By Roger Chu, Marketing Intelligence Team, DRAMeXchange
自從2004 第三季以來,臺灣封測廠的DRAM測試產(chǎn)能吃緊狀況主要來自于下列原因,一、新制程及新產(chǎn)品造成DRAM的測試時(shí)間增加。在0.11um未進(jìn)入量產(chǎn)之前,DDR 256Mb 0.11um的測試時(shí)間較0.13um測試時(shí)間多30%左右,而DDR2 512Mb相較于DDR512Mb的測試時(shí)間約增加100%左右。二、測試產(chǎn)能增加有限。由于DRAM產(chǎn)業(yè)普遍確認(rèn)DDR2為下一代的內(nèi)存主流,使得測試廠不愿再投資測試DDR的機(jī)臺, 因其使用率可能在DDR2成為主流后, 大幅降低。但DDR2測試機(jī)臺T5593昂貴的價(jià)格及DDR2成為主流時(shí)間的不確定性, 也使得DRAM測試廠延緩新增DDR2測試機(jī)臺,避免資金投入后,產(chǎn)能利用率卻偏低.。但是2005上半年因DDR2仍未成為主流,DDR卻因制程微縮而產(chǎn)能持續(xù)增加,造成2005年初DRAM后段測試產(chǎn)能供不應(yīng)求狀況。
時(shí)序進(jìn)入2005年第三季,我們認(rèn)為DRAM測試產(chǎn)能吃緊的狀況將有機(jī)會在2005第四季稍微獲得舒緩。主要原因是DRAM價(jià)格下滑,使得DRAM廠Hynix將產(chǎn)能積極轉(zhuǎn)向生產(chǎn)FLASH以獲取更好的獲利結(jié)構(gòu),而使DRAM供給成長受限。據(jù)臺系后段封測廠表示, 在今年五月已接獲Hynix通知,將逐季減少外包的DDR測試訂單,但近期又可能因后段測試機(jī)臺配置的進(jìn)度或策略調(diào)整而減緩減少的幅度,雖說Hynix在后段設(shè)備的投資策略仍不明朗。但在DDR2訂單仍未釋出之前,預(yù)期Hynix在DDR產(chǎn)量減少下仍會減少部份外包給臺灣的DDR測試訂單,而增加本身NAND Flash的后段封測投資。因此在第三季傳統(tǒng)旺季過后,臺灣封測廠原本吃緊的測試產(chǎn)能獲于第四季得舒緩。
現(xiàn)階段測試廠產(chǎn)能狀況
為了降低資本支出及將資本投入建置12吋廠和新增設(shè)備機(jī)臺,DRAM大廠如Elpida等紛紛將后段產(chǎn)能外包,成為2005年臺灣DRAM測試廠的成長動力。而DDR2方面,由于DDR2產(chǎn)量以頻率頻率從533MHZ為主,因DDR2 400MHz與DDR 400MHZ 功能差異不大,造成原本測試DDR的機(jī)臺在speed function上已無法配合,使得DRAM廠或是后段測試廠需重新布建測試產(chǎn)能。不過由于測試DDR2的T5593機(jī)臺每臺成本高達(dá)NT1.5-1.6億左右,使得DRAM測試廠投入DDR2測試產(chǎn)能速度緩慢。
現(xiàn)階段DDR2測試產(chǎn)能建置進(jìn)度最快為力成,主要供應(yīng)是Elpida的DDR2測試,至2005第三季 T5593機(jī)臺將達(dá)19臺,預(yù)估2005年底T5593機(jī)臺可達(dá)30臺。其次為南茂集團(tuán),2005第三季加計(jì)泰林產(chǎn)能后合計(jì)共9臺T5593機(jī)臺。此外,Advantest預(yù)計(jì)于2005年底所推出的T5588機(jī)臺產(chǎn)出量為T5593機(jī)臺的1.6倍,因此T5588機(jī)臺相較于T5593具有20%左右的成本優(yōu)勢。這也讓原本礙于T5593高單價(jià)而無法下手購置機(jī)臺的廠商考慮購置T5588機(jī)臺,不過這些考慮購置T5588的廠商必須要面對T5588最高測試頻率僅止于800MHZ,倘若DRAM主流轉(zhuǎn)至DDR2 800 MHZ 之上,甚至進(jìn)入DDR3,后段測試廠將要面臨重新布置產(chǎn)能的窘境。至于測試DDR的機(jī)臺,現(xiàn)階段各家產(chǎn)能并無太大變化。
DRAM廠測試成本分析
隨著測試Know –how的累計(jì)及DRAM 0.11um制程的成熟,使得DDR 256Mb測試秒數(shù)也由2005年初500秒,普遍下降至300-400秒。而DDR2 512Mb測試秒數(shù)仍舊維持在1000秒之上。2005第二季后段測試廠因DRAM價(jià)格下滑,使得測試的hourly rate較2005第一季下降約5%左右。不過在Hynix DRAM供給量減少影響下,2005第三季后段測試廠的hourly rate將有機(jī)會進(jìn)一步下滑,預(yù)期在旺季過后,2005第四季 DDR測試機(jī)臺將出現(xiàn)部份閑置產(chǎn)能,皆時(shí)手頭上沒有DDR2訂單的測試廠商所受到的沖擊將更大。
目前單顆DDR256Mb后段測試成本約0.22~0.32美元,加計(jì)封裝后約0.42-0.54美元,占單顆DDR256Mb制造成本約20% -25%。至于DDR2 512Mb測試成本約$0.8- $ 1 美元,加計(jì)封裝后單顆約1.3-1.5美元,占DDR2 512Mb 成本約25-30%。而由于國內(nèi)部份DRAM廠DDR2量產(chǎn)時(shí)程延后至第四季,因此估計(jì)測試秒數(shù)須等到明年第一季以后才有機(jī)會下降至700~800秒,屆時(shí)DDR2 512Mb單顆封裝加測試成本預(yù)估將可下降至0.9~1美元左右,將有助于改善DRAM廠在DDR2的獲利能力。
(更多詳細(xì)數(shù)據(jù)將公布在提供給DRAMeXchange Market Intelligence 的黃金/白金 會員的報(bào)告中)