一、前言

由于DDR2成為主流時程不斷延后，除了Intel芯片組缺貨問題外，DDR2 400MHz、DDR2 533MHz效能未較DDR 400MHz明顯增加，使得消費者對于DDR2興趣缺缺，也進而影響到Clone市場對于DDR2的接受程度。因此本文將探討Memory speed 提升至DDR2 667MHz之后，能否帶動DDR2成為主流以及DDR2 800MHz、DDR3的發(fā)展時程。

二、為何DDR2 667 MHz以上效能較DDR 400MHz明顯提升

內(nèi)存是透過不停充電及放電的動作來記錄數(shù)據(jù)，DDR把技術(shù)提升至在充電及放電時都能存取數(shù)據(jù)，故100MHz的DDR可達至200Mbps存取速度。而DDR 2比DDR更容易提升速度，主要差異在于DDR 2將I/O Buffer提升至內(nèi)存核心頻率(Core Frequency)的一倍，因此DDR 2內(nèi)存會在每一個MHz傳送4Bit的數(shù)據(jù)給I/O Buffer，比DDR每筆傳送2Bit多一倍，故此在同一內(nèi)存核心頻率下，DDR 2的內(nèi)存會比DDR速度快一倍，這技術(shù)稱為4Bit Prefetch。

但是在同樣的內(nèi)存核心頻率下，DDR與DDR2 會有相同的延遲時間，核心頻率越低延遲時間越長，而DDR2 400MHz的內(nèi)存核心頻率是100MHz，也就是說DDR2 400的延遲要高于內(nèi)存核心頻率為200MHz的DDR400，也使得現(xiàn)階段在主機板普遍都支持雙通道技術(shù)下，DDR2 533MHz 在實測值上并未明顯高出DDR 400，需要到DDR2 667MHz之后才會拉開距離 (Figure 1)。

三、DDR2 667MHz、DDR2 800MHz 的時程表

Memory Speed的提升對于DRAM制造商而言并非太困難，主要挑戰(zhàn)在于需要將內(nèi)存工作電壓控制JEDEC公布的規(guī)范1.8V±0.1V水平。而Memory Speed的提升主要取決于當初芯片的設(shè)計以及制程微縮技術(shù)的影響。在0.11um下，一片Wafer可以挑撿出DDR2 667 MHz的比例約30%，而進展到90nm之后，一片Wafer可以挑撿出DDR2 667 MHz的比例可達90%。

現(xiàn)階段絕大部分DRAM制造商在DDR2 667MHz已通過Intel認證，并小量出貨，但在價格上仍較DDR2 533MHz有10%左右價差。在目前DDR2 庫存滿坑滿谷的情況下，為了要順利賣出DDR2 產(chǎn)出甚至也有廠商將DDR2 667MHz的顆粒標示成DDR2 533MHz出售的狀況。至于在DDR2 800MHz隨著DRAM制造商90nm 技術(shù)的成熟，約在2006年上半年即可開始量產(chǎn)(Figure 2)。

四、DDR3 的時程表

而DDR2 Memory Speed 達到800 MHz之后就將即進入DDR3。就基本架構(gòu)上，DDR3與DDR2并無太大差別，但是提高傳輸速率方法由4 bit Prefetch提升到8 bit Prefetch，使得DDR3 Memory Speed 為800MHz至1600MHz。目前已有少數(shù)幾家廠商如三星、Infineon宣布開發(fā)出DDR3 內(nèi)存芯片，現(xiàn)階段主要應(yīng)用領(lǐng)域在于高階的繪圖卡上。

其實早在2002年中，JEDEC就已經(jīng)開始發(fā)表DDR3 的內(nèi)存標準。但是隨著DDR2成為主流時程不斷延后，DDR3標準規(guī)格也尚未完全確定，也使得Intel將DDR3的推出時程延至2007年。而依照以往經(jīng)驗至少也需要到2008年以后才有機會成為主流，而屆時世代交替過程也會像DDR2一樣，從Server、NB等對于省電要求較高的產(chǎn)品開始轉(zhuǎn)換起。

五、結(jié)論

盡管Memory speed 超越DDR2 667MHz之后效能明顯提升，將可望刺激部分頂級玩家的需求，但整體大量的普及仍需要外圍硬件的配合。目前NB方面，在Intel芯片組供給無虞下，DDR2的滲透率已相當高，但在DT市場比重仍偏低，尤其是支持DT的Intel 945芯片組目前僅能供應(yīng)PC OEM廠，至于Clone市場仍無法取得足夠的芯片組，也使得DDR2 需求未見起色。而明年Q2以后，AMD推出支持DDR2 CPU，而SIS、VIA也預計在明年Q2左右推出支持DDR2芯片組，DDR2在外圍硬件與價格都能配合成為主流后，才有機會見到DDR3世代的來臨。