公告稱,其28納米工藝授予轉(zhuǎn)投資廈門子公司聯(lián)芯集成電路制造有限公司(以下簡(jiǎn)稱“聯(lián)芯”)已經(jīng)獲得核準(zhǔn),授權(quán)金額為2億美元,預(yù)計(jì)2017年第二季度即可實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),未來(lái)將供應(yīng)大陸智能手機(jī)市場(chǎng)。
資料顯示,廈門聯(lián)芯廠于2015年3月動(dòng)工,僅20個(gè)月即開始量產(chǎn)客戶產(chǎn)品(2016年11月),初期以40納米工藝為主,目前產(chǎn)品良率已經(jīng)高達(dá)99%。此次獲得聯(lián)電28納米技術(shù)授權(quán),不僅可以提升技術(shù)層次,同時(shí)還可以加快搶攻手機(jī)芯片代工市場(chǎng)業(yè)務(wù)。
據(jù)悉,目前聯(lián)芯的產(chǎn)能為1.1萬(wàn)片/月,28納米量產(chǎn)之后,預(yù)計(jì)最快將在年底擴(kuò)充至1.6萬(wàn)片/月的規(guī)模,屆時(shí),聯(lián)芯將有機(jī)會(huì)拿下更多半導(dǎo)體業(yè)務(wù)訂單。
根據(jù)資料顯示,聯(lián)芯是大陸華南地區(qū)第一座12寸晶圓廠,項(xiàng)目總投資62億美元。此外,聯(lián)電在今年20億美元的資本支出中,將有一半會(huì)用于聯(lián)芯的產(chǎn)能擴(kuò)充上,規(guī)劃最大產(chǎn)能為5萬(wàn)片/月12寸晶圓。
蔡力行重磅加盟聯(lián)發(fā)科
3月22日,IC設(shè)計(jì)廠商聯(lián)發(fā)科宣布,自2017年 7月1日起,前中華電信董事長(zhǎng)蔡力行將加盟,擔(dān)任聯(lián)發(fā)科共同執(zhí)行長(zhǎng)和集團(tuán)副總裁職位,未來(lái)工作直接對(duì)董事長(zhǎng)暨執(zhí)行長(zhǎng)蔡明介負(fù)責(zé)。同時(shí),聯(lián)發(fā)科董事會(huì)還通過并提名了蔡力行任公司董事。
聯(lián)發(fā)科之所以招募蔡力行,主要是看中其在半導(dǎo)體、通訊領(lǐng)域的專才以及國(guó)際化的專業(yè)管理經(jīng)驗(yàn)與能力,可以幫助公司進(jìn)一步拓展與客戶及產(chǎn)業(yè)鏈的伙伴關(guān)系,與現(xiàn)有經(jīng)營(yíng)團(tuán)隊(duì)一同開創(chuàng)新局。
資料顯示,在卸任中華電信董事長(zhǎng)之前,蔡力行就職于臺(tái)積電,并擔(dān)任公司總經(jīng)理暨總執(zhí)行長(zhǎng)一職,對(duì)半導(dǎo)體晶圓代工等方面的布局和執(zhí)行細(xì)節(jié)都非常熟悉。此次加盟聯(lián)發(fā)科,將鞏固雙方在半導(dǎo)體業(yè)務(wù)方面的合作,幫助聯(lián)發(fā)科進(jìn)一步拓展半導(dǎo)體市場(chǎng)。
蔡力行入職后,將與蔡明介共同規(guī)劃聯(lián)發(fā)科中長(zhǎng)期戰(zhàn)略藍(lán)圖,持續(xù)提升公司的國(guó)際化經(jīng)營(yíng)能力,使聯(lián)發(fā)科成為卓越的世界級(jí)公司。同時(shí),公司未來(lái)還將持續(xù)發(fā)力無(wú)線通訊、數(shù)字多媒體IC設(shè)計(jì)、電源管理產(chǎn)品、物聯(lián)網(wǎng)及車用電子產(chǎn)業(yè)等領(lǐng)域。
高通攜日月光在巴西建封測(cè)廠
近日,封測(cè)廠日月光證實(shí),將與手機(jī)芯片大廠高通在巴西圣保羅州(Sao Paulo)建設(shè)半導(dǎo)體封測(cè)廠,初期擬共同合資2億美元,但目前尚處在討論階段,具體計(jì)劃還未出爐。
日月光發(fā)布聲明稱,已經(jīng)與高通和巴西政府簽署了不具法律約束力的備忘錄(Memorandum Of Understanding,“MOU”),達(dá)成最后共識(shí)并簽署正式合約后,將依法辦理相關(guān)公告。
相關(guān)人士指出,日月光及高通合資的巴西廠,未來(lái)將主攻高端手機(jī)芯片封測(cè)、物聯(lián)網(wǎng)的系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)等領(lǐng)域,若一切進(jìn)行順利,預(yù)估2018年就可開始營(yíng)運(yùn)。
在業(yè)內(nèi)人士看來(lái),雙方之所以選擇在巴西設(shè)廠,主要是基于以下兩點(diǎn)考慮:
一、巴西人口超過2億,是全球人口數(shù)排名第五,南美洲人口數(shù)排名第一的國(guó)家,對(duì)智能手機(jī)和物聯(lián)網(wǎng)的需求非常強(qiáng)勁;
二、當(dāng)前4G智能手機(jī)市場(chǎng)增長(zhǎng)迅速,巴西政府提出了許多補(bǔ)助及租稅上的優(yōu)惠政策吸引國(guó)際大廠前往設(shè)廠。
基于此,在市場(chǎng)和政策的雙重“誘惑”下,日月光和高通選擇巴西也就不難理解。
三星NAND存儲(chǔ)器新廠上半年投產(chǎn)
2015年,三星宣布將投資15.6萬(wàn)億韓元(約144億美元)在韓國(guó)建造一座新的半導(dǎo)體工廠。如今兩年過去,目前,該廠正在順利施工,第一階段施工已經(jīng)完成90%。
據(jù)悉,這座位于首爾南部的新芯片工廠,是三星史上對(duì)單一工廠進(jìn)行的最大一筆投資,將在今年上半年如期投產(chǎn)。
此前,韓國(guó)媒體曾報(bào)道,三星新芯片廠將會(huì)用于生產(chǎn)DRAM內(nèi)存芯片,不過最新消息是,該工廠將主要用于生產(chǎn)高容量3D NAND Flash。
事實(shí)上,三星在NAND Flash市場(chǎng)一直穩(wěn)坐全球冠軍寶座,據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)研究顯示,受惠于供給吃緊,2016年第四季度,三星NAND Flash位元出貨量季成長(zhǎng)11~15%,平均銷售單價(jià)(ASP)成長(zhǎng)逾5%,營(yíng)收達(dá)到44.74億美元,季增漲近20%,市占率也提升至37.1%。
三星NAND存儲(chǔ)器新廠的投產(chǎn),不僅可以緩解目前NAND Flash供給持續(xù)吃緊的情況,同時(shí)也可以進(jìn)一步鞏固其在NAND Flash領(lǐng)域的龍頭地位。