部分人認(rèn)為在2005年因?yàn)?吋廠制造成本將高過(guò)12吋廠的制造成本，所以8吋廠產(chǎn)出將會(huì)消失。而2005年將不會(huì)供過(guò)于求且價(jià)格可以維持穩(wěn)定。然而，部分廠商已經(jīng)成功地將8吋廠制程轉(zhuǎn)換至更好的成本結(jié)構(gòu)的0.11微米。我們認(rèn)為2005年8吋廠在售價(jià)仍然高于變動(dòng)成本及總成本的狀況下將會(huì)繼續(xù)量產(chǎn)，特別是晶圓代工產(chǎn)業(yè)處于低產(chǎn)能利用率的狀態(tài)下的一年。

在2004年DRAM廠商對(duì)12吋廠的資本支出有二種不一樣的態(tài)度。首先，過(guò)去三年Hynix因?yàn)樨?cái)務(wù)狀況不佳而無(wú)法投資12吋廠的生產(chǎn)線，而轉(zhuǎn)以新的設(shè)計(jì)及先進(jìn)制程的轉(zhuǎn)換來(lái)取代。2004年Hynix將制程由0.13微米轉(zhuǎn)換成0.11微米，并從0.13微米開(kāi)始研發(fā)出所謂的黃金芯片(Golden Chip)設(shè)計(jì)，都有效的縮減芯片尺寸。沒(méi)有財(cái)務(wù)問(wèn)題的Micron過(guò)去二年也對(duì)12吋廠的投資相對(duì)保留，并以所謂的六平方呎(6F)的設(shè)計(jì)和0.11微米制程轉(zhuǎn)換來(lái)微縮芯片。但是這二種設(shè)計(jì)并不代表8吋廠制造成本可以輕易地進(jìn)一步降低，因?yàn)樵?.11微米以下的制程轉(zhuǎn)換對(duì)8吋廠而言將克服比12吋廠更多的難關(guān)及需要更多的研發(fā)成本。雖然Micron和Hynix過(guò)去二年并沒(méi)有投資12吋廠的生產(chǎn)線，我們認(rèn)為假如他們要與其它廠商競(jìng)爭(zhēng)則需要透過(guò)自行制造或委外代工來(lái)取得更多的12吋產(chǎn)出?？偠灾?，黃金芯片及六平方呎的新設(shè)計(jì)僅能使得8吋廠生產(chǎn)線延長(zhǎng)量產(chǎn)壽命但并無(wú)法長(zhǎng)生不老。

其次，Samsung、Infineon、Elpida、和部份臺(tái)灣DRAM廠商過(guò)去二年積極地投資12吋生產(chǎn)線。在2004年這些12吋廠的生產(chǎn)線也展現(xiàn)出應(yīng)有的成本競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，并幫這些公司獲利不少。再者，這些公司也計(jì)劃在2005年進(jìn)一步的擴(kuò)建12吋生產(chǎn)線。美光也計(jì)劃在2005年擴(kuò)建12吋廠，并計(jì)劃未來(lái)將興建第二座12吋廠。Hynix也因此2004年的獲利而有資金在2005去興建12”廠生產(chǎn)線。

為了長(zhǎng)遠(yuǎn)的生存之道，DRAM廠企圖轉(zhuǎn)換產(chǎn)品線到獲利較好的NAND型閃存(NAND Flash)、影像傳感器(CIS, CMOS Image Sensor)、液晶顯示器驅(qū)動(dòng)芯片(LCD driver IC)、低功率內(nèi)存(Low Power SDRAM)、1T SRAM或特殊型內(nèi)存。從長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看，當(dāng)主流產(chǎn)品變成更高容量的先進(jìn)制程，8吋廠的制造成本將無(wú)法與12吋廠競(jìng)爭(zhēng)。而先進(jìn)制程和主流產(chǎn)品的轉(zhuǎn)換時(shí)程將會(huì)影響8”廠何時(shí)退出主流的DRAM制造。總括而言，我們認(rèn)為2005年的8吋廠的產(chǎn)出還是超過(guò)12吋廠的產(chǎn)出，且8吋廠在0.11微米的制程下仍然可以獲利，但這樣的情勢(shì)在沒(méi)有新的設(shè)計(jì)及先進(jìn)制程的狀況下將會(huì)隨時(shí)間逐漸消失。沒(méi)有疑問(wèn)的12吋廠將成為DRAM產(chǎn)業(yè)未來(lái)具成本競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的主流生產(chǎn)線。

附注:在我們的MI系統(tǒng)中，有更詳細(xì)的8吋廠與12吋廠的成本及產(chǎn)出資料。