集邦看好2017年存儲(chǔ)器市場(chǎng)

11月10日，全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦科技在中國(guó)臺(tái)灣舉辦集邦拓墣2017年科技產(chǎn)業(yè)大預(yù)測(cè)研討會(huì)，并表示依然看好2017年全球DRAM和NAND Flash市況。

就DRAM市場(chǎng)而言，2016年，在三星、SK海力士和美光三大DRAM廠將產(chǎn)能從標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存持續(xù)轉(zhuǎn)向行動(dòng)式內(nèi)存和服務(wù)器用內(nèi)存的推動(dòng)下，連續(xù)衰退了三個(gè)季度的標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存價(jià)格在第四季終于迎來飆漲，漲幅逾30%，同時(shí)連帶其它DRAM產(chǎn)品價(jià)格也呈上漲趨勢(shì)。

此外，由于制程微縮進(jìn)入后20納米瓶頸，各大DRAM廠商減少資本支出，且策略均以獲利為主，加上各廠放慢對(duì)更先進(jìn)制程的轉(zhuǎn)進(jìn)腳步，在新產(chǎn)能擴(kuò)張與新制程均有所收緊的前提下，明年DRAM市場(chǎng)供給短缺情況將持續(xù)。TrendForce預(yù)計(jì)，2017年DRAM產(chǎn)業(yè)將進(jìn)入全面獲利時(shí)代。

至于NAND Flash部分，TrendForce集邦科技旗下存儲(chǔ)研究品牌DRAMeXchange（全球半導(dǎo)體觀察）研究協(xié)理?xiàng)钗牡谜J(rèn)為，2017年3D NAND Flash進(jìn)度將是Flash產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵所在。

具體而言，2016年智能手機(jī)市場(chǎng)需求強(qiáng)勁，以及NAND Flash廠商積極將2D NAND轉(zhuǎn)向3D NAND，使得今年下半年NAND市場(chǎng)供不應(yīng)求。進(jìn)入2017年后，2D NAND產(chǎn)能將持續(xù)快速下滑，3D NAND在技術(shù)研發(fā)和良率方面也將面臨挑戰(zhàn)。此種情況下，TrendForce預(yù)估，2017年NAND Flash市場(chǎng)仍將延續(xù)2016年供不應(yīng)求的市場(chǎng)趨勢(shì)。

華力二期12英寸晶圓生產(chǎn)線啟動(dòng)

中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展經(jīng)過前期大量的投資布局后，在今年下半年正式進(jìn)入產(chǎn)能啟動(dòng)密集期。

11月9日，總投資達(dá)387億元的華力二期12英寸高工藝等級(jí)晶圓生產(chǎn)線項(xiàng)目正式啟動(dòng)，這是繼中芯國(guó)際10月份以來連續(xù)啟動(dòng)上海（12英寸）、天津（8英寸）和深圳（12英寸）晶圓生產(chǎn)線之后中國(guó)布局的有一條先進(jìn)晶圓生產(chǎn)線。

據(jù)悉，該項(xiàng)目是國(guó)內(nèi)第一條全自動(dòng)芯片生產(chǎn)線，初期設(shè)計(jì)工藝為28納米，而后逐漸向20、14納米轉(zhuǎn)進(jìn)，主要從事邏輯芯片生產(chǎn)，重點(diǎn)服務(wù)國(guó)內(nèi)設(shè)計(jì)企業(yè)先進(jìn)芯片的制造需求，并滿足部分事關(guān)國(guó)家信息安全的重點(diǎn)芯片制造。預(yù)計(jì)該項(xiàng)目完成后產(chǎn)能規(guī)模為4萬片/月。屆時(shí)，華力12英寸晶圓生產(chǎn)線生產(chǎn)產(chǎn)能將達(dá)到7.5萬片/月。

根據(jù)計(jì)劃，項(xiàng)目將在2016年底正式動(dòng)工，2018年年底完成工藝串線、試生產(chǎn)，2020年實(shí)現(xiàn)14納米FinFET產(chǎn)品生產(chǎn)能力，而中國(guó)集成電路制造能力也將因此覆蓋0.5微米到14納米各工藝技術(shù)平臺(tái)。

值得一提的是，華力12英寸晶圓生產(chǎn)項(xiàng)目是2010年啟動(dòng)的國(guó)家“909”工程項(xiàng)目，此次是“909工程”二次升級(jí)改造，該項(xiàng)目已被列入國(guó)家《“十三五”集成電路產(chǎn)業(yè)重大生產(chǎn)力布局規(guī)劃》，國(guó)家“910工程”的子項(xiàng)目之中，也是“十三五”期間上海市重大產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目。

高通上海半導(dǎo)體測(cè)試廠開業(yè)

11月8日，美國(guó)高通半導(dǎo)體制造與測(cè)試公司高通通訊技術(shù)（上海）有限公司（Qualcomm Communication Technologies (Shanghai) Co. Ltd.）在上海正式開業(yè)，這是高通全球首家半導(dǎo)體芯片測(cè)試實(shí)體公司。

據(jù)悉，高通新公司將與半導(dǎo)體封裝和測(cè)試服務(wù)提供商安靠（Amkor）合作開展半導(dǎo)體制造測(cè)試業(yè)務(wù)，目前專注于芯片和系統(tǒng)測(cè)試環(huán)節(jié)，包括高通驍龍系列和手機(jī)射頻芯片等在內(nèi)的產(chǎn)品都將在上海新公司測(cè)試完成后再運(yùn)往全球各地的客戶手中，未來還將拓展至晶圓級(jí)測(cè)試領(lǐng)域。

事實(shí)上，高通此舉無論是對(duì)高通自身還是對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展來說都是雙贏的局面。

高通此次在上海設(shè)立半導(dǎo)體測(cè)試中心，無疑將進(jìn)一步擴(kuò)大其在華的業(yè)務(wù)范圍，推動(dòng)制造、封測(cè)等各環(huán)節(jié)在中國(guó)的市場(chǎng)化戰(zhàn)略。而對(duì)于中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展而言，高通新公司的成立將對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展專業(yè)能力的提升發(fā)揮重要作用。

南亞科314億新臺(tái)幣取得美光逾5%股權(quán)

隨著美光收購(gòu)華亞科轉(zhuǎn)換股份的基準(zhǔn)日確定在12月6日后，備受業(yè)界關(guān)注的南亞科投資美光一案也終于敲定。

11月9日，南亞科召開董事會(huì)，確定以每股價(jià)格17.29美元（約合人民幣117.8元）、314.57億新臺(tái)幣（約合人民幣67.4億元）的交易總金額投資美光私募普通股。股權(quán)交割完成后，南亞科將獲得美光5.02%的股權(quán)，成為美光第三大股東。

作為美光收購(gòu)華亞科三大條件的終極關(guān)卡，該私募案的確定也意味著美光華亞科收購(gòu)案有望在今年年底全部完成。屆時(shí)，為持續(xù)深化雙方合作，美光也將協(xié)助南亞科全力推進(jìn)20 納米制程轉(zhuǎn)換進(jìn)度。

據(jù)悉，該交易對(duì)南亞科的長(zhǎng)遠(yuǎn)發(fā)展具有重要意義，通過投資美光普通私募股，不僅可以加深南亞科與美光的策略伙伴關(guān)系，同時(shí)還可以取得美光1x/1y納米DRAM制程技術(shù)及產(chǎn)品授權(quán)的選擇權(quán)，有效提升其長(zhǎng)期競(jìng)爭(zhēng)力。