By CH Chen, Market Intelligence Team, DRAMeXchange

隨著行動通訊應(yīng)用服務(wù)的日益多元化，不論是語音、數(shù)據(jù)、影像或是多媒體等應(yīng)用內(nèi)容，都已經(jīng)是相當(dāng)成熟的加值服務(wù)，可是相對地對于手機(jī)用的內(nèi)存卻是形成某種程度的考驗(yàn)，因?yàn)槭謾C(jī)用的內(nèi)存必須要不斷提升單位密度，并降低功耗以求省電，同時(shí)更需要因應(yīng)手機(jī)體積日益小巧的需求，縮小內(nèi)存IC的尺寸，最后還要利用多芯片封裝（MCP；Multi-Chip-Package）技術(shù)將越來越多的內(nèi)存濃縮放在越來越小的空間，綜觀這些需求都對內(nèi)存制造商形成莫大的挑戰(zhàn)，但是也說明隨著手機(jī)市場的逐年成長，手機(jī)用的內(nèi)存市場需求未來成長爆發(fā)性將不可限量。

根據(jù)集邦科技推估，隨著手機(jī)多媒體應(yīng)用日漸增多的趨勢，整個(gè)手機(jī)用的內(nèi)存（不含NOR Flash、NAND Flash）從2003到2007年復(fù)合成長率將達(dá)110%，未來手機(jī)用內(nèi)存市場需求未來將不可限量，也將會吸引越來越多內(nèi)存制造商加入生產(chǎn)行列，畢竟以內(nèi)存制造商而言，若是可以減少標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存的產(chǎn)出，改為生產(chǎn)其它手機(jī)用內(nèi)存，不僅可以降低標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存市場大起大漲的風(fēng)險(xiǎn)，同時(shí)營收也可以隨著手機(jī)市場成長而上揚(yáng)。

手機(jī)用內(nèi)存種類多樣化 非揮發(fā)性內(nèi)存VS. 揮發(fā)性內(nèi)存

目前常見于手機(jī)上的內(nèi)存可分成非揮發(fā)性內(nèi)存（Non-Volatile）以及揮發(fā)性內(nèi)存（Volatile）兩種，其中NOR Flash及NAND Flash屬于非揮發(fā)性內(nèi)存，所謂的非揮發(fā)性內(nèi)存是指在電流關(guān)閉后，暫存于內(nèi)存上的數(shù)據(jù)不會隨之消失，所以多用于儲存韌體程序(Firmware)、程序代碼(Code)，此類內(nèi)存的技術(shù)門坎也較高。

NOR Flash是由英特爾(Intel)所發(fā)展出來的架構(gòu)，讀取速度較NAND Flash快，可以在單位區(qū)塊(Block)上進(jìn)行讀寫，需要高電壓和較長的涂抹時(shí)間，在手機(jī)中主要用于儲存BIOS及程序代碼，其特性為讀取速度快，可以在手機(jī)開機(jī)時(shí)，迅速讀取手機(jī)上所設(shè)定的程序與數(shù)據(jù)。

NAND Flash則是由東芝(Toshiba)所發(fā)展出來的架構(gòu)，讀取數(shù)據(jù)速度較NOR Flash慢，但有較小的記憶晶胞(Memory Cell)面積，每Megabit成本較NOR Flash為低，因此目前市面上的大容量Flash產(chǎn)品都以NAND Flash為主，可作為消費(fèi)性電子產(chǎn)品數(shù)據(jù)(Data)儲存之用，在手機(jī)上主要用于儲存數(shù)據(jù)文件，包含圖鈴、相片、游戲等，其特性為抹除、寫入速度快，可迅速的移除、寫入檔案。

至于揮發(fā)性內(nèi)存可大略分為兩種SRAM(包含Low Power SRAM、Pseudo SRAM)、SDRAM（包含Low Power SDRAM、Low Power DDR SDRAM）兩種，不同于非揮發(fā)性內(nèi)存，揮發(fā)性內(nèi)存當(dāng)電流關(guān)掉后，儲存在內(nèi)存里面的數(shù)據(jù)也會隨之消失。

Low Power SRAM為傳統(tǒng)6個(gè)晶體管結(jié)構(gòu)（6T結(jié)構(gòu)），相較于Pseudo SRAM，不論在體積及成本上都屈于弱勢，但電力消耗較小為其優(yōu)點(diǎn)，這也使得手機(jī)在緩沖存儲器的選擇上Low Power SRAM還是頗具優(yōu)勢，不過在高容量的產(chǎn)品上，由于單價(jià)過高，市場逐漸被Pseudo SRAM給侵蝕。

而Pseudo SRAM是以DRAM記憶胞（Cell)為數(shù)據(jù)儲存架構(gòu)，并結(jié)合SRAM的I/O與控制接口，由于手機(jī)制造商過去對于SRAM的設(shè)計(jì)較為熟悉，將DRAM包覆著SRAM的接口，可以讓手機(jī)制造商容易轉(zhuǎn)換為成本較低的DRAM，但又不用更改手機(jī)的設(shè)計(jì)；由于Pseudo SRAM本身為DRAM結(jié)構(gòu)，DRAM結(jié)構(gòu)為1個(gè)晶體管和一個(gè)電容的架構(gòu)（1T架構(gòu))，體積小、成本低，但省電性較差為其缺點(diǎn)，故Pseudo SRAM現(xiàn)階段在16M容量以上的產(chǎn)品較具市場競爭力。